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    Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
    1.
    发明授权
    Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal 失效
    载体键合1550nm VCSEL，其中去除了InP衬底

    公开(公告)号：US07286584B2

    公开(公告)日：2007-10-23

    申请号：US11007081

    申请日：2004-12-08

    申请人： Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim ,  Hoki Kwon ,  Gyoungwon Park ,  Jae-Hyun Ryou

    发明人： Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim ,  Hoki Kwon ,  Gyoungwon Park ,  Jae-Hyun Ryou

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/18377 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18375

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure includes a bottom distributed Bragg reflector (DBR) arranged over a substrate; a metal layer interposed between the bottom DBR and the substrate, wherein the metal layer and bottom DBR form a composite mirror structure. A patterned dielectric layer may be interposed between the metal layer and the bottom DBR to reduce a deleterious chemical reaction between the metal layer and the bottom DBR. The metal layer directly contacts a portion of the bottom DBR to enhance the electrical and thermal conductivity of the VCSEL structure.

    摘要翻译： 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）结构包括布置在衬底上的底部分布布拉格反射器（DBR）; 插入在底部DBR和基板之间的金属层，其中金属层和底部DBR形成复合反射镜结构。 可以在金属层和底部DBR之间插入图案化的介电层，以减少金属层和底部DBR之间的有害的化学反应。 金属层直接接触底部DBR的一部分以增强VCSEL结构的电导率和导热性。

    Enhanced lateral oxidation
    2.
    发明授权
    Enhanced lateral oxidation 有权
    增强侧向氧化

    公开(公告)号：US07054345B2

    公开(公告)日：2006-05-30

    申请号：US10607887

    申请日：2003-06-27

    申请人： Jae-Hyun Ryou ,  Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim ,  Gyoungwon Park ,  Hoki Kwon

    发明人： Jae-Hyun Ryou ,  Tzu-Yu Wang ,  Jin K. Kim ,  Gyoungwon Park ,  Hoki Kwon

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/18308 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/34313 ,  H01S5/34366

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser having an oxidizable layer oxidized with enhanced lateral oxidation. The oxidation may involve adding oxygen in the form of a fluid, with or without other fluid such as water vapor, in the oxidizing environment, and/or in the layer to be oxidized. This oxidation approach may be used for layers with relatively low aluminum content such as in InP based structures, or with high aluminum content such as in GaAs based structures.

    摘要翻译： 一种垂直腔面发射激光器，其具有被增强的侧向氧化氧化的可氧化层。 氧化可以包括在氧化环境中和/或待氧化的层中加入流体形式的氧气，其中有或没有其它流体，例如水蒸汽。 该氧化方法可用于具有相对低的铝含量的层，例如基于InP的结构，或者具有高的铝含量，例如在GaAs基结构中。

    InP based long wavelength VCSEL
    3.
    发明授权
    InP based long wavelength VCSEL 失效
    基于InP的长波长VCSEL

    公开(公告)号：US07433381B2

    公开(公告)日：2008-10-07

    申请号：US10606104

    申请日：2003-06-25

    申请人： Tzu-Yu Wang ,  Hoki Kwon ,  Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park ,  Jin K. Kim

    发明人： Tzu-Yu Wang ,  Hoki Kwon ,  Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park ,  Jin K. Kim

    IPC分类号： H01S5/00 ,  H01S3/08

    CPC分类号： B82Y20/00 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18313 ,  H01S5/18333 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18372 ,  H01S5/2063 ,  H01S5/34313

    摘要： A long wavelength vertical cavity surface emitting laser having a substrate, a first mirror situated on the substrate, an active region situated on the first mirror, a second mirror situated on the active region. The first mirror may have several pairs of layers with an oxidized layer in one or more pairs of that mirror. The substrate may include InP and the mirror components may be compatible with the InP. The one or more layers in the first mirror may be oxidized via a trench-like approach or other arrangement.

    摘要翻译： 具有衬底的长波长垂直腔表面发射激光器，位于衬底上的第一反射镜，位于第一反射镜上的有源区，位于有源区上的第二反射镜。 第一反射镜可以具有几对层，其中一对或多对该反射镜具有氧化层。 衬底可以包括InP，并且镜组件可以与InP兼容。 第一反射镜中的一个或多个层可以通过沟槽状方法或其它布置被氧化。

    Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal
    5.
    发明申请
    Carrier bonded 1550 nm VCSEL with InP substrate removal 失效
    载体键合1550nm VCSEL，其中去除了InP衬底

    公开(公告)号：US20050243886A1

    公开(公告)日：2005-11-03

    申请号：US11007081

    申请日：2004-12-08

    申请人： Tzu-Yu Wang ,  Jin Kim ,  Hoki Kwon ,  Gyoungwon Park ,  Jae-Hyun Ryou

    发明人： Tzu-Yu Wang ,  Jin Kim ,  Hoki Kwon ,  Gyoungwon Park ,  Jae-Hyun Ryou

    IPC分类号： H01S3/08 ,  H01S5/187

    CPC分类号： H01S5/18377 ,  H01S5/18341 ,  H01S5/18375

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) structure includes a bottom distributed Bragg reflector (DBR) arranged over a substrate; a metal layer interposed between the bottom DBR and the substrate, wherein the metal layer and bottom DBR form a composite mirror structure. A patterned dielectric layer may be interposed between the metal layer and the bottom DBR to reduce a deleterious chemical reaction between the metal layer and the bottom DBR. The metal layer directly contacts a portion of the bottom DBR to enhance the electrical and thermal conductivity of the

    摘要翻译： 垂直腔表面发射激光器（VCSEL）结构包括布置在衬底上的底部分布布拉格反射器（DBR）; 插入在底部DBR和基板之间的金属层，其中金属层和底部DBR形成复合反射镜结构。 可以在金属层和底部DBR之间插入图案化的介电层，以减少金属层和底部DBR之间的有害的化学反应。 金属层直接接触底部DBR的一部分，以增强电气和导热性

    Dielectric VCSEL gain guide
    6.
    发明授权
    Dielectric VCSEL gain guide 有权
    介质VCSEL增益指南

    公开(公告)号：US07858417B2

    公开(公告)日：2010-12-28

    申请号：US11866297

    申请日：2007-10-02

    申请人： Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park

    发明人： Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01S5/18308 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/2004

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser having a dielectric gain guide. The gain guide may provide current confinement, device isolation and possibly optical confinement. The first mirror and an active region may be grown. A pattern may be placed on or near the active region. A dielectric material may be deposited on the pattern and the pattern may be removed resulting in a gain guide. Then a top mirror may be grown on the gain guide. This structure with the dielectric gain guide may have specific characteristics and/or additional features.

    摘要翻译： 具有介电增益导向器的垂直腔表面发射激光器。 增益指南可以提供电流限制，器件隔离和可能的光学限制。 可以生长第一镜和活性区。 图案可以放置在活动区域​​上或附近。 可以在图案上沉积电介质材料，并且可以去除图案，从而产生增益引导件。 然后可以在增益指南上生长顶镜。 具有介电增益引导件的该结构可具有特定特征和/或附加特征。

    Dielectric VCSEL gain guide
    7.
    发明授权
    Dielectric VCSEL gain guide 失效
    介质VCSEL增益指南

    公开(公告)号：US07277461B2

    公开(公告)日：2007-10-02

    申请号：US10607629

    申请日：2003-06-27

    申请人： Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park

    发明人： Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park

    IPC分类号： H01S5/00

    CPC分类号： H01S5/18308 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/2004

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser having a dielectric gain guide. The gain guide may provide current confinement, device isolation and possibly optical confinement. The first mirror and an active region may be grown. A pattern may be placed on or near the active region. A dielectric material may be deposited on the pattern and the pattern may be removed resulting in a gain guide. Then a top mirror may be grown on the gain guide. This structure with the dielectric gain guide may have specific characteristics and/or additional features.

    摘要翻译： 具有介电增益导向器的垂直腔表面发射激光器。 增益指南可以提供电流限制，器件隔离和可能的光学限制。 可以生长第一镜和活性区。 图案可以放置在活动区域​​上或附近。 可以在图案上沉积电介质材料，并且可以去除图案，从而产生增益引导件。 然后可以在增益指南上生长顶镜。 具有介电增益引导件的该结构可具有特定特征和/或附加特征。

    DIELECTRIC VCSEL GAIN GUIDE
    8.
    发明申请
    DIELECTRIC VCSEL GAIN GUIDE 有权
    电介质VCSEL增益指南

    公开(公告)号：US20080020553A1

    公开(公告)日：2008-01-24

    申请号：US11866297

    申请日：2007-10-02

    申请人： Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park

    发明人： Jae-Hyun Ryou ,  Gyoungwon Park

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01S5/18308 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/18311 ,  H01S5/18369 ,  H01S5/18377 ,  H01S5/2004

    摘要： A vertical cavity surface emitting laser having a dielectric gain guide. The gain guide may provide current confinement, device isolation and possibly optical confinement. The first mirror and an active region may be grown. A pattern may be placed on or near the active region. A dielectric material may be deposited on the pattern and the pattern may be removed resulting in a gain guide. Then a top mirror may be grown on the gain guide. This structure with the dielectric gain guide may have specific characteristics and/or additional features.

    摘要翻译： 具有介电增益导向器的垂直腔表面发射激光器。 增益指南可以提供电流限制，器件隔离和可能的光学限制。 可以生长第一镜和活性区。 图案可以放置在活动区域​​上或附近。 可以在图案上沉积电介质材料，并且可以去除图案，从而产生增益引导件。 然后可以在增益指南上生长顶镜。 具有介电增益引导件的该结构可具有特定特征和/或附加特征。

    Edge viewing photodetecter
    10.
    发明授权
    Edge viewing photodetecter 有权
    边缘观察光电探测器

    公开(公告)号：US07482667B2

    公开(公告)日：2009-01-27

    申请号：US11359793

    申请日：2006-02-22

    申请人： Daniel Guidotti ,  Gee-Kung Chang ,  Jae-Hyun Ryou ,  Russell Dean Dupuis

    发明人： Daniel Guidotti ,  Gee-Kung Chang ,  Jae-Hyun Ryou ,  Russell Dean Dupuis

    IPC分类号： H01L31/00

    CPC分类号： H01L31/105 ,  G02B6/4202 ,  G02B6/4203 ,  H01L31/02161 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/0392 ,  Y02E10/50

    摘要： An edge viewing semiconductor photodetector may be provided. Light may be transmitted through an optical fiber conduit comprising a core region surrounded by a cladding region. The light may be received at the edge viewing semiconductor photodetector having an active area. The active area may be substantially contained within a first plane. The edge viewing semiconductor photodetector may further have conducting contact pads connected to the active area. The contact pads may be substantially contained within plural planes. The first plane may have its normal direction substantially inclined with respect to a normal direction of the plural planes. The first plane may further have its normal direction substantially inclined with respect to a direction of the received light incident to the active area. Next, a signal may be received from the pads. The signal may correspond to the transmitted light.

    摘要翻译： 可以提供边缘观看半导体光电探测器。 光可以通过包括由包层区域包围的芯区域的光纤导管透射。 可以在具有有源区域的边缘观看半导体光电检测器处接收光。 有源区域可以基本上包含在第一平面内。 边缘观察半导体光电检测器还可以具有连接到有源区的导电接触焊盘。 接触垫可以基本上包含在多个平面内。 第一平面可以具有相对于多个平面的法线方向大致倾斜的法线方向。 第一平面可以进一步具有相对于入射到有源区域的接收光的方向基本上倾斜的法线方向。 接下来，可以从焊盘接收信号。 信号可以对应于透射光。