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    Method to fabricate side shields for a magnetic sensor
    1.
    发明授权
    Method to fabricate side shields for a magnetic sensor 失效
    制造磁性传感器侧面屏蔽的方法

    公开(公告)号：US07574791B2

    公开(公告)日：2009-08-18

    申请号：US11126508

    申请日：2005-05-10

    申请人： Satoru Araki ,  Robert Stanley Beach ,  Marie-Claire Cyrille ,  Wipul Pemsiri Jayasekara ,  Quang Le ,  Jui-Lung Li ,  David John Seagle ,  Howard Gordon Zolla

    发明人： Satoru Araki ,  Robert Stanley Beach ,  Marie-Claire Cyrille ,  Wipul Pemsiri Jayasekara ,  Quang Le ,  Jui-Lung Li ,  David John Seagle ,  Howard Gordon Zolla

    IPC分类号： G11B5/187

    CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/112 ,  G11B5/3169 ,  G11B5/3906 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046

    摘要： A method for fabricating magnetic side shields for an MR sensor of a magnetic head. Following the deposition of MR sensor layers, a first DLC layer is deposited. Milling mask layers are then deposited, and outer portions of the milling mask layers are removed such that a remaining central portion of the milling mask layers is formed having straight sidewalls and no undercuts. Outer portions of the sensor layers are then removed such that a relatively thick remaining central portion of the milling mask resides above the remaining sensor layers. A thin electrical insulation layer is deposited, followed by the deposition of magnetic side shields. A second DLC layer is deposited and the remaining mask layers are then removed utilizing a chemical mechanical polishing (CMP) liftoff step. Thereafter, the first DLC layer and the second DLC layer are removed and a second magnetic shield layer is then fabricated thereabove.

    摘要翻译： 一种用于制造用于磁头的MR传感器的磁性侧屏蔽的方法。 在MR传感器层的沉积之后，沉积第一DLC层。 然后沉积铣削掩模层，并且去除铣削掩模层的外部，使得铣削掩模层的剩余中心部分形成为具有直的侧壁并且没有底切。 然后去除传感器层的外部部分，使得铣削掩模的相对较厚的剩余中心部分位于剩余传感器层的上方。 沉积薄的电绝缘层，随后沉积磁性侧屏蔽层。 沉积第二DLC层，然后利用化学机械抛光（CMP）剥离步骤除去剩余的掩模层。 此后，去除第一DLC层和第二DLC层，然后在其上制造第二磁屏蔽层。

    Method for patterning a magnetoresistive sensor
    2.
    发明授权
    Method for patterning a magnetoresistive sensor 有权
    图案化磁阻传感器的方法

    公开(公告)号：US07765676B2

    公开(公告)日：2010-08-03

    申请号：US10993499

    申请日：2004-11-18

    申请人： Marie-Claire Cyrille ,  Elizabeth Ann Dobisz ,  Wipul Pemsiri Jayasekara ,  Jui-Lung Li

    发明人： Marie-Claire Cyrille ,  Elizabeth Ann Dobisz ,  Wipul Pemsiri Jayasekara ,  Jui-Lung Li

    IPC分类号： G11B5/187 ,  B44C1/22

    CPC分类号： G11B5/3903 ,  Y10T29/49032 ,  Y10T29/49041 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052

    摘要： A method for constructing a magnetoresistive sensor using an etch mask that is resistant to the material removal process used to define the sensor width and stripe height. The method may include the use of a Ta etch mask formed under a photoresist mask, and the use of an ion milling process to define the sensor. The etch mask remains substantially intact after performing the ion milling and therefore is readily removed by a later CMP process. The etch mask layer is also very resistant to high temperatures such as those used in a desired atomic layer deposition of alumina, which is used to deposit conformal layers of alumina around the sensor.

    摘要翻译： 一种用于构造使用耐蚀刻材料去除工艺的蚀刻掩模的磁阻传感器的方法，所述方法用于限定传感器宽度和条纹高度。 该方法可以包括使用形成在光致抗蚀剂掩模下的Ta蚀刻掩模，以及使用离子铣削工艺来限定传感器。 在执行离子研磨之后，蚀刻掩模基本上保持完整，因此通过稍后的CMP工艺容易地除去。 蚀刻掩模层也非常耐高温，例如用于期望的氧化铝原子层沉积中使用的那些，其用于在传感器周围沉积保形层的氧化铝。

    CMP assisted liftoff micropatterning
    9.
    发明授权
    CMP assisted liftoff micropatterning 失效
    CMP辅助提升微图案

    公开(公告)号：US06969625B2

    公开(公告)日：2005-11-29

    申请号：US10949433

    申请日：2004-09-24

    申请人： Marie-Claire Cyrille ,  Frederick H. Dill ,  Cherngye Hwang ,  Jui-Lung Li

    发明人： Marie-Claire Cyrille ,  Frederick H. Dill ,  Cherngye Hwang ,  Jui-Lung Li

    IPC分类号： G11B5/39 ,  G11B5/31 ,  H01L21/304 ,  H01L43/08 ,  H01L21/00 ,  H01L21/44

    CPC分类号： G11B5/313

    摘要： A method and structure for a microelectronic device comprises a first film over a substrate, a first polish resistant layer over the first film, a second film over the first polish resistant layer, a second polish resistant layer over the second film, wherein the first and second polish resistant layers comprise diamond-like carbon. The first film comprises an electrically resistive material, while the second film comprises low resistance conductive material. The first film is an electrical resistor embodied as a magnetic read sensor. The electrically resistive material is sensitive to magnetic fields. The device further comprises a generally vertical junction between the first and second films and a dielectric film abutted to the electrically resistive material.

    摘要翻译： 微电子器件的方法和结构包括：衬底上的第一膜，第一膜上的第一耐抛光层，第一耐抛光层上的第二膜，第二膜上的第二耐光层，其中第一和第二膜 第二耐光层包括类金刚石碳。 第一膜包括电阻材料，而第二膜包括低电阻导电材料。 第一个胶片是一个实现为磁读取传感器的电阻器。 电阻材料对磁场敏感。 该装置还包括在第一和第二膜之间的大致垂直的接合点和邻接于电阻材料的电介质膜。