公开(公告)号：US08686423B2

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：US13604082

申请日：2012-09-05

申请人： Sung-Ryul Kim ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  O-Sung Seo ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jong-In Kim ,  Jae-Jin Song

发明人： Sung-Ryul Kim ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  O-Sung Seo ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jong-In Kim ,  Jae-Jin Song

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

摘要： A thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention comprises a substrate, a gate line formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the gate line, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer, and a data line formed on the semiconductor layer, wherein the data line comprises a lower data layer, an upper data layer, a data oxide layer, and a buffer layer, wherein the upper data layer and the buffer layer comprise a same material.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括基板，形成在基板上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的半导体层，以及数据 其中所述数据线包括下数据层，上数据层，数据氧化层和缓冲层，其中所述上数据层和所述缓冲层包括相同的材料。

公开(公告)号：US08304299B2

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：US12821668

申请日：2010-06-23

申请人： Sung-Ryul Kim ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  O-Sung Seo ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jong-In Kim ,  Jae-Jin Song

发明人： Sung-Ryul Kim ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  O-Sung Seo ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jong-In Kim ,  Jae-Jin Song

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

摘要： A thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention comprises a substrate, a gate line formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the gate line, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer, and a data line formed on the semiconductor layer, wherein the data line comprises a lower data layer, an upper data layer, a data oxide layer, and a buffer layer, wherein the upper data layer and the buffer layer comprise a same material.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括基板，形成在基板上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的半导体层，以及数据 其中所述数据线包括下数据层，上数据层，数据氧化层和缓冲层，其中所述上数据层和所述缓冲层包括相同的材料。

公开(公告)号：US20110108839A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12821668

申请日：2010-06-23

申请人： Sung-Ryul Kim ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  O-Sung Seo ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jong-In Kim ,  Jae-Jin Song

发明人： Sung-Ryul Kim ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  O-Sung Seo ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jong-In Kim ,  Jae-Jin Song

IPC分类号： H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

摘要： A thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention comprises a substrate, a gate line formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the gate line, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer, and a data line formed on the semiconductor layer, wherein the data line comprises a lower data layer, an upper data layer, a data oxide layer, and a buffer layer, wherein the upper data layer and the buffer layer comprise a same material.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括基板，形成在基板上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的半导体层，以及数据 其中所述数据线包括下数据层，上数据层，数据氧化层和缓冲层，其中所述上数据层和所述缓冲层包括相同的材料。

公开(公告)号：US20130001567A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13604082

申请日：2012-09-05

申请人： Sung-Ryul KIM ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  O-Sung Seo ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jong-In Kim ,  Jae-Jin Song

发明人： Sung-Ryul KIM ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  O-Sung Seo ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jong-In Kim ,  Jae-Jin Song

IPC分类号： H01L33/08

CPC分类号： H01L29/78603 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

摘要： A thin film transistor array panel according to an exemplary embodiment of the present invention comprises a substrate, a gate line formed on the substrate, a gate insulating layer formed on the gate line, a semiconductor layer formed on the gate insulating layer, and a data line formed on the semiconductor layer, wherein the data line comprises a lower data layer, an upper data layer, a data oxide layer, and a buffer layer, wherein the upper data layer and the buffer layer comprise a same material.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管阵列面板包括基板，形成在基板上的栅极线，形成在栅极线上的栅极绝缘层，形成在栅极绝缘层上的半导体层，以及数据 其中所述数据线包括下数据层，上数据层，数据氧化层和缓冲层，其中所述上数据层和所述缓冲层包括相同的材料。

公开(公告)号：US08865528B2

公开(公告)日：2014-10-21

申请号：US12844356

申请日：2010-07-27

申请人： Jean-Ho Song ,  Shin-Il Choi ,  Sun-Young Hong ,  Shi-Yul Kim ,  Ki-Yeup Lee ,  Jae-Hyoung Youn ,  Sung-Ryul Kim ,  O-Sung Seo ,  Yang-Ho Bae ,  Jong-Hyun Choung ,  Dong-Ju Yang ,  Bong-Kyun Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Pil-Soon Hong ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Yu-Gwang Jeong ,  Jong-In Kim ,  Nam-Seok Suh

发明人： Jean-Ho Song ,  Shin-Il Choi ,  Sun-Young Hong ,  Shi-Yul Kim ,  Ki-Yeup Lee ,  Jae-Hyoung Youn ,  Sung-Ryul Kim ,  O-Sung Seo ,  Yang-Ho Bae ,  Jong-Hyun Choung ,  Dong-Ju Yang ,  Bong-Kyun Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Pil-Soon Hong ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Yu-Gwang Jeong ,  Jong-In Kim ,  Nam-Seok Suh

IPC分类号： H01L21/84 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/124 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/458 ,  H01L29/78669

摘要： A thin film transistor array panel includes a gate line, a gate insulating layer that covers the gate line, a semiconductor layer that is disposed on the gate insulating layer, a data line and drain electrode that are disposed on the semiconductor layer, a passivation layer that covers the data line and drain electrode and has a contact hole that exposes a portion of the drain electrode, and a pixel electrode that is electrically connected to the drain electrode through the contact hole. The data line and drain electrode each have a double layer that includes a lower layer of titanium and an upper layer of copper, and the lower layer is wider than the upper layer, and the lower layer has a region that is exposed. The gate insulating layer may have a step shape.

摘要翻译： 薄膜晶体管阵列面板包括栅极线，覆盖栅极线的栅极绝缘层，设置在栅极绝缘层上的半导体层，设置在半导体层上的数据线和漏极，钝化层 覆盖数据线和漏电极，并且具有露出漏电极的一部分的接触孔，以及通过接触孔与漏电极电连接的像素电极。 数据线和漏极各自具有包括钛的下层和铜的上层的双层，下层比上层宽，下层具有暴露的区域。 栅极绝缘层可以具有台阶形状。

公开(公告)号：US08946025B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US12931516

申请日：2011-02-03

申请人： Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jean-Ho Song ,  Jong-In Kim

发明人： Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jean-Ho Song ,  Jong-In Kim

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L27/14 ,  H01L31/036 ,  H01L23/48 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/124 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a thin film according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming the thin film at a power density in the range of approximately 1.5 to approximately 3 W/cm2 and at a pressure of an inert gas that is in the range of approximately 0.2 to approximately 0.3 Pa. This process results in an amorphous metal thin film barrier layer that prevents undesired diffusion from adjacent layers, even when this barrier layer is thinner than many conventional barrier layers.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施方案的薄膜的形成方法包括以大约1.5至大约3W / cm 2的功率密度和处于该范围内的惰性气体的压力形成薄膜 大约0.2至大约0.3Pa。这个过程产生一个非晶金属薄膜阻挡层，防止相邻层的不期望的扩散，即使该阻挡层比许多传统的阻挡层薄。

公开(公告)号：US20110186843A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12931516

申请日：2011-02-03

申请人： Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jean-Ho Song ,  Jong-In Kim

发明人： Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Jae-Hyoung Youn ,  Jean-Ho Song ,  Jong-In Kim

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L23/52 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC分类号： H01L27/124 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L23/4827 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A method for forming a thin film according to an exemplary embodiment of the present invention includes forming the thin film at a power density in the range of approximately 1.5 to approximately 3 W/cm2 and at a pressure of an inert gas that is in the range of approximately 0.2 to approximately 0.3 Pa. This process results in an amorphous metal thin film barrier layer that prevents undesired diffusion from adjacent layers, even when this barrier layer is thinner than many conventional barrier layers.

摘要翻译： 根据本发明的示例性实施方式的薄膜形成方法包括以大约1.5至大约3W / cm 2的功率密度形成薄膜，并且在惰性气体的压力范围内 大约0.2至大约0.3Pa。这个过程产生一个非晶金属薄膜阻挡层，防止相邻层的不期望的扩散，即使该阻挡层比许多传统的阻挡层更薄。

公开(公告)号：US20110175088A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US13004665

申请日：2011-01-11

申请人： Jong In Kim ,  Young-Wook Lee ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Yoon ,  Sung-Ryul Kim ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Woo-Geun Lee

发明人： Jong In Kim ,  Young-Wook Lee ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Yoon ,  Sung-Ryul Kim ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Woo-Geun Lee

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A thin-film transistor (TFT) substrate having reduced defects is fabricated using a reduced number of masks. The TFT substrate includes gate wiring formed on a substrate. The gate wiring includes a gate electrode. A semiconductor pattern is formed on the gate wiring. An etch-stop pattern is formed on the semiconductor pattern. Data wiring includes a source electrode which is formed on the semiconductor pattern and the etch-stop pattern. Each of the gate wiring and the data wiring includes a copper-containing layer and a buffer layer formed on or under the copper-containing layer.

摘要翻译： 使用减少数量的掩模制造具有减少的缺陷的薄膜晶体管（TFT）基板。 TFT基板包括形成在基板上的栅极布线。 栅极布线包括栅电极。 在栅极布线上形成半导体图形。 在半导体图案上形成蚀刻停止图案。 数据布线包括形成在半导体图案上的源电极和蚀刻停止图案。 栅极布线和数据布线中的每一个包括在含铜层上形成的含铜层和缓冲层。

公开(公告)号：US08624238B2

公开(公告)日：2014-01-07

申请号：US13004665

申请日：2011-01-11

申请人： Jong-In Kim ,  Young-Wook Lee ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Yoon ,  Sung-Ryul Kim ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Woo-Geun Lee

发明人： Jong-In Kim ,  Young-Wook Lee ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Yoon ,  Sung-Ryul Kim ,  Byeong-Beom Kim ,  Je-Hyeong Park ,  Woo-Geun Lee

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

摘要： A thin-film transistor (TFT) substrate having reduced defects is fabricated using a reduced number of masks. The TFT substrate includes gate wiring formed on a substrate. The gate wiring includes a gate electrode. A semiconductor pattern is formed on the gate wiring. An etch-stop pattern is formed on the semiconductor pattern. Data wiring includes a source electrode which is formed on the semiconductor pattern and the etch-stop pattern. Each of the gate wiring and the data wiring includes a copper-containing layer and a buffer layer formed on or under the copper-containing layer.

摘要翻译： 使用减少数量的掩模制造具有减少的缺陷的薄膜晶体管（TFT）基板。 TFT基板包括形成在基板上的栅极布线。 栅极布线包括栅电极。 在栅极布线上形成半导体图形。 在半导体图案上形成蚀刻停止图案。 数据布线包括形成在半导体图案上的源电极和蚀刻停止图案。 栅极布线和数据布线中的每一个包括在含铜层上形成的含铜层和缓冲层。

公开(公告)号：US08174020B2

公开(公告)日：2012-05-08

申请号：US12556277

申请日：2009-09-09

申请人： Young-Wook Lee ,  Hong-Suk Yoo ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  Woo-Geun Lee ,  Ki-Won Kim ,  Jong-In Kim

发明人： Young-Wook Lee ,  Hong-Suk Yoo ,  Jean-Ho Song ,  Jae-Hyoung Youn ,  Woo-Geun Lee ,  Ki-Won Kim ,  Jong-In Kim

IPC分类号： H01L27/14

CPC分类号： H01L29/66742 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

摘要： A thin film transistor substrate according to an embodiment of the present invention includes: an insulation substrate; a gate line formed on the insulation substrate; a first interlayer insulating layer formed on the gate line; a data line and a gate electrode formed on the first interlayer insulating layer; a gate insulating layer formed on the data line and gate electrode; a semiconductor formed on the gate insulating layer and overlapping the gate electrode; a second interlayer insulating layer formed on the semiconductor; a first connection formed on the second interlayer insulating layer and electrically connecting the gate line and the gate electrode to each other; a drain electrode connected to the semiconductor; a pixel electrode connected to the drain electrode; and a second connection connecting the data line and the semiconductor to each other.

摘要翻译： 根据本发明实施例的薄膜晶体管基板包括：绝缘基板; 形成在所述绝缘基板上的栅极线; 形成在栅极线上的第一层间绝缘层; 形成在所述第一层间绝缘层上的数据线和栅电极; 形成在数据线和栅电极上的栅极绝缘层; 形成在栅极绝缘层上并与栅电极重叠的半导体; 形成在所述半导体上的第二层间绝缘层; 形成在所述第二层间绝缘层上并将所述栅极线和所述栅电极彼此电连接的第一连接; 连接到半导体的漏电极; 连接到所述漏电极的像素电极; 以及将数据线和半导体彼此连接的第二连接。