公开(公告)号：US20080116530A1

公开(公告)日：2008-05-22

申请号：US11855413

申请日：2007-09-14

申请人： Sang-jin Hyun ,  Si-young Choi ,  In-sang Jeon ,  Sang-bom Kang ,  Hye-min Kim

发明人： Sang-jin Hyun ,  Si-young Choi ,  In-sang Jeon ,  Sang-bom Kang ,  Hye-min Kim

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10876 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66621

摘要： A semiconductor device may include a semiconductor substrate and first and second transistors. The first transistor may have a first gate structure on the semiconductor substrate, and the first gate structure may include a first gate insulating layer between a first gate electrode and the semiconductor substrate. The first gate insulating layer may include first and second dielectric materials with the second dielectric material having a greater dielectric constant than the first dielectric material. Moreover, the first gate electrode may be in contact with the second dielectric material. The second transistor may have a second gate structure on the semiconductor substrate, with the second gate structure including a second gate insulating layer between a second gate electrode and the semiconductor substrate. Related methods are also discussed.

摘要翻译： 半导体器件可以包括半导体衬底和第一和第二晶体管。 第一晶体管可以在半导体衬底上具有第一栅极结构，并且第一栅极结构可以包括在第一栅极电极和半导体衬底之间的第一栅极绝缘层。 第一栅极绝缘层可以包括第一和第二介电材料，其中第二介电材料具有比第一介电材料更大的介电常数。 此外，第一栅电极可以与第二电介质材料接触。 第二晶体管可以在半导体衬底上具有第二栅极结构，其中第二栅极结构包括在第二栅电极和半导体衬底之间的第二栅极绝缘层。 还讨论了相关方法。

公开(公告)号：US20050224983A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10973165

申请日：2004-10-26

申请人： Won-jin Kim ,  Hyun Park ,  Chang-seob Kim ,  Mun-jun Kim ,  Hye-min Kim ,  Jin-gyun Kim

发明人： Won-jin Kim ,  Hyun Park ,  Chang-seob Kim ,  Mun-jun Kim ,  Hye-min Kim ,  Jin-gyun Kim

IPC分类号： G03F7/09 ,  H01L21/00 ,  H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76802 ,  G03F7/091 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31633

摘要： A semiconductor structure includes a material layer on a substrate and to be patterned, an amorphous carbon layer on the material layer to be patterned, an N-free anti-reflective layer on the amorphous carbon layer, and a photoresist layer on the N-free anti-reflective layer. The N-free anti-reflective layer contains SiCXOYHZ as a main element. Related methods of patterning semiconductor structures also are provided.

摘要翻译： 半导体结构包括在基板上的待图案化的材料层，待图案化的材料层上的无定形碳层，非晶碳层上的无N抗反射层，以及无N层的光致抗蚀剂层 防反射层。 不含N的抗反射层含有作为主要元素的碳化X O Y Y H。。。。。。。。。。。。。。。。。 还提供了图案化半导体结构的相关方法。