公开(公告)号：US08025759B2

公开(公告)日：2011-09-27

申请号：US10559815

申请日：2004-07-01

申请人： Tatsuya Sasaki ,  Naoshi Yamada ,  Yoshifumi Katsumata ,  Noburu Shimizu ,  Seiryo Tsuno ,  Takashi Mitsuya

发明人： Tatsuya Sasaki ,  Naoshi Yamada ,  Yoshifumi Katsumata ,  Noburu Shimizu ,  Seiryo Tsuno ,  Takashi Mitsuya

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC分类号： B24B49/03 ,  B24B37/042 ,  H01L21/3212

摘要： A polishing apparatus has a polishing section (302) configured to polish a substrate and a measurement section (307) configured to measure a thickness of a film formed on the substrate. The polishing apparatus also has an interface (310) configured to input a desired thickness of a film formed on a substrate to be polished and a storage device (308a) configured to store polishing rate data on at least one past substrate therein. The polishing apparatus includes an arithmetic unit (308b) operable to calculate a polishing rate and an optimal polishing time based on the polishing rate data and the desired thickness by using a weighted average method which weights the polishing rate data on a lately polished substrate.

摘要翻译： 抛光装置具有：抛光部（302），被配置为对基板进行抛光;以及测量部（307），被配置为测量形成在基板上的膜的厚度。 抛光装置还具有被配置为输入形成在待抛光的基板上的膜的期望厚度的接口（310）和被配置为在其中至少一个过去的基板上存储抛光速率数据的存储装置（308a）。 抛光装置包括运算单元（308b），其通过使用加权平均法来计算抛光速率和基于抛光速率数据和期望厚度的最佳抛光时间，该加权平均法将抛光速率数据加权到最近抛光的基底上。

公开(公告)号：US20060166503A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US10559815

申请日：2004-07-01

申请人： Tatsuya Sasaki ,  Naoshi Yamada ,  Yoshifumi Katsumata ,  Noburu Shimizu ,  Seiryo Tsuno ,  Takashi Mitsuya

发明人： Tatsuya Sasaki ,  Naoshi Yamada ,  Yoshifumi Katsumata ,  Noburu Shimizu ,  Seiryo Tsuno ,  Takashi Mitsuya

IPC分类号： B24B49/00 ,  H01L21/461 ,  B24B51/00

CPC分类号： B24B49/03 ,  B24B37/042 ,  H01L21/3212

摘要： A polishing apparatus has a polishing section (302) configured to polish a substrate and a measurement section (307) configured to measure a thickness of a film formed on the substrate. The polishing apparatus also has an interface (310) configured to input a desired thickness of a film formed on a substrate to be polished and a storage device (308a) configured to store polishing rate data on at least one past substrate therein. The polishing apparatus includes an arithmetic unit (308b) operable to calculate a polishing rate and an optimal polishing time based on the polishing rate data and the desired thickness by using a weighted average method which weights the polishing rate data on a lately polished substrate.

摘要翻译： 抛光装置具有：抛光部（302），被配置为对基板进行抛光;以及测量部（307），被配置为测量形成在基板上的膜的厚度。 抛光装置还具有接口（310），其被配置为输入形成在待抛光的基板上的膜的期望厚度;以及存储装置（308a），被配置为将抛光速率数据存储在其中的至少一个过去的基板上。 抛光装置包括运算单元（308b），其通过使用加权平均法来计算基于抛光速率数据和期望厚度的抛光速率和最佳抛光时间，该加权平均法将抛光速率数据加权到最近抛光的基底上。

公开(公告)号：US08398811B2

公开(公告)日：2013-03-19

申请号：US13216576

申请日：2011-08-24

申请人： Tatsuya Sasaki ,  Naoshi Yamada ,  Yoshifumi Katsumata ,  Noburu Shimizu ,  Seiryo Tsuno ,  Takashi Mitsuya

发明人： Tatsuya Sasaki ,  Naoshi Yamada ,  Yoshifumi Katsumata ,  Noburu Shimizu ,  Seiryo Tsuno ,  Takashi Mitsuya

IPC分类号： B24B49/00

CPC分类号： B24B49/03 ,  B24B37/042 ,  H01L21/3212

摘要： A polishing apparatus has a polishing section (302) configured to polish a substrate and a measurement section (307) configured to measure a thickness of a film formed on the substrate. The polishing apparatus also has an interface (310) configured to input a desired thickness of a film formed on a substrate to be polished and a storage device (308a) configured to store polishing rate data on at least one past substrate therein. The polishing apparatus includes an arithmetic unit (308b) operable to calculate a polishing rate and an optimal polishing time based on the polishing rate data and the desired thickness by using a weighted average method which weights the polishing rate data on a lately polished substrate.

摘要翻译： 抛光装置具有：抛光部（302），被配置为对基板进行抛光;以及测量部（307），被配置为测量形成在基板上的膜的厚度。 抛光装置还具有被配置为输入形成在待抛光的基板上的膜的期望厚度的接口（310）和被配置为在其中至少一个过去的基板上存储抛光速率数据的存储装置（308a）。 抛光装置包括运算单元（308b），其通过使用加权平均法来计算抛光速率和基于抛光速率数据和期望厚度的最佳抛光时间，该加权平均法将抛光速率数据加权到最近抛光的基底上。

公开(公告)号：US08388409B2

公开(公告)日：2013-03-05

申请号：US12700917

申请日：2010-02-05

申请人： Hidetaka Nakao ,  Yasumitsu Kawabata ,  Yoshifumi Katsumata ,  Naoki Ozawa ,  Tatsuya Sasaki ,  Atsushi Shigeta

发明人： Hidetaka Nakao ,  Yasumitsu Kawabata ,  Yoshifumi Katsumata ,  Naoki Ozawa ,  Tatsuya Sasaki ,  Atsushi Shigeta

IPC分类号： B24B51/00

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12

摘要： A substrate polishing apparatus is provided for preventing excessive polishing and insufficient polishing, and enabling a quantitative setting of an additional polishing time. The substrate polishing apparatus comprises a mechanism for polishing a substrate to be polished; a film thickness measuring device for measuring the thickness of a thin film deposited on the substrate; an interface for entering a target thickness for the polished thin film; a storage area for preserving past polishing results; and a processing unit for calculating a polishing time and a polishing rate. The substrate polishing apparatus builds an additional polishing database for storing data acquired from the result of additional polishing in the storage area.

摘要翻译： 提供了用于防止过度抛光和研磨不足的基板抛光装置，并且能够定量设定额外的抛光时间。 基板抛光装置包括用于抛光待抛光的基板的机构; 用于测量沉积在基板上的薄膜的厚度的膜厚测量装置; 用于输入抛光薄膜的目标厚度的界面; 用于保留过去抛光结果的存储区域; 以及用于计算抛光时间和抛光速率的处理单元。 衬底抛光装置构建另外的抛光数据库，用于存储从存储区域中的附加抛光结果获取的数据。

公开(公告)号：US20050142991A1

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：US11013912

申请日：2004-12-17

申请人： Hidetaka Nakao ,  Yasumitsu Kawabata ,  Yoshifumi Katsumata ,  Naoki Ozawa ,  Tatsuya Sasaki ,  Atsushi Shigeta

发明人： Hidetaka Nakao ,  Yasumitsu Kawabata ,  Yoshifumi Katsumata ,  Naoki Ozawa ,  Tatsuya Sasaki ,  Atsushi Shigeta

IPC分类号： B24B51/00 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12 ,  B24D7/12 ,  H01L21/304 ,  B24B7/00 ,  B24B9/00 ,  H01L21/76

CPC分类号： B24B37/013 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12

摘要： A substrate polishing apparatus is provided for preventing excessive polishing and insufficient polishing, and enabling a quantitative setting of an additional polishing time. The substrate polishing apparatus comprises a mechanism for polishing a substrate to be polished; a film thickness measuring device for measuring the thickness of a thin film deposited on the substrate; an interface for entering a target thickness for the polished thin film; a storage area for preserving past polishing results; and a processing unit for calculating a polishing time and a polishing rate. The substrate polishing apparatus builds an additional polishing database for storing data acquired from the result of additional polishing in the storage area.

摘要翻译： 提供了用于防止过度抛光和研磨不足的基板抛光装置，并且能够定量设定额外的抛光时间。 基板抛光装置包括用于抛光待抛光的基板的机构; 用于测量沉积在基板上的薄膜的厚度的膜厚测量装置; 用于输入抛光薄膜的目标厚度的界面; 用于保存过去抛光结果的存储区域; 以及用于计算抛光时间和抛光速率的处理单元。 基板抛光装置构建另外的抛光数据库，用于存储从存储区域中的附加抛光结果获取的数据。

公开(公告)号：US09458849B2

公开(公告)日：2016-10-04

申请号：US14350937

申请日：2012-01-11

申请人： Shin Sekiya ,  Raito Kawamura ,  Hideaki Maeyama ,  Shinichi Takahashi ,  Tatsuya Sasaki ,  Kanichiro Sugiura

发明人： Shin Sekiya ,  Raito Kawamura ,  Hideaki Maeyama ,  Shinichi Takahashi ,  Tatsuya Sasaki ,  Kanichiro Sugiura

IPC分类号： F03C2/00 ,  F03C4/00 ,  F04C2/00 ,  F04C18/08 ,  F04C18/344 ,  F04C29/02 ,  F01C21/08 ,  F04C18/32 ,  F04C18/352 ,  F04C23/00

CPC分类号： F04C18/08 ,  F01C21/0809 ,  F01C21/0836 ,  F04C18/321 ,  F04C18/3441 ,  F04C18/352 ,  F04C23/008 ,  F04C29/025 ,  F04C2240/603 ,  F04C2240/809

摘要： A gap between a vane tip and a cylinder inner circumferential surface is denoted by δ. If rv is set as in an Expression (1), a first vane rotates with the vane tip thereof being out of contact with the cylinder inner circumferential surface. In the vane compressor, wear at the tip of a vane is suppressed, loss due to sliding on bearings is reduced by supporting a rotating shaft portion with a small diameter, and accuracy in an outside diameter and center of rotation of a rotor portion is increased.

摘要翻译： 叶片尖端和气缸内周面之间的间隙由δ表示。 如果如式（1）那样设定rv，则第一叶片随其叶片端部与气缸内周面不接触而旋转。 在叶片式压缩机中，抑制叶片尖端的磨损，通过支撑小直径的旋转轴部来减小由于轴承上的滑动造成的损失，并且转子部的外径和旋转中心的精度提高 。

公开(公告)号：US09115716B2

公开(公告)日：2015-08-25

申请号：US13700634

申请日：2011-08-02

申请人： Shin Sekiya ,  Hideaki Maeyama ,  Shinichi Takahashi ,  Tetsuhide Yokoyama ,  Tatsuya Sasaki ,  Hideto Nakao ,  Hirotsugu Hayashi

发明人： Shin Sekiya ,  Hideaki Maeyama ,  Shinichi Takahashi ,  Masahiro Hayashi ,  Tetsuhide Yokoyama ,  Tatsuya Sasaki ,  Hideto Nakao

IPC分类号： F01C21/08 ,  F04C18/32 ,  F04C18/344 ,  F04C18/352 ,  F04C23/00 ,  F04C27/00

CPC分类号： F04C18/3442 ,  F01C21/0809 ,  F01C21/0836 ,  F04C18/321 ,  F04C18/3441 ,  F04C18/352 ,  F04C23/008 ,  F04C27/001 ,  F04C2240/20

摘要： There is provided a vane compressor with a plurality of vanes having a structure in which a rotor portion and a rotary shaft are unitarily formed so as to reduce bearing sliding loss of the rotary shaft and reduce gas leakage loss by narrowing a space formed between the rotor portion and the inner peripheral surface of a cylinder. In the vane compressor with the plurality of vanes according to the present invention, an angle α of a circular arc constituting the partial ring shape of each vane aligner satisfies a relationship of [ Equation ⁢ ⁢ 9 ] ⁢ α

摘要翻译： 提供了具有多个叶片的叶片式压缩机，其具有转子部分和旋转轴一体形成的结构，以便减少旋转轴的轴承滑动损失，并通过使形成在转子之间的空间变窄来减少气体泄漏损失 部分和圆筒的内周面。 在根据本发明的具有多个叶片的叶片式压缩机中，构成每个叶片对准器的部分环形的圆弧的角度α满足[等式9]α<2 tan -1 （1）其中R是每个衬套的旋转中心轴线和转子部分的旋转中心轴线之间的距离， e是圆筒的内周面的中心轴与转子部的旋转中心轴之间的距离，N（自然数为2以上）是叶片的数量。

公开(公告)号：US20110134498A1

公开(公告)日：2011-06-09

申请号：US12928020

申请日：2010-12-01

申请人： Kazuhide Ohta ,  Tatsuya Sasaki

发明人： Kazuhide Ohta ,  Tatsuya Sasaki

IPC分类号： G02B27/01 ,  G02B26/10

CPC分类号： G02B26/0816 ,  G02B7/1827 ,  G02B27/0093 ,  G02B27/01 ,  G02B2027/014 ,  G02B2027/0181

摘要： A reflection unit reflects an image indicated on an indicator and projects the image on a combiner to indicate a virtual image of the image at a position viewable for a user. A stepping motor rotates the reflection unit to move the virtual image continuously in a predetermined section of the combiner. A control unit controls a driving power of the stepping motor such that a smoothness parameter becomes less than a predetermined value. The smoothness parameter is defined by a division of a difference between the maximum speed of the virtual image and an average speed of the virtual image, when the virtual image moves continuously in the predetermined section, by the average speed.

摘要翻译： 反射单元反映指示符上指示的图像，并将图像投影在组合器上，以在可以为用户可见的位置处指示图像的虚拟图像。 步进电机旋转反射单元以在组合器的预定部分中连续移动虚像。 控制单元控制步进电动机的驱动力，使得平滑度参数变得小于预定值。 平滑度参数是通过虚拟图像的最大速度与虚拟图像的平均速度之间的差的除法来定义的，当虚拟图像在预定部分中连续移动平均速度时。

公开(公告)号：US20100200863A1

公开(公告)日：2010-08-12

申请号：US11917124

申请日：2006-07-06

申请人： Tatsuya Sasaki ,  Kazuhiro Shiba ,  Shigeru Koumoto ,  Masayoshi Sumino

发明人： Tatsuya Sasaki ,  Kazuhiro Shiba ,  Shigeru Koumoto ,  Masayoshi Sumino

IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01L21/28575 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/452 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22

摘要： A first layer containing Ti as a constituent element, a second layer containing Nb as a constituent element, and a third layer containing Au as a constituent element are formed on a GaN substrate 11. Thereafter, the GaN substrate 11 and the first to third layers are kept at 700° C. or higher and at 1300° C. or lower. This allows a metal oxide of Ti to be distributed to extend from the interface between the GaN substrate 11 and the electrode 14 over to the inside of the electrode 14. Further, a metal nitride of Nb is formed in the inside of the GaN substrate 11. The metal nitride of Nb will be distributed to extend from the inside of the electrode 14 over to the inside of the GaN substrate 11.

摘要翻译： 在GaN衬底11上形成包含Ti作为构成元素的第一层，含有Nb作为构成元素的第二层和含有Au作为构成元素的第三层。此后，GaN衬底11和第一至第三层 保持在700℃以上且1300℃以下。 这允许Ti的金属氧化物从GaN衬底11和电极14之间的界面延伸到电极14的内部。此外，在GaN衬底11的内部形成Nb的金属氮化物 Nb的金属氮化物将从电极14的内部扩散到GaN衬底11的内部。

公开(公告)号：US20100032839A1

公开(公告)日：2010-02-11

申请号：US12519698

申请日：2007-12-11

申请人： Shigeru Koumoto ,  Tatsuya Sasaki ,  Kazuhiro Shiba ,  Masayoshi Sumino

发明人： Shigeru Koumoto ,  Tatsuya Sasaki ,  Kazuhiro Shiba ,  Masayoshi Sumino

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L21/28575 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0421 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/2009 ,  H01S5/22 ,  H01S5/32341

摘要： According to the present invention, there is provided an electrode structure which includes: a nitride semiconductor layer; an electrode provided over the nitride semiconductor layer; and an electrode protective film provided over the electrode, wherein the nitride semiconductor layer contains a metal nitride containing Hb, Hf or Zr as a constitutive element, the electrode has a portion having a metal oxide containing Ti or V as a constitutive element formed therein, and the electrode protective film covers at least a portion of the electrode, and contains a protective layer having Au or Pt as a constitutive element.

摘要翻译： 根据本发明，提供了一种电极结构，其包括：氮化物半导体层; 设置在氮化物半导体层上的电极; 以及设置在所述电极上的电极保护膜，其中所述氮化物半导体层包含含有Hb，Hf或Zr作为构成元素的金属氮化物，所述电极具有含有作为其中形成的构成元素的Ti或V的金属氧化物的部分， 并且所述电极保护膜覆盖所述电极的至少一部分，并且包含具有Au或Pt作为构成要素的保护层。