公开(公告)号：US20070037372A1

公开(公告)日：2007-02-15

申请号：US11581183

申请日：2006-10-13

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A sacrificial gate structure, including nitride and fill layers, may be replaced with a metal gate electrode. The metal gate electrode may again be covered with a nitride layer covered by a fill layer. The replacement of the nitride and fill layers may reintroduce strain and provide an etch stop.

摘要翻译： 包括氮化物和填充层的牺牲栅极结构可以被金属栅电极代替。 金属栅电极可以再次被填充层覆盖的氮化物层覆盖。 氮化物和填充层的替换可以重新引入应变并提供蚀刻停止。

公开(公告)号：US20060183277A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US10742678

申请日：2003-12-19

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/823857 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer on a substrate, and forming a sacrificial layer on the high-k gate dielectric layer. After etching the sacrificial layer, first and second spacers are formed on opposite sides of the sacrificial layer. After removing the sacrificial layer to generate a trench that is positioned between the first and second spacers, a metal layer is formed on the high-k gate dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成高k栅极电介质层，并在高k栅极电介质层上形成牺牲层。 在蚀刻牺牲层之后，在牺牲层的相对侧上形成第一和第二间隔物。 在去除牺牲层以产生位于第一和第二间隔物之间​​的沟槽之后，在高k栅介质层上形成金属层。

公开(公告)号：US20060180878A1

公开(公告)日：2006-08-17

申请号：US11393151

申请日：2006-03-29

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Annalisa Cappellani ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Annalisa Cappellani ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L29/76 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, then forming a trench within the first dielectric layer. After forming a second dielectric layer on the substrate, a first metal layer is formed within the trench on a first part of the second dielectric layer. A second metal layer is then formed on the first metal layer and on a second part of the second dielectric layer.

公开(公告)号：US20050272191A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US10861727

申请日：2004-06-03

申请人： Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Chris Barns

发明人： Uday Shah ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Robert Chau ,  Chris Barns

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/338 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66583 ,  H01L29/7833

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a sacrificial layer on a substrate, and forming a trench within the sacrificial layer. After forming a dummy gate electrode within the trench, a hard mask is formed on the dummy gate electrode and within the trench.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成牺牲层，以及在牺牲层内形成沟槽。 在沟槽内形成虚拟栅电极之后，在伪栅电极和沟槽内形成硬掩模。

公开(公告)号：US20060022277A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10900582

申请日：2004-07-28

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A sacrificial gate structure, including nitride and fill layers, may be replaced with a metal gate electrode. The metal gate electrode may again be covered with a nitride layer covered by a fill layer. The replacement of the nitride and fill layers may reintroduce strain and provide an etch stop.

公开(公告)号：US20050233527A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：US10828958

申请日：2004-04-20

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Annalisa Cappellani ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Annalisa Cappellani ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, then forming a trench within the first dielectric layer. After forming a second dielectric layer on the substrate, a first metal layer is formed within the trench on a first part of the second dielectric layer. A second metal layer is then formed on the first metal layer and on a second part of the second dielectric layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成第一介电层，然后在第一介电层内形成沟槽。 在衬底上形成第二电介质层之后，在第二介电层的第一部分上的沟槽内形成第一金属层。 然后在第一金属层上和第二介电层的第二部分上形成第二金属层。

公开(公告)号：US20060008968A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10885958

申请日：2004-07-06

申请人： Justin Brask ,  Chris Barns ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Anne Miller ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Chris Barns ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Anne Miller ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, forming a trench within the dielectric layer, and forming a high-k gate dielectric layer within the trench. After forming a first metal layer on the high-k gate dielectric layer, a second metal layer is formed on the first metal layer. At least part of the second metal layer is removed from above the dielectric layer using a polishing step, and additional material is removed from above the dielectric layer using an etch step.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，在电介质层内形成沟槽，并在沟槽内形成高k栅介质层。 在高k栅介质层上形成第一金属层之后，在第一金属层上形成第二金属层。 使用抛光步骤从电介质层上方去除第二金属层的至少一部分，并且使用蚀刻步骤从电介质层上方除去附加材料。

公开(公告)号：US20050266619A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US10855635

申请日：2004-05-26

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Robert Turkot ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Robert Turkot ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/326 ,  H01L21/336 ,  H01L21/479 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a first gate dielectric layer that has a first substantially vertical component, then forming a first metal layer on the first gate dielectric layer. After forming on the substrate a second gate dielectric layer that has a second substantially vertical component, a second metal layer is formed on the second gate dielectric layer. In this method, a conductor is formed that contacts both the first metal layer and the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成具有第一基本垂直分量的第一栅极电介质层，然后在第一栅极电介质层上形成第一金属层。 在衬底上形成具有第二基本垂直分量的第二栅介质层之后，在第二栅介质层上形成第二金属层。 在该方法中，形成与第一金属层和第二金属层接触的导体。

公开(公告)号：US20050214987A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US10809853

申请日：2004-03-24

申请人： Uday Shah ,  Chris Barns ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

发明人： Uday Shah ,  Chris Barns ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66772 ,  H01L21/84 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a polysilicon layer on a dielectric layer, which is formed on a substrate. The polysilicon layer is etched to generate a patterned polysilicon layer with an upper surface that is wider than its lower surface. The method may be applied, when using a replacement gate process to make transistors that have metal gate electrodes.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在形成在基板上的电介质层上形成多晶硅层。 蚀刻多晶硅层以产生具有比其下表面更宽的上表面的图案化多晶硅层。 当使用替换栅极工艺来制造具有金属栅电极的晶体管时，可以应用该方法。

公开(公告)号：US20050148136A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10748559

申请日：2003-12-29

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A semiconductor device and a method for forming it are described. The semiconductor device comprises a metal NMOS gate electrode that is formed on a first part of a substrate, and a silicide PMOS gate electrode that is formed on a second part of the substrate.

摘要翻译： 对半导体装置及其形成方法进行说明。 半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。