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    MINIMALLY INVASIVE SURGICAL INSTRUMENT HAVING IMPROVED JOINT PART
    1.
    发明申请
    MINIMALLY INVASIVE SURGICAL INSTRUMENT HAVING IMPROVED JOINT PART 审中-公开
    具有改进联合部分的微型外科手术器械

    公开(公告)号：US20140214013A1

    公开(公告)日：2014-07-31

    申请号：US14342230

    申请日：2012-08-29

    申请人： Chang Wook Jeong ,  Chun Chol Sin ,  Sung Ryul Kim ,  Hyung Tae Kim

    发明人： Chang Wook Jeong ,  Chun Chol Sin ,  Sung Ryul Kim ,  Hyung Tae Kim

    IPC分类号： A61B17/00

    CPC分类号： A61B17/00234 ,  A61B17/07207 ,  A61B17/29 ,  A61B2017/00314 ,  A61B2017/2929 ,  A61B2017/2931

    摘要： The present invention relates to a minimally invasive surgical instrument having an improved joint. According to one aspect of the present invention, provided is a minimally invasive surgical instrument including a shaft, a joint part which is coupled to one end of the shaft, and an end effector which is coupled to the joint part and can effect joint movement thereby. The joint part comprises a plurality of joint links, and a joint for pitch-direction operation and a joint for yaw direction operation, the joints being formed by interposing at least one of the plurality of joint links.

    摘要翻译： 本发明涉及一种具有改进关节的微创手术器械。 根据本发明的一个方面，提供了一种微创手术器械，其包括轴，联接到所述轴的一端的接合部分，以及联接到所述关节部分并且可以实现关节运动的端部执行器 。 接头部分包括多个接头连接件，以及用于俯仰方向操作的接头和用于偏转方向操作的接头，所述接头通过插入所述多个接头连杆中的至少一个而形成。

    Optical sensor
    3.
    发明授权
    Optical sensor 有权
    光学传感器

    公开(公告)号：US08598587B2

    公开(公告)日：2013-12-03

    申请号：US13209188

    申请日：2011-08-12

    申请人： Yun Jong Yeo ,  Hong-Kee Chin ,  Byeong Hoon Cho ,  Ki-Hun Jeong ,  Jung Suk Bang ,  Woong Kwon Kim ,  Sung Ryul Kim ,  Dae Cheol Kim ,  Kun-Wook Han

    发明人： Yun Jong Yeo ,  Hong-Kee Chin ,  Byeong Hoon Cho ,  Ki-Hun Jeong ,  Jung Suk Bang ,  Woong Kwon Kim ,  Sung Ryul Kim ,  Dae Cheol Kim ,  Kun-Wook Han

    IPC分类号： H01L31/0376

    CPC分类号： G06F3/0412 ,  G06F3/0421 ,  G06F2203/04103

    摘要： An optical sensor preventing damage to a semiconductor layer, and preventing a disconnection and a short circuit of a source electrode and a drain electrode, and a manufacturing method of the optical sensor is provided. The optical sensor includes: a substrate; an infrared ray sensing thin film transistor including a first semiconductor layer disposed on the substrate; a visible ray sensing thin film transistor including a second semiconductor layer disposed on the substrate; a switching thin film transistor including a third semiconductor layer disposed on the substrate; and a semiconductor passivation layer enclosing an upper surface and a side surface of an end portion of at least one of the first semiconductor layer, the second semiconductor layer, and the third semiconductor layer.

    摘要翻译： 提供了防止半导体层损坏并防止源电极和漏极的断开和短路的光学传感器以及光学传感器的制造方法。 光学传感器包括：基板; 包括设置在所述基板上的第一半导体层的红外线感测薄膜晶体管; 包括设置在所述基板上的第二半导体层的可见光线感测薄膜晶体管; 开关薄膜晶体管，其包括设置在所述基板上的第三半导体层; 以及半导体钝化层，其包围第一半导体层，第二半导体层和第三半导体层中的至少一个的端部的上表面和侧面。

    Display substrate having quantum well for improved electron mobility and display device including the same
    4.
    发明授权
    Display substrate having quantum well for improved electron mobility and display device including the same 有权
    具有用于改善电子迁移率的量子阱的显示基板和包括该电子迁移率的显示装置

    公开(公告)号：US08319905B2

    公开(公告)日：2012-11-27

    申请号：US12353152

    申请日：2009-01-13

    申请人： Kap-Soo Yoon ,  Sung-Hoon Yang ,  Sung-Ryul Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Jae-Ho Choi ,  Yong-Mo Choi

    发明人： Kap-Soo Yoon ,  Sung-Hoon Yang ,  Sung-Ryul Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Jae-Ho Choi ,  Yong-Mo Choi

    IPC分类号： G02F1/1368 ,  H01L29/10

    CPC分类号： G02F1/1368 ,  G02F2202/108 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869

    摘要： Provided are a display substrate and a display device including the same. The display substrate includes: gate wiring; a first semiconductor pattern formed on the gate wiring and having a first energy bandgap; a second semiconductor pattern formed on the first semiconductor pattern and having a second energy bandgap which is greater than the first energy bandgap; data wiring formed on the first semiconductor pattern; and a pixel electrode electrically connected to the data wiring. Because the second energy bandgap is larger than the first energy bandgap, a quantum well is formed in the first semiconductor pattern, enhancing electron mobility therein.

    摘要翻译： 提供了一种显示基板和包括该基板的显示装置。 显示基板包括：栅极布线; 形成在所述栅极布线上并具有第一能量带隙的第一半导体图案; 形成在所述第一半导体图案上并具有大于所述第一能带隙的第二能带隙的第二半导体图案; 形成在第一半导体图案上的数据布线; 以及与数据配线电连接的像素电极。 由于第二能量带隙大于第一能带隙，所以在第一半导体图案中形成量子阱，增强其中的电子迁移率。

    Thin film transistor array panel
    6.
    发明授权
    Thin film transistor array panel 有权
    薄膜晶体管阵列面板

    公开(公告)号：US08183570B2

    公开(公告)日：2012-05-22

    申请号：US12946953

    申请日：2010-11-16

    申请人： Dong-Gyu Kim ,  Sung-Haeng Cho ,  Hyung-Jun Kim ,  Sung-Ryul Kim ,  Yong-Mo Choi

    发明人： Dong-Gyu Kim ,  Sung-Haeng Cho ,  Hyung-Jun Kim ,  Sung-Ryul Kim ,  Yong-Mo Choi

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： G02F1/136213 ,  H01L27/1255

    摘要： A thin film transistor array panel, in which a middle storage electrode and a storage electrode overlapping a drain electrode of a thin film transistor thereby forming a storage capacitance are formed. Accordingly, sufficient storage capacitance may be formed without a decrease of the aperture ratio and light transmittance of a liquid crystal display. Also, the capacitance may be sufficiently formed through the connecting member connected to a gate metal layer.

    摘要翻译： 一种薄膜晶体管阵列面板，其中形成中间存储电极和与薄膜晶体管的漏极重叠从而形成存储电容的存储电极。 因此，可以形成足够的存储电容，而不会降低液晶显示器的开口率和透光率。 此外，可以通过连接到栅极金属层的连接构件充分形成电容。

    THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL
    9.
    发明申请
    THIN FILM TRANSISTOR ARRAY PANEL 有权
    薄膜晶体管阵列

    公开(公告)号：US20110057194A1

    公开(公告)日：2011-03-10

    申请号：US12946953

    申请日：2010-11-16

    申请人： DONG-GYU KIM ,  Sung-Haeng Cho ,  Hyung-Jun Kim ,  Sung-Ryul Kim ,  Yong-Mo Choi

    发明人： DONG-GYU KIM ,  Sung-Haeng Cho ,  Hyung-Jun Kim ,  Sung-Ryul Kim ,  Yong-Mo Choi

    IPC分类号： H01L33/16

    CPC分类号： G02F1/136213 ,  H01L27/1255

    摘要： A thin film transistor array panel, in which a middle storage electrode and a storage electrode overlapping a drain electrode of a thin film transistor thereby forming a storage capacitance are formed. Accordingly, sufficient storage capacitance may be formed without a decrease of the aperture ratio and light transmittance of a liquid crystal display. Also, the capacitance may be sufficiently formed through the connecting member connected to a gate metal layer.

    摘要翻译： 一种薄膜晶体管阵列面板，其中形成中间存储电极和与薄膜晶体管的漏极重叠从而形成存储电容的存储电极。 因此，可以形成足够的存储电容，而不会降低液晶显示器的开口率和透光率。 此外，可以通过连接到栅极金属层的连接构件充分形成电容。

    THIN-FILM TRANSISTOR DISPLAY PANEL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
    10.
    发明申请
    THIN-FILM TRANSISTOR DISPLAY PANEL AND METHOD OF FABRICATING THE SAME 有权
    薄膜晶体管显示面板及其制造方法

    公开(公告)号：US20100059745A1

    公开(公告)日：2010-03-11

    申请号：US12499009

    申请日：2009-07-07

    申请人： Kap-Soo Yoon ,  Ki-Won Kim ,  Sung-Ryul Kim ,  Sung-Hoon Yang ,  Woo-Geun Lee

    发明人： Kap-Soo Yoon ,  Ki-Won Kim ,  Sung-Ryul Kim ,  Sung-Hoon Yang ,  Woo-Geun Lee

    IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/34

    CPC分类号： H01L27/1248 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/7869

    摘要： Provided are a thin-film transistor (TFT) display panel having improved electrical properties that can be fabricated time-effectively and a method of fabricating the TFT display panel. The TFT display panel includes: gate wirings which are formed on an insulating substrate; oxide active layer patterns which are formed on the gate wirings; data wirings which are formed on the oxide active layer patterns to cross the gate wirings; a passivation layer which is formed on the oxide active layer patterns and the data wirings and is made of silicon nitride (SiNx); and a pixel electrode which is formed on the passivation layer.

    摘要翻译： 提供了一种薄膜晶体管（TFT）显示面板，其具有可以有效制造的改进的电气特性和制造TFT显示面板的方法。 TFT显示面板包括：形成在绝缘基板上的栅极布线; 形成在栅极布线上的氧化物有源层图案; 形成在氧化物有源层图案上以跨过栅极布线的数据布线; 形成在氧化物有源层图案和数据布线上并由氮化硅（SiNx）制成的钝化层; 以及形成在钝化层上的像素电极。