公开(公告)号：US20160268476A1

公开(公告)日：2016-09-15

申请号：US14992939

申请日：2016-01-11

Applicant: SORAA, INC.

Inventor： ARPAN CHAKRABORTY ,  MICHAEL GRUNDMANN ,  ANURAG TYAGI

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16

Abstract: A method for providing (Al,Ga,In)N thin films on Ga-face c-plane (Al,Ga,In)N substrates using c-plane surfaces with a miscut greater than at least 0.35 degrees toward the in-direction. Light emitting devices are formed on the smooth (Al,Ga,In)N thin films. Devices fabricated on the smooth surfaces exhibit improved performance.

Abstract translation: 一种在Ga面c面（Al，Ga，In）N基板上使用具有大于至少0.35度朝向正方向的晶体面的c面表面提供（Al，Ga，In）N薄膜的方法。 发光器件形成在光滑（Al，Ga，In）N薄膜上。 在光滑表面上制造的器件表现出改进的性能。