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    Substrate contact for a capped MEMS and method of making the substrate contact at the wafer level
    9.
    发明授权
    Substrate contact for a capped MEMS and method of making the substrate contact at the wafer level 有权
    用于封装的MEMS的衬底接触和在晶片级使衬底接触的方法

    公开(公告)号：US07316965B2

    公开(公告)日：2008-01-08

    申请号：US11158793

    申请日：2005-06-21

    申请人： Stephen R. Hooper ,  Hemant D. Desai ,  William G. McDonald ,  Arvind S. Salian

    发明人： Stephen R. Hooper ,  Hemant D. Desai ,  William G. McDonald ,  Arvind S. Salian

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： B81B3/0086 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2207/07 ,  B81B2207/098 ,  B81C2203/0118 ,  G01P15/0802 ,  G01P15/125 ,  G01P2015/0814

    摘要： A MEMS device (100) is provided that includes a handle layer (108) having a sidewall (138), a cap (132) overlying said handle layer (108), said cap (132) having a sidewall (138), and a conductive material (136) disposed on at least a portion of said sidewall of said cap (138) and said sidewall of said handle layer (138) to thereby electrically couple said handle layer (108) to said cap (132). A wafer-level method for manufacturing the MEMS device from a substrate (300) comprising a handle layer (108) and a cap (132) overlying the handle layer (108) is also provided. The method includes making a first cut through the cap (132) and at least a portion of the substrate (300) to form a first sidewall (138), and depositing a conductive material (136) onto the first sidewall (138) to electrically couple the cap (132) to the substrate (300).

    摘要翻译： 提供了一种MEMS器件（100），其包括具有侧壁（138）的手柄层（108），覆盖所述手柄层（108）的盖（132），所述盖（132）具有侧壁（138） 导电材料（136），设置在所述盖子（138）的所述侧壁和所述手柄层（138）的所述侧壁的至少一部分上，从而将所述手柄层（108）电耦合到所述盖子（132）。 还提供了用于从包括手柄层（108）和覆盖在手柄层（108）上的盖子（132）的衬底（300）制造MEMS器件的晶片级方法。 该方法包括通过帽（132）和基底（300）的至少一部分进行第一次切割以形成第一侧壁（138），以及将导电材料（136）沉积到第一侧壁（138）上以电 将盖（132）耦合到基板（300）。

    Methods and apparatus having wafer level chip scale package for sensing elements
    10.
    发明授权
    Methods and apparatus having wafer level chip scale package for sensing elements 有权
    具有用于感测元件的晶片级芯片级封装的方法和装置

    公开(公告)号：US07109055B2

    公开(公告)日：2006-09-19

    申请号：US11039688

    申请日：2005-01-20

    申请人： William G. McDonald ,  Stephen R. Hooper ,  Arvind S. Salian

    发明人： William G. McDonald ,  Stephen R. Hooper ,  Arvind S. Salian

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： B81C1/00309 ,  B81C2201/053

    摘要： Methods are provided for manufacturing a sensor. The method comprises depositing a sacrificial material at a first predetermined thickness onto a wafer having at least one sense element mounted thereon, the sacrificial material deposited at least partially onto the at least one sense element, forming an encapsulating layer at a second predetermined thickness less than the first predetermined thickness over the wafer and around the deposited sacrificial material, and removing the sacrificial material. Apparatus for a sensor manufactured by the aforementioned method are also provided.

    摘要翻译： 提供了制造传感器的方法。 该方法包括将第一预定厚度的牺牲材料沉积到具有安装在其上的至少一个感测元件的晶片上，所述牺牲材料至少部分地沉积在所述至少一个感测元件上，形成第二预定厚度的封装层， 在晶片上方并围绕沉积的牺牲材料的第一预定厚度，以及去除牺牲材料。 还提供了通过上述方法制造的传感器的装置。