利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

27 条记录 (耗时 0.026 秒)

    Method of forming a seam-free tungsten plug
    1.
    发明授权
    Method of forming a seam-free tungsten plug 有权
    形成无缝钨丝塞的方法

    公开(公告)号：US08034705B2

    公开(公告)日：2011-10-11

    申请号：US12460318

    申请日：2009-07-16

    申请人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son ,  Ju-Young Jung

    发明人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son ,  Ju-Young Jung

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76888 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L27/24

    摘要： A plug comprises a first insulating interlayer, a tungsten pattern and a tungsten oxide pattern. The first insulating interlayer has a contact hole formed therethrough on a substrate. The tungsten pattern is formed in the contact hole. The tungsten pattern has a top surface lower than an upper face of the first insulating interlayer. The tungsten oxide pattern is formed in the contact hole and on the tungsten pattern. The tungsten oxide pattern has a level face.

    摘要翻译： 插头包括第一绝缘中间层，钨图案和氧化钨图案。 第一绝缘中间层具有在基板上形成的接触孔。 钨图案形成在接触孔中。 钨图案具有比第一绝缘中间层的上表面低的顶表面。 氧化钨图案形成在接触孔和钨图案上。 氧化钨图案具有水平面。

    Method of forming a seam-free tungsten plug
    2.
    发明申请
    Method of forming a seam-free tungsten plug 有权
    形成无缝钨丝塞的方法

    公开(公告)号：US20100015801A1

    公开(公告)日：2010-01-21

    申请号：US12460318

    申请日：2009-07-16

    申请人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son ,  Ju-Young Jung

    发明人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son ,  Ju-Young Jung

    IPC分类号： H01L21/768

    CPC分类号： H01L21/76888 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76883 ,  H01L27/24

    摘要： A plug comprises a first insulating interlayer, a tungsten pattern and a tungsten oxide pattern. The first insulating interlayer has a contact hole formed therethrough on a substrate. The tungsten pattern is formed in the contact hole. The tungsten pattern has a top surface lower than an upper face of the first insulating interlayer. The tungsten oxide pattern is formed in the contact hole and on the tungsten pattern. The tungsten oxide pattern has a level face.

    摘要翻译： 插头包括第一绝缘中间层，钨图案和氧化钨图案。 第一绝缘中间层具有在基板上形成的接触孔。 钨图案形成在接触孔中。 钨图案具有比第一绝缘中间层的上表面低的顶表面。 氧化钨图案形成在接触孔和钨图案上。 氧化钨图案具有水平面。

    Methods for fabricating memory devices using sacrifical layers and memory devices fabricated by same
    3.
    发明申请
    Methods for fabricating memory devices using sacrifical layers and memory devices fabricated by same 失效
    用于制造使用牺牲层的存储器件和由其制造的存储器件的方法

    公开(公告)号：US20050250316A1

    公开(公告)日：2005-11-10

    申请号：US11168894

    申请日：2005-06-29

    申请人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son

    发明人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son

    IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/768 ,  H01L27/24

    CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76883 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： Methods are provided for fabricating contacts in integrated circuit devices, such as phase-change memories. A protection layer and a sacrificial layer are sequentially formed on a semiconductor substrate. A contact hole is formed through the sacrificial layer and the protection layer. A conductive layer is formed on the sacrificial layer and in the contact hole, and portions of the conductive layer and the sacrificial layer are removed to expose the protection layer and form a conductive plug protruding from the protection layer. A protruding portion of the conductive plug removed to leave a contact plug in the protection layer. A phase-change data storage element may be formed on the contact plug.

    摘要翻译： 提供了用于在诸如相变存储器的集成电路器件中制造触点的方法。 在半导体衬底上依次形成保护层和牺牲层。 通过牺牲层和保护层形成接触孔。 在牺牲层和接触孔中形成导电层，并且去除导电层和牺牲层的部分以露出保护层并形成从保护层突出的导电插塞。 去除导电塞的突出部分，以在保护层中留下接触塞。 可以在接触插塞上形成相变数据存储元件。

    Methods for fabricating memory devices using sacrificial layers and memory devices fabricated by same
    4.
    发明授权
    Methods for fabricating memory devices using sacrificial layers and memory devices fabricated by same 失效
    用于制造使用牺牲层的存储器件和由其制造的存储器件的方法

    公开(公告)号：US07223693B2

    公开(公告)日：2007-05-29

    申请号：US11168894

    申请日：2005-06-28

    申请人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son

    发明人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76883 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16

    摘要： Methods are provided for fabricating contacts in integrated circuit devices, such as phase-change memories. A protection layer and a sacrificial layer are sequentially formed on a semiconductor substrate. A contact hole is formed through the sacrificial layer and the protection layer. A conductive layer is formed on the sacrificial layer and in the contact hole, and portions of the conductive layer and the sacrificial layer are removed to expose the protection layer and form a conductive plug protruding from the protection layer. A protruding portion of the conductive plug removed to leave a contact plug in the protection layer. A phase-change data storage element may be formed on the contact plug.

    摘要翻译： 提供了用于在诸如相变存储器的集成电路器件中制造触点的方法。 在半导体衬底上依次形成保护层和牺牲层。 通过牺牲层和保护层形成接触孔。 在牺牲层和接触孔中形成导电层，并且去除导电层和牺牲层的部分以露出保护层并形成从保护层突出的导电插塞。 去除导电塞的突出部分，以在保护层中留下接触塞。 可以在接触插塞上形成相变数据存储元件。

    Phase-change memory device using a variable resistance structure
    5.
    发明授权
    Phase-change memory device using a variable resistance structure 有权
    使用可变电阻结构的相变存储器件

    公开(公告)号：US08148710B2

    公开(公告)日：2012-04-03

    申请号：US12805824

    申请日：2010-08-20

    申请人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son ,  Jang-Eun Heo

    发明人： Suk-Hun Choi ,  Chang-Ki Hong ,  Yoon-Ho Son ,  Jang-Eun Heo

    IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L29/08 ,  H01L29/18

    CPC分类号： H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device including a first contact region and a second contact region formed on a semiconductor substrate. A first insulating layer with a first contact hole and a second contact hole is disposed on the semiconductor substrate, exposing the first and second contact regions. A first conductive layer is disposed on the first insulating interlayer to fill the first and the second contact holes. A first protection layer pattern and a lower wiring protection pattern are disposed on the first conductive layer. A first contact with a first electrode and a second contact with a lower wiring are disposed so as to connect the first and second contact regions. A second protection layer with a second electrode is disposed on the first protection layer pattern and the lower wiring protection pattern. A via filled with a phase-change material is disposed between the first electrode and the second electrode.

    摘要翻译： 一种相变存储器件，包括形成在半导体衬底上的第一接触区域和第二接触区域。 具有第一接触孔和第二接触孔的第一绝缘层设置在半导体衬底上，暴露第一和第二接触区域。 第一导电层设置在第一绝缘中间层上以填充第一和第二接触孔。 第一保护层图案和下布线保护图案设置在第一导电层上。 设置与第一电极和与下布线的第二接触件的第一接触，以便连接第一和第二接触区域。 具有第二电极的第二保护层设置在第一保护层图案和下布线保护图案上。 填充有相变材料的通孔设置在第一电极和第二电极之间。

    Methods of fabricating thin ferroelectric layers and capacitors having ferroelectric dielectric layers therein
    7.
    发明申请
    Methods of fabricating thin ferroelectric layers and capacitors having ferroelectric dielectric layers therein 审中-公开
    制造其中具有铁电介质层的薄铁电层和电容器的方法

    公开(公告)号：US20060263909A1

    公开(公告)日：2006-11-23

    申请号：US11326485

    申请日：2006-01-05

    申请人： Suk-Hun Choi ,  Byoung-Jae Bae ,  Yoon-Ho Son ,  Chang-Ki Hong ,  Jeong-Heon Park

    发明人： Suk-Hun Choi ,  Byoung-Jae Bae ,  Yoon-Ho Son ,  Chang-Ki Hong ,  Jeong-Heon Park

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/8242

    CPC分类号： H01L27/11507 ,  G11C11/22 ,  H01L27/11502 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

    摘要： Methods of forming ferroelectric layers include forming a ferroelectric layer on a substrate and chemically-mechanically polishing a surface of the ferroelectric layer by rotating a polishing pad on the surface at a rotation speed in a range from about 5 rpm to about 25 rpm. This polishing step includes pressing the polishing pad onto the surface of the ferroelectric layer at a pressure in a range from about 0.5 psi to about 3 psi. This polishing step may be followed by the step of exposing the polished surface to a rapid thermal anneal. This anneal can be performed in an inert atmosphere containing a gas selected from a group consisting of nitrogen, helium, argon and neon.

    摘要翻译： 形成铁电体层的方法包括在基板上形成铁电层，并以大约5rpm至大约25rpm的旋转速度旋转表面上的抛光垫，对铁电层的表面进行化学机械抛光。 该抛光步骤包括在约0.5psi至约3psi范围内的压力下将抛光垫压在铁电层的表面上。 该抛光步骤之后可以将抛光表面暴露于快速热退火的步骤。 该退火可以在含有选自氮，氦，氩和氖的气体的惰性气氛中进行。