公开(公告)号：US09809872B2

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：US12756551

申请日：2010-04-08

申请人： Seigi Aoyama ,  Toru Sumi ,  Shuji Sakai ,  Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

发明人： Seigi Aoyama ,  Toru Sumi ,  Shuji Sakai ,  Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

IPC分类号： C22C9/00 ,  B22D11/00 ,  H01B1/02 ,  C22F1/08 ,  B22D21/02

CPC分类号： C22C9/00 ,  B22D21/025 ,  C22F1/08 ,  H01B1/026

摘要： A dilute copper alloy material includes, based on a total mass of the dilute copper alloy material, 2 to 12 mass ppm of sulfur, 2 to 30 mass ppm of oxygen, 4 to 55 mass ppm of titanium, and a balance of pure copper and inevitable impurity. A part of the sulfur and the titanium forms a compound or an aggregate of TiO, TiO2, TiS or Ti—O—S, and an other part of the sulfur and the titanium forms a solid solution. TiO, TiO2, TiS and Ti—O—S distributed in a crystal grain of the dilute copper alloy material are not more than 200 nm, not more than 1000 nm, not more than 200 nm and not more than 300 nm, respectively, in particle size thereof, and not less than 90% of particles distributed in a crystal grain of the dilute copper alloy material are 500 nm or less in particle size.

公开(公告)号：US20100263905A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12756551

申请日：2010-04-08

申请人： Seigi AOYAMA ,  Toru Sumi ,  Shuji Sakai ,  Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

发明人： Seigi AOYAMA ,  Toru Sumi ,  Shuji Sakai ,  Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

IPC分类号： H01B9/02 ,  H01B5/00 ,  H01B5/08 ,  H01B11/02 ,  C22C9/00 ,  B22D11/06

CPC分类号： C22C9/00 ,  B22D21/025 ,  C22F1/08 ,  H01B1/026

摘要： A dilute copper alloy material includes, based on a total mass of the dilute copper alloy material, 2 to 12 mass ppm of sulfur, 2 to 30 mass ppm of oxygen, 4 to 55 mass ppm of titanium, and a balance consisting of pure copper and an inevitable impurity. A part of the sulfur and the titanium forms a compound or an aggregate of TiO, TiO2, TiS or Ti—O—S, and an other part of the sulfur and the titanium forms a solid solution. TiO, TiO2, TiS and Ti—O—S distributed in a crystal grain of the dilute copper alloy material are not more than 200 nm, not more than 1000 nm, not more than 200 nm and not more than 300 nm, respectively, in particle size thereof, and not less than 90% of particles distributed in a crystal grain of the dilute copper alloy material are not more than 500 nm or less in particle size.

摘要翻译： 稀铜合金材料基于稀铜合金材料的总质量包括2〜12质量ppm的硫，2〜30质量ppm的氧，4〜55质量ppm的钛，余量由纯铜 和不可避免的杂质。 硫和钛的一部分形成TiO，TiO 2，TiS或Ti-O-S的化合物或聚集体，硫和钛的另一部分形成固溶体。 分布在稀铜合金材料的晶粒中的TiO，TiO 2，TiS和Ti-O-S分别不大于200nm，不大于1000nm，不大于200nm且不大于300nm 其粒径分布在稀铜合金材料的晶粒中的90％以上的粒子的粒径为500nm以下。

公开(公告)号：US09234263B2

公开(公告)日：2016-01-12

申请号：US13317463

申请日：2011-10-19

申请人： Hiromitsu Kuroda ,  Toru Sumi ,  Hideyuki Sagawa ,  Seigi Aoyama ,  Masayoshi Goto ,  Takahiko Hanada ,  Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

发明人： Hiromitsu Kuroda ,  Toru Sumi ,  Hideyuki Sagawa ,  Seigi Aoyama ,  Masayoshi Goto ,  Takahiko Hanada ,  Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

IPC分类号： B32B15/20 ,  C22C9/00 ,  B23K31/00 ,  C22C1/02 ,  C22C1/10 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

CPC分类号： C22C9/00 ,  B23K31/00 ,  B32B15/20 ,  C22C1/02 ,  C22C1/1036 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12667 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291

摘要： A weldment includes metal materials that are welded to each other. At least one of the metal materials includes pure copper including an inevitable impurity, more than 2 mass ppm of oxygen, and an additive element selected from the group consisting of Mg, Zr, Nb, Fe, Si, Al, Ca, V, Ni, Mn, Ti and Cr. A method of manufacturing a weldment includes melting a dilute copper alloy material by SCR continuous casting and rolling at a molten copper temperature of not less than 1100° C. and not more than 1320° C. to make a molten metal, forming a cast bar from the molten metal, forming a dilute copper alloy member by hot-rolling the cast bar, and welding the dilute copper alloy member to a metal material. The dilute copper alloy material includes the pure copper, more than 2 mass ppm of oxygen, and the additive element,?

摘要翻译： 焊件包括彼此焊接的金属材料。 至少一种金属材料包括包含不可避免的杂质的纯铜，大于2质量ppm的氧，以及选自Mg，Zr，Nb，Fe，Si，Al，Ca，V，Ni ，Mn，Ti和Cr。 一种焊接件的制造方法，其特征在于，以不低于1100℃，不高于1320℃的熔融铜温度，通过SCR连续铸造，熔融稀释的铜合金材料，形成熔融金属 从熔融金属中，通过对铸造棒进行热轧而形成稀铜合金构件，并将稀铜合金构件焊接到金属材料上。 稀铜合金材料包括纯铜，超过2质量ppm的氧和添加元素，

公开(公告)号：US20120100390A1

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：US13317463

申请日：2011-10-19

申请人： Hiromitsu Kuroda ,  Toru Sumi ,  Hideyuki Sagawa ,  Seigi Aoyama ,  Masayoshi Goto ,  Takahiko Hanada ,  Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

发明人： Hiromitsu Kuroda ,  Toru Sumi ,  Hideyuki Sagawa ,  Seigi Aoyama ,  Masayoshi Goto ,  Takahiko Hanada ,  Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

IPC分类号： B32B15/20 ,  B23K31/00

CPC分类号： C22C9/00 ,  B23K31/00 ,  B32B15/20 ,  C22C1/02 ,  C22C1/1036 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08 ,  Y10T428/1266 ,  Y10T428/12667 ,  Y10T428/12882 ,  Y10T428/12903 ,  Y10T428/1291

摘要： A weldment includes metal materials that are welded to each other. At least one of the metal materials includes pure copper including an inevitable impurity, more than 2 mass ppm of oxygen, and an additive element selected from the group consisting of Mg, Zr, Nb, Fe, Si, Al, Ca, V, Ni, Mn, Ti and Cr. A method of manufacturing a weldment includes melting a dilute copper alloy material by SCR continuous casting and rolling at a molten copper temperature of not less than 1100° C. and not more than 1320° C. to make a molten metal, forming a cast bar from the molten metal, forming a dilute copper alloy member by hot-rolling the cast bar, and welding the dilute copper alloy member to a metal material. The dilute copper alloy material includes the pure copper, more than 2 mass ppm of oxygen, and the additive element,

摘要翻译： 焊件包括彼此焊接的金属材料。 至少一种金属材料包括包含不可避免的杂质的纯铜，大于2质量ppm的氧，以及选自Mg，Zr，Nb，Fe，Si，Al，Ca，V，Ni ，Mn，Ti和Cr。 一种焊接件的制造方法，其特征在于，以不低于1100℃，不高于1320℃的熔融铜温度，通过SCR连续铸造，熔融稀释的铜合金材料，形成熔融金属 从熔融金属中，通过对铸造棒进行热轧而形成稀铜合金构件，并将稀铜合金构件焊接到金属材料上。 稀铜合金材料包括纯铜，大于2质量ppm的氧和添加元素，

公开(公告)号：US5302877A

公开(公告)日：1994-04-12

申请号：US29514

申请日：1993-03-11

申请人： Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

发明人： Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

IPC分类号： H03H9/25 ,  H03H9/02 ,  H03H9/64 ,  H01L41/08

CPC分类号： H03H9/02543

摘要： A surface acoustic wave device comprises lithium tetraborate single crystal substrate to make use of surface acoustic waves with higher propagation velocities and smaller propagation losses, whereby frequencies to be signal-processed can be as high as above 1 GHz. The surface acoustic wave device comprises a metal film formed on a surface of a lithium tetraborate single crystal substrate, the metal film being for exciting, receiving, reflecting and/or propagating surface acoustic waves, the metal film being so formed that a cut angle of the substrate, and a propagation direction of the surface acoustic waves are in an Eulerian angle representation of (39.degree.-51.degree., 66.degree.-114.degree., -20.degree.-20.degree.) and directions equivalent thereto. In this propagation direction few Rayleigh waves exit, and only surface acoustic waves of high propagation velocity are generated. Propagation losses can be eliminated.

摘要翻译： 表面声波装置包括四硼酸锂单晶基板，以利用具有较高传播速度和较小传播损耗的表面声波，由此待信号处理的频率可高达1GHz以上。 表面声波装置包括形成在四硼酸锂单晶基板的表面上的金属膜，金属膜用于激发，接收，反射和/或传播表面声波，金属膜被形成为使得金属膜的切割角度 衬底和表面声波的传播方向处于（39度-51度，66度-114度，-20度-20度）和与此相当的方向的欧拉角度表示。 在这个传播方向上，很少的瑞利波出射，只有高传播速度的表面声波才产生。 传播损失可以消除。

公开(公告)号：US5434465A

公开(公告)日：1995-07-18

申请号：US236015

申请日：1994-05-02

申请人： Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

发明人： Takahiro Sato ,  Hidenori Abe

IPC分类号： H03H9/25 ,  H03H9/02 ,  H01L41/08

CPC分类号： H03H9/02543

摘要： A surface acoustic wave device comprises a piezoelectric substrate of lithium tetraborate single crystal, and a metal film formed on the surface of the piezoelectric substrate for exciting, receiving, reflecting and/or propagating surface acoustic waves, the metal film being so formed that a cut angle of the surface of the piezoelectric substrate and propagation direction of the surface acoustic wave are an Eulerian angle representation of (0.degree.-45.degree., 30.degree.-90.degree., 40.degree.-90.degree.) and directions equivalent thereto, the surface acoustic wave having higher propagation velocity than Rayleigh waves and leaky waves, and a characteristic of radiating part of energy of the surface acoustic wave into the piezoelectric surface while propagating.

摘要翻译： 表面声波装置包括四硼酸锂单晶的压电基板和形成在压电基板的表面上用于激发，接收，反射和/或传播表面声波的金属膜，金属膜被形成为切割 压电基板表面的角度和表面声波的传播方向是（0°-45°，30°-90°，40°-90°）和与其等效的方向的欧拉角表示，表面声波 具有比瑞利波和泄漏波更高的传播速度，以及在传播时将表面声波的能量的一部分辐射到压电表面中的特性。

公开(公告)号：US07220995B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10817907

申请日：2004-04-06

申请人： Takao Noguchi ,  Hisatoshi Saitou ,  Hidenori Abe

发明人： Takao Noguchi ,  Hisatoshi Saitou ,  Hidenori Abe

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H03H9/175 ,  B06B1/0644 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/176

摘要： A substrate for an electronic device comprises a base, an adhesion film stacked on the base, and a conductor film stacked on the adhesion film. The adhesion film is a non-epitaxial film including a crystal having a wurtzite crystal structure. The electronic device comprises the substrate and a functional film having a specific function and disposed on the substrate.

摘要翻译： 电子器件用基板包括基材，层叠在基材上的粘合膜和层叠在粘合膜上的导体膜。 粘附膜是包括具有纤锌矿晶体结构的晶体的非外延膜。 电子装置包括基板和具有特定功能的功能膜并且设置在基板上。

公开(公告)号：US20050029629A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：US10817907

申请日：2004-04-06

申请人： Takao Noguchi ,  Hisatoshi Saitou ,  Hidenori Abe

发明人： Takao Noguchi ,  Hisatoshi Saitou ,  Hidenori Abe

IPC分类号： H01L21/28 ,  B06B1/06 ,  H01L21/283 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22 ,  H01L41/29 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02 ,  H03H9/17 ,  H01L29/00 ,  H01L21/44 ,  B05D3/06 ,  H01L31/036 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H03H9/175 ,  B06B1/0644 ,  H01L41/319 ,  H03H3/02 ,  H03H9/02094 ,  H03H9/176

摘要： A substrate for an electronic device comprises a base, an adhesion film stacked on the base, and a conductor film stacked on the adhesion film. The adhesion film is a non-epitaxial film including a crystal having a wurtzite crystal structure. The electronic device comprises the substrate and a functional film having a specific function and disposed on the substrate.

摘要翻译： 电子器件用基板包括基材，层叠在基材上的粘合膜和层叠在粘合膜上的导体膜。 粘附膜是包括具有纤锌矿晶体结构的晶体的非外延膜。 电子装置包括基板和具有特定功能的功能膜并且设置在基板上。

公开(公告)号：US5877661A

公开(公告)日：1999-03-02

申请号：US737372

申请日：1997-06-17

申请人： Masashi Ohmura ,  Hiroshi Honmo ,  Hidenori Abe

发明人： Masashi Ohmura ,  Hiroshi Honmo ,  Hidenori Abe

IPC分类号： H03H9/00 ,  H03H9/64

CPC分类号： H03H9/0028 ,  H03H9/6433 ,  H03H9/6469

摘要： A surface acoustic wave filter comprises a first electrode structure array which is formed on the piezoelectric substrate, and includes an input/output IDT, two receipt IDTs formed outside the input/output IDT and two reflectors formed outside the two receipt IDTs, and a second electrode structure array which is formed on the piezoelectric substrate and includes an input/output IDT, two receipt IDTs formed outside the input/output IDT and two reflectors formed outside the two receipt IDTs, which are concatenated with each other. In a case that the surface acoustic wave filter is represented by a symmetrical lattice-type circuit which is expressed by a serial arm impedance and a parallel arm impedance and is electrically equivalent to the same, at least two resonances of the serial arm impedance and at least three resonances of the parallel arm impedance are used to form a passband. The surface acoustic wave filter can have wide bands and low spurious signal.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP96 / 00691 Sec。 371日期：1997年6月17日 102（e）日期1997年6月17日PCT 1996年3月15日PCT公布。 公开号WO96 / 28886 日期1996年9月19日一种表面声波滤波器，包括形成在压电基板上的第一电极结构阵列，并且包括输入/​​输出IDT，形成在输入/输出IDT外部的两个接收IDT，以及形成在两个接收之外的两个反射器 IDT，以及形成在压电基板上并包括输入/​​输出IDT，形成在输入/输出IDT外部的两个接收IDT和形成在两个接收IDT之外的两个反射器的第二电极结构阵列，它们彼此并联。 在表面声波滤波器由以串联臂阻抗和并联臂阻抗表示的并且与之相当的对称晶格型电路表示的情况下，串联臂阻抗和串联臂阻抗的至少两个谐振 使用并联臂阻抗的至少三个谐振来形成通带。 表面声波滤波器可以具有宽带和低杂散信号。

公开(公告)号：US5840732A

公开(公告)日：1998-11-24

申请号：US481391

申请日：1996-12-06

申请人： Muneo Takatani ,  Hitoshi Ikeda ,  Kyoko Iida ,  Hidenori Abe

发明人： Muneo Takatani ,  Hitoshi Ikeda ,  Kyoko Iida ,  Hidenori Abe

IPC分类号： C07D471/04 ,  C07D487/04 ,  C07D519/00 ,  A61K31/44 ,  A61K31/505 ,  C07D239/72 ,  C07D405/00 ,  C07D409/00

CPC分类号： C07D471/04 ,  C07D487/04

摘要： This invention provides a new condensed imidazole compound possessing inhibitory activity of adhesion molecule expression. This invention also provides a therapeutic and prophylactic agent for diabetic nephritis and/or autoimmune disease and an immunosuppressor for organ transplantation.

摘要翻译： PCT No.PCT / JP95 / 01192 Sec。 371日期1996年12月6日第 102（e）日期1996年12月6日PCT归档1995年6月15日PCT公布。 公开号WO95 / 35296 日期：1995年12月28日本发明提供了具有粘附分子表达抑制活性的新的缩合咪唑化合物。 本发明还提供了用于糖尿病性肾炎和/或自身免疫性疾病的治疗和预防剂以及用于器官移植的免疫抑制剂。