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    NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    1.
    发明申请
    NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 有权
    基于氮化物的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20110253977A1

    公开(公告)日：2011-10-20

    申请号：US13167064

    申请日：2011-06-23

    申请人： Mitsuaki OYA ,  Toshiya YOKOGAWA ,  Atsushi YAMADA ,  Akihiro ISOZAKI

    发明人： Mitsuaki OYA ,  Toshiya YOKOGAWA ,  Atsushi YAMADA ,  Akihiro ISOZAKI

    IPC分类号： H01L33/06 ,  H01L29/201 ,  H01L21/263

    CPC分类号： H01L21/28575 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

    摘要： A nitride-based semiconductor light-emitting device 100 includes: a GaN substrate 10 with an m-plane surface 12; a semiconductor multilayer structure 20 provided on the m-plane surface 12 of the GaN substrate 10; and an electrode 30 provided on the semiconductor multilayer structure 20. The electrode 30 includes a Zn layer 32 and an Ag layer 34 provided on the Zn layer 32. The Zn layer 32 is in contact with a surface of a p-type semiconductor region of the semiconductor multilayer structure 20.

    摘要翻译： 氮化物系半导体发光装置100具备：具有m面面12的GaN衬底10; 设置在GaN衬底10的m面表面12上的半导体多层结构20; 以及设置在半导体多层结构体20上的电极30.电极30包括Zn层32和设置在Zn层32上的Ag层34.Zn层32与p型半导体区域的表面接触 半导体多层结构20。

    NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
    4.
    发明申请
    NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
    基于氮化物的半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US20130015427A1

    公开(公告)日：2013-01-17

    申请号：US13618436

    申请日：2012-09-14

    申请人： Mitsuaki OYA ,  Toshiya YOKOGAWA ,  Atsushi YAMADA ,  Akihiro ISOZAKI

    发明人： Mitsuaki OYA ,  Toshiya YOKOGAWA ,  Atsushi YAMADA ,  Akihiro ISOZAKI

    IPC分类号： H01L33/04

    CPC分类号： H01L33/40 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/32341

    摘要： A nitride-based semiconductor light-emitting device 100 includes: a GaN substrate 10 with an m-plane surface 12; a semiconductor multilayer structure 20 provided on the m-plane surface 12 of the GaN substrate 10; and an electrode 30 provided on the semiconductor multilayer structure 20. The electrode 30 includes an Mg layer 32 and an Ag layer 34 provided on the Mg layer 32. The Mg layer 32 is in contact with a surface of a p-type semiconductor region of the semiconductor multilayer structure 20.

    摘要翻译： 氮化物系半导体发光装置100具备：具有m面面12的GaN衬底10; 设置在GaN衬底10的m面表面12上的半导体多层结构20; 以及设置在半导体层叠结构体20上的电极30.电极30包括设置在Mg层32上的Mg层32和Ag层34.Mg层32与p型半导体区域的表面接触 半导体多层结构20。

    NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
    6.
    发明申请
    NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR 审中-公开
    氮化物半导体元件及其制造方法

    公开(公告)号：US20120326161A1

    公开(公告)日：2012-12-27

    申请号：US13597869

    申请日：2012-08-29

    申请人： Toshiya YOKOGAWA ,  Mitsuaki OYA ,  Atsushi YAMADA ,  Akihiro ISOZAKI

    发明人： Toshiya YOKOGAWA ,  Mitsuaki OYA ,  Atsushi YAMADA ,  Akihiro ISOZAKI

    IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L33/405 ,  H01L21/28575 ,  H01L24/14 ,  H01L29/045 ,  H01L29/452 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2924/00

    摘要： An exemplary nitride-based semiconductor device includes: a semiconductor multilayer structure 20 which includes a p-type semiconductor region with a surface 12 being inclined from the m-plane by an angle of not less than 1° and not more than 5° or the principal surface has a plurality of m-plane steps; and an electrode 30 provided on the p-type semiconductor region. The p-type semiconductor region is formed by an AlxInyGazN (where x+y+z=1, x≧0, y≧0, and z>0) layer 26. The electrode 30 includes a Zn layer 32 and a Ag layer 34 provided on the Zn layer 32. The Zn layer is in contact with the surface 12 of the p-type semiconductor region of the semiconductor multilayer structure 20.

    摘要翻译： 示例性的氮化物基半导体器件包括：半导体多层结构20，其包括具有从m面倾斜不小于1°且不大于5°的角度的表面12的p型半导体区域，或者 主表面具有多个m平面步骤; 以及设置在p型半导体区域上的电极30。 p型半导体区域由Al x In y Ga z N（其中x + y + z = 1，x≥0，y≥0和z> 0）层26形成。电极30包括Zn层32和Ag层34 设置在Zn层32上.Zn层与半导体多层结构体20的p型半导体区域的表面12接触。