公开(公告)号：US20100159400A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12629597

申请日：2009-12-02

申请人： Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sik PARK ,  Sang-Dai LEE ,  Young-Jin PARK ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE

发明人： Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sik PARK ,  Sang-Dai LEE ,  Young-Jin PARK ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE

IPC分类号： G03F7/20 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/425

摘要： A composition for removing a photoresist pattern includes about 5 percent by weight to about 20 percent by weight of an aminoethoxy ethanol, about 2 percent by weight to about 10 percent by weight of a polyalkylene oxide, about 10 percent by weight to about 30 percent by weight of a glycol ether compound, and a remainder of an aprotic polar solvent including a nitrogen. Thus, the photoresist pattern can be easily removed from a substrate, thereby improving the removing ability of the composition. In addition, a residual amount of the photoresist pattern may be minimized, thereby improving the reliability of removing the photoresist pattern.

摘要翻译： 用于除去光致抗蚀剂图案的组合物包含约5重量％至约20重量％的氨基乙氧基乙醇，约2重量％至约10重量％的聚环氧烷，约10重量％至约30重量％ 二醇醚化合物的重量，以及包含氮的非质子极性溶剂的其余部分。 因此，光致抗蚀剂图案可以容易地从基板上去除，从而提高组合物的去除能力。 此外，光致抗蚀剂图案的剩余量可以最小化，从而提高去除光致抗蚀剂图案的可靠性。

公开(公告)号：US20100151610A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12564019

申请日：2009-09-21

申请人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH ,  Byung-Uk KIM ,  Suk-Il YOON ,  Jong-Hyun JEONG ,  Sung-Gun SHIN ,  Soon-Beom HUH ,  Se-Hwan JUNG ,  Doo-Young JANG ,  Sun-Joo PARK ,  Oh-Hwan KWEON

发明人： Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH ,  Byung-Uk KIM ,  Suk-Il YOON ,  Jong-Hyun JEONG ,  Sung-Gun SHIN ,  Soon-Beom HUH ,  Se-Hwan JUNG ,  Doo-Young JANG ,  Sun-Joo PARK ,  Oh-Hwan KWEON

IPC分类号： H01L21/30 ,  G03F7/42

CPC分类号： G03F7/425 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A composition for a photoresist stripper and a method of fabricating a thin film transistor array substrate are provided according to one or more embodiments. In one or more embodiments, the composition includes about 5-30 weight % of a chain amine compound, about 0.5-10 weight % of a cyclic amine compound, about 10-80 weight % of a glycol ether compound, about 5-30 weight % of distilled water, and about 0.1-5 weight % of a corrosion inhibitor.

摘要翻译： 根据一个或多个实施方案提供了用于光致抗蚀剂剥离剂的组合物和制造薄膜晶体管阵列基板的方法。 在一个或多个实施方案中，组合物包含约5-30重量％的链胺化合物，约0.5-10重量％的环胺化合物，约10-80重量％的二醇醚化合物，约5-30重量％ ％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。

公开(公告)号：US20100120209A1

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：US12432437

申请日：2009-04-29

申请人： Young-Joo CHOI ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Ky-Sub KIM ,  Seung-Yong LEE ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Seung-Jae YANG ,  Hyun-Kyu LEE ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM

发明人： Young-Joo CHOI ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Sun-Young HONG ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Ky-Sub KIM ,  Seung-Yong LEE ,  Joon-Woo LEE ,  Young-Chul PARK ,  Young-Jun JIN ,  Seung-Jae YANG ,  Hyun-Kyu LEE ,  Sang-Hoon JANG ,  Min-Ki LIM

IPC分类号： H01L21/336 ,  C09K13/06 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/06 ,  C23F1/18 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66765

摘要： An etchant composition is provided. The etchant composition includes about 40 to about 65 wt % of phosphoric acid, about 2 to about 5 wt % of nitric acid, about 2 to about 20 wt % of acetic acid, about 0.1 to about 2 wt % of a compound containing phosphate, about 0.1 to about 2 wt % of a compound simultaneously containing an amino group and a carboxyl group, and a remaining weight percent of water for the total weight of the composition.

摘要翻译： 提供蚀刻剂组合物。 蚀刻剂组合物包括约40至约65重量％的磷酸，约2至约5重量％的硝酸，约2至约20重量％的乙酸，约0.1至约2重量％的含磷酸盐的化合物， 约0.1至约2重量％的同时含有氨基和羧基的化合物，以及组合物总重量的剩余重量百分数。

公开(公告)号：US20100155730A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：US12481158

申请日：2009-06-09

申请人： Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE

发明人： Sun-Young HONG ,  Young-Joo CHOI ,  Nam-Seok SUH ,  Hong-Sick PARK ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255

摘要： In the manufacturing process of the thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention using three masks, the metal oxide semiconductor or the transparent conductive oxide is used, thereby executing an efficient lift-off process.

摘要翻译： 在根据使用三个掩模的本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板的制造过程中，使用金属氧化物半导体或透明导电氧化物，从而执行有效的剥离处理。

公开(公告)号：US20100149476A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12534300

申请日：2009-08-03

申请人： Do-Hyun KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Young-Joo CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Je-Hyeong PARK ,  Chang-Oh JEONG ,  Je-Hun LEE ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH

发明人： Do-Hyun KIM ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Young-Joo CHOI ,  Hong-Sick PARK ,  Tae-Hyung IHN ,  Dong-Hoon LEE ,  Pil-Sang YUN ,  Je-Hyeong PARK ,  Chang-Oh JEONG ,  Je-Hun LEE ,  Sun-Young HONG ,  Bong-Kyun KIM ,  Byeong-Jin LEE ,  Nam-Seok SUH

IPC分类号： G02F1/1333 ,  B05D5/12 ,  B44C1/22

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F2001/133302 ,  G02F2001/136295

摘要： A display substrate includes; a base substrate, a deformation preventing layer disposed on a lower surface of the base substrate, wherein the deformation preventing layer applies a force to the base substrate to prevent the base substrate from bending, a gate line disposed on an upper surface of the base substrate, a data line disposed on the base substrate, and a pixel electrode disposed on the base substrate.

摘要翻译： 显示基板包括： 基底基板，设置在基底基板的下表面的变形防止层，其中变形防止层向基底基板施加力以防止基底基板弯曲，设置在基底基板的上表面上的栅极线 设置在基底基板上的数据线，以及配置在基底基板上的像素电极。

公开(公告)号：US20110226727A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US13032563

申请日：2011-02-22

申请人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

发明人： Nam-Seok SUH ,  Sun-Young HONG ,  Jong-Hyun CHOUNG ,  Bong-Kyun KIM ,  Hong-Sick PARK ,  Jean-Ho SONG ,  Wang-Woo LEE ,  Do-Won KIM ,  Sang-Woo KIM ,  Won-Guk SEO ,  Hyun-Cheol SHIN ,  Ki-Beom LEE ,  Sam-Young CHO

IPC分类号： C23F1/18 ,  H05K3/06 ,  C23F1/30 ,  C09K13/00

CPC分类号： C09K13/08 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  C23F1/44 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/32134 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H05K3/067

摘要： Exemplary embodiments of the present invention provide a metal wiring etchant. A metal wiring etchant according to an exemplary embodiment of the present invention includes ammonium persulfate, an organic acid, an ammonium salt, a fluorine-containing compound, a glycol-based compound, and an azole-based compound.

摘要翻译： 本发明的示例性实施方案提供金属线路蚀刻剂。 根据本发明的示例性实施方式的金属线蚀刻剂包括过硫酸铵，有机酸，铵盐，含氟化合物，二醇类化合物和唑类化合物。