公开(公告)号：US09159659B2

公开(公告)日：2015-10-13

申请号：US13835969

申请日：2013-03-15

申请人： SAMSUNG Electronics Co., Ltd.

发明人： Sang-Won Kim ,  Kwang-Chul Choi ,  Hyun-Jung Song ,  Cha-Jea Jo ,  Eun-Kyoung Choi ,  Ji-Seok Hong

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/00 ,  H01L23/48 ,  H01L25/065 ,  H01L29/06 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor package includes a first semiconductor chip, a second semiconductor chip and a sealing member. The first semiconductor chip includes a substrate having a first surface and a second surface opposite to the first surface and having an opening that extends in a predetermined depth from the second surface, and a plurality of through electrodes extending in a thickness direction from the first surface, end portions of the through electrodes being exposed through a bottom surface of the opening. The second semiconductor chip is received in the opening and mounted on the bottom surface of the opening. The sealing member covers the second semiconductor chip in the opening.

摘要翻译： 半导体封装包括第一半导体芯片，第二半导体芯片和密封构件。 第一半导体芯片包括具有与第一表面相对的第一表面和第二表面的基板，并且具有从第二表面以预定深度延伸的开口，以及从厚度方向从第一表面延伸的多个贯穿电极 通孔的端部通过开口的底表面露出。 第二半导体芯片被容纳在开口中并安装在开口的底表面上。 密封构件覆盖开口中的第二半导体芯片。

公开(公告)号：US09138941B2

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US14456405

申请日：2014-08-11

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Kyu-Hyun Im ,  No-kyoung Park ,  Jae-hyun Hur ,  Sang-Won Kim ,  Sung-jee Kim

IPC分类号： H01L51/40 ,  B29C67/20 ,  C01G23/047 ,  C01F7/02 ,  C01G9/02 ,  B29L31/00

CPC分类号： B29C67/20 ,  B29L2031/00 ,  C01F7/304 ,  C01G9/02 ,  C01G23/047 ,  C01P2004/03

摘要： Provided is an example method of preparing a porous metal oxide structure, the method including adsorbing a metal oxide precursor onto a template having a networked structure of branched polynucleotides, decomposing and converting the adsorbed metal oxide precursor into a metal oxide, and removing the template. The networked structure of branched polynucleotides may be used as a template so as to facilitate control of the pore structure of a porous metal oxide structure.

摘要翻译： 提供了制备多孔金属氧化物结构的实例方法，该方法包括将金属氧化物前体吸附到具有支链多核苷酸网络结构的模板上，将吸附的金属氧化物前体分解并转化为金属氧化物，并除去模板。 支链多核苷酸的网络结构可以用作模板，以便于控制多孔金属氧化物结构的孔结构。

公开(公告)号：US20150357162A1

公开(公告)日：2015-12-10

申请号：US14730460

申请日：2015-06-04

申请人： Samsung Electronics Co., Ltd.

发明人： Sang-Won Kim ,  In-Sup Shin

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01J37/32091 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67333

摘要： A jig comprises a base constructed and arranged to be exposed to plasma for etching a native oxide layer on electronic devices. A pocket structure is on an upper surface of the base. The pocket structure includes pockets constructed and arranged to receive the electronic devices, The pocket structure has at least one passageway through which the plasma is moved in a horizontal direction between the pockets.

摘要翻译： 夹具包括构造和布置为暴露于等离子体的基底，用于蚀刻电子器件上的自然氧化物层。 口袋结构位于基座的上表面上。 口袋结构包括构造和布置成容纳电子装置的口袋。口袋结构具有至少一个通道，等离子体通过该通道沿水平方向在口袋之间移动。