公开(公告)号：US4766477A

公开(公告)日：1988-08-23

申请号：US885336

申请日：1986-07-11

申请人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Yutaka Hirai ,  Takashi Nakagiri

发明人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Yutaka Hirai ,  Takashi Nakagiri

IPC分类号： G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/203 ,  H01L21/205 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0368

CPC分类号： H01L31/03682 ,  H01L29/04 ,  H01L29/167 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78675 ,  Y02E10/546 ,  Y10S148/122

摘要： A semiconductor device mainly comprises a semiconductor layer of a polycrystalline silicon film containing at least one atom selected from the group consisting of carbon, sulfur, nitrogen and oxygen as a constituent.

摘要翻译： 半导体器件主要包括含有选自由碳，硫，氮和氧组成的组中的至少一个原子的多晶硅膜的半导体层。

公开(公告)号：US4740829A

公开(公告)日：1988-04-26

申请号：US937432

申请日：1986-12-03

申请人： Takashi Nakagiri ,  Yutaka Hirai ,  Yoshiyuki Osada

发明人： Takashi Nakagiri ,  Yutaka Hirai ,  Yoshiyuki Osada

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/786 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78684 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/1136 ,  Y02E10/546

摘要： A semiconductor device comprises a polycrystalline semiconductor thin film layer comprising germanium atoms as a matrix and containing 3 atomic % or less of hydrogen atoms.

摘要翻译： 半导体器件包括包含锗原子作为基体并且含有3原子％以下的氢原子的多晶半导体薄膜层。

公开(公告)号：US4719501A

公开(公告)日：1988-01-12

申请号：US815113

申请日：1985-12-26

申请人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yutaka Hirai ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Takashi Nakagiri

发明人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yutaka Hirai ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Takashi Nakagiri

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L31/0368 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18

CPC分类号： H01L21/28537 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/8126 ,  H01L29/872 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/108 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/546

摘要： A semiconductor element is mainly composed of a polycrystalline Si thin film layer containing 0.01-3 atomic %, and further having a maximum surface unevenness of substantially not more than 800 .ANG. and/or a particular range of etching rate when etched with a predetermined etchant.

摘要翻译： 半导体元件主要由含有0.01-3原子％的多晶Si薄膜层构成，并且当用预定的蚀刻剂进行蚀刻时，还具有基本上不大于800的最大表面凹凸和/或蚀刻速率的特定范围。

公开(公告)号：US4814842A

公开(公告)日：1989-03-21

申请号：US201259

申请日：1988-05-25

申请人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yutaka Hirai ,  Satoshi Omata ,  Yoshiyuki Osada ,  Takashi Nakagiri

发明人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yutaka Hirai ,  Satoshi Omata ,  Yoshiyuki Osada ,  Takashi Nakagiri

IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/78618 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78684

摘要： A thin film transistor comprises a substrate, a semiconductor layer comprising a polycrystalline silicon containing 3 atomic % or less of hydrogen provided on said substrate, a source region and a drain region provided in the surface part of said semiconductor layer, an insulating layer provided on said semiconductor layer at the portion between these two regions, a gate electrode provided on said insulating layer, a source electrode forming an electrical contact with the source region and a drain electrode forming an electrical contact with the drain region, the overlapping portions between said gate electrode through the insulating layer beneath said gate electrode and the source region and between said gate electrode through the insulating layer beneath said gate electrode and the drain region begin 2000 .ANG. or less in width.

摘要翻译： 薄膜晶体管包括衬底，包括设置在所述衬底上的含有3原子％以下的氢的多晶硅的半导体层，设置在所述半导体层的表面部分中的源极区域和漏极区域，设置在所述衬底上的绝缘层 所述半导体层位于这两个区域之间的部分，设置在所述绝缘层上的栅电极，与源区形成电接触的源电极和与漏区形成电接触的漏极，所述栅之间的重叠部分 通过栅极电极和源极区域之间的绝缘层以及位于所述栅极电极和漏极区域之下的绝缘层的所述栅极电极之间的电极开始宽度为2000或更小。

公开(公告)号：US5485020A

公开(公告)日：1996-01-16

申请号：US286989

申请日：1994-08-08

申请人： Yutaka Hirai ,  Yoshiyuki Osada ,  Takashi Nakagiri ,  Katsunori Hatanaka

发明人： Yutaka Hirai ,  Yoshiyuki Osada ,  Takashi Nakagiri ,  Katsunori Hatanaka

IPC分类号： H01L23/522 ,  H01L29/786 ,  H01L29/04 ,  H01L31/20

CPC分类号： H01L23/522 ,  H01L29/78618 ,  H01L2924/0002

摘要： In a semiconductor device comprising a wiring to be connected to the source region or the drain region of a thin film transistor, at least a portion of the wiring comprising a wiring part having the same cross-sectional structure as said source region or said drain region, and said wiring part being formed continuously with said source region or said drain region simultaneously with the respective end portions of said wiring portions, said source region and said drain region formed in such a manner that the edge thereof is set back from the end of the semiconductor layer constituting the thin film transistor.

摘要翻译： 在包括要连接到薄膜晶体管的源极区域或漏极区域的布线的半导体器件中，布线的至少一部分包括具有与所述源极区域或漏极区域相同的横截面结构的布线部分 并且所述布线部分与所述源极区域或所述漏极区域连续形成，所述布线部分与所述布线部分的相应端部同时形成，所述源极区域和所述漏极区域形成为使得其边缘从 构成薄膜晶体管的半导体层。

公开(公告)号：US4982251A

公开(公告)日：1991-01-01

申请号：US511952

申请日：1990-04-17

申请人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yutaka Hirai ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Takashi Nakagiri

发明人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yutaka Hirai ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Takashi Nakagiri

IPC分类号： G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L21/205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L29/66757 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78675

摘要： A semiconductor element comprises its main part constituted of a polycrystalline silicon semiconductor layer containing 0.01 to 1 atomic % of fluorine atoms.

摘要翻译： 半导体元件的主要部分由含有0.01〜1原子％的氟原子的多晶硅半导体层构成。

公开(公告)号：US4905072A

公开(公告)日：1990-02-27

申请号：US188677

申请日：1988-04-29

申请人： Toshiyuki Komatsu ,  Yutaka Hirai ,  Katsumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Takashi Nakagiri

发明人： Toshiyuki Komatsu ,  Yutaka Hirai ,  Katsumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Takashi Nakagiri

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L29/04

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/30604 ,  H01L2924/0002

摘要： A semiconductor device comprises a semiconductor layer of a polycrystalline silicon thin film containing not more than 3 atomic % hydrogen atoms and having a surface unevenness of not more than 800 .ANG. at its maximum. It may also have an etching rate of 20 .ANG./sec. when etched with a mixture of HF, HNO.sub.3 and glacial acetic acid (1:3:6).

摘要翻译： 半导体器件包括含有不超过3原子％氢原子并且表面不均匀度最大不超过800的多晶硅薄膜的半导体层。 它也可能具有20安培/秒的蚀刻速率。 当用HF，HNO 3和冰醋酸（1:3:6）的混合物蚀刻时。

公开(公告)号：US4625224A

公开(公告)日：1986-11-25

申请号：US456717

申请日：1983-01-10

申请人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Yutaka Hirai ,  Takashi Nakagiri

发明人： Katsumi Nakagawa ,  Toshiyuki Komatsu ,  Yoshiyuki Osada ,  Satoshi Omata ,  Yutaka Hirai ,  Takashi Nakagiri

IPC分类号： H01L29/78 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/12 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L29/78684 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78675

摘要： A semiconductor element having a main part of a polycrystalline silicon semiconductor layer containing 0.01 to 5 atomic % of chlorine atoms.

摘要翻译： 具有含有0.01〜5原子％的氯原子的多晶硅半导体层的主要部分的半导体元件。

公开(公告)号：US4695717A

公开(公告)日：1987-09-22

申请号：US725497

申请日：1985-04-22

申请人： Yutaka Hirai ,  Masahiro Haruta ,  Yukuo Nishimura ,  Hiroshi Matsuda ,  Takashi Nakagiri

发明人： Yutaka Hirai ,  Masahiro Haruta ,  Yukuo Nishimura ,  Hiroshi Matsuda ,  Takashi Nakagiri

IPC分类号： H01L31/09 ,  H01L31/14 ,  H01L51/30 ,  H04N1/028 ,  H01J31/50

CPC分类号： H04N1/028 ,  H01L31/095 ,  H01L31/141 ,  H01L51/0054 ,  H01L51/0064 ,  H01L51/42

摘要： A semi-conductor device comprising a lamination of a photoconductive layer, a charge-retaining layer and a display layer, provided between electroconductive films, and an electronic apparatus utilizing said semi-conductor device are provided.

摘要翻译： 提供了一种半导体器件，其包括设置在导电膜之间的光电导层，电荷保持层和显示层的叠层以及利用所述半导体器件的电子设备。

公开(公告)号：US4479149A

公开(公告)日：1984-10-23

申请号：US160160

申请日：1980-06-17

申请人： Seishiro Yoshioka ,  Yutaka Hirai ,  Tadaji Fukuda ,  Masaki Fukaya ,  Takashi Nakagiri

发明人： Seishiro Yoshioka ,  Yutaka Hirai ,  Tadaji Fukuda ,  Masaki Fukaya ,  Takashi Nakagiri

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N1/195 ,  H04N1/02 ,  H04N1/10

CPC分类号： H04N1/1951 ,  H01L27/14665 ,  H04N1/19505 ,  H04N1/19531 ,  H04N1/19563 ,  H04N1/19584

摘要： A photo-electric converter principally constructed with a photo-electric conversion unit wherein m.times.n photo-electric conversion elements, each having a light receiving window to form a pel and constructed with a layer of light receiving body and two electrodes provided on both sides thereof, are arranged two-dimensionally in an array of m ranks and n files, and wherein the light receiving windows of the photo-electric conversion elements constituting a rank are arranged at an equally spaced pitch of an integral multiple of that of pels. A signal processing circuit processes and produces as an output a signal which has been subjected to the photo-electric conversion in the photo-electric conversion unit.

摘要翻译： 一种光电转换器，主要由光电转换单元构成，其中mxn光电转换元件，每个光电转换元件具有形成像素的光接收窗口，并且由两层设置的光接收体和两个电极构成， 以m行和n档的阵列二维地排列，并且其中构成秩的光电转换元件的光接收窗口以与像素的整数倍的等间隔的间距排列。 信号处理电路在光电转换单元中处理并产生已经经过光电转换的信号作为输出。