公开(公告)号：US08372483B2

公开(公告)日：2013-02-12

申请号：US12163757

申请日：2008-06-27

申请人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

发明人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/306 ,  C23C16/45525

摘要： Methods for controllably forming Sb—Te, Ge—Te, and Ge—Sb—Te thin films are provided. ALD processes can be used to deposit a first film comprising ZnTe. Providing an antimony source chemical, such as SbI3 replaces the zinc, thereby forming Sb2Te3 thin films. Ge—Te and Ge—Sb—Te films can also be made by providing Ge sources to ZnTe and Sb—Te thin films, respectively.

摘要翻译： 提供了可控地形成Sb-Te，Ge-Te和Ge-Sb-Te薄膜的方法。 ALD工艺可用于沉积包含ZnTe的第一膜。 提供锑源化合物，如SbI3代替锌，从而形成Sb2Te3薄膜。 Ge-Te和Ge-Sb-Te薄膜也可以分别通过向ZnTe和Sb-Te薄膜提供Ge源。

公开(公告)号：US09315896B2

公开(公告)日：2016-04-19

申请号：US13504079

申请日：2010-10-25

申请人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

发明人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC分类号： H01L21/06 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L21/02 ,  H01L45/00

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616

摘要： Atomic layer deposition (ALD) processes for forming Group VA element containing thin films, such as Sb, Sb—Te, Ge—Sb and Ge—Sb—Te thin films are provided, along with related compositions and structures. Sb precursors of the formula Sb(SiR1R2R3)3 are preferably used, wherein R1, R2, and R3 are alkyl groups. As, Bi and P precursors are also described. Methods are also provided for synthesizing these Sb precursors. Methods are also provided for using the Sb thin films in phase change memory devices.

摘要翻译： 提供了用于形成含有Sb，Sb-Te，Ge-Sb和Ge-Sb-Te薄膜的含VA薄膜的原子层沉积（ALD）工艺，以及相关组合物和结构。 优选使用Sb（SiR1R2R3）3的Sb前体，其中R1，R2和R3是烷基。 As，Bi和P前体也被描述。 还提供了用于合成这些Sb前体的方法。 还提供了在相变存储器件中使用Sb薄膜的方法。

公开(公告)号：US09175390B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US12429133

申请日：2009-04-23

申请人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

发明人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/30 ,  H01L45/00 ,  H01L21/02

CPC分类号： C07F11/005 ,  C23C16/306 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0256 ,  H01L21/02562 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y02P20/582

摘要： Atomic layer deposition (ALD) processes for forming Te-containing thin films, such as Sb—Te, Ge—Te, Ge—Sb—Te, Bi—Te, and Zn—Te thin films are provided. ALD processes are also provided for forming Se-containing thin films, such as Sb—Se, Ge—Se, Ge—Sb—Se, Bi—Se, and Zn—Se thin films are also provided. Te and Se precursors of the formula (Te,Se)(SiR1R2R3)2 are preferably used, wherein R1, R2, and R3 are alkyl groups. Methods are also provided for synthesizing these Te and Se precursors. Methods are also provided for using the Te and Se thin films in phase change memory devices.

摘要翻译： 提供了用于形成诸如Sb-Te，Ge-Te，Ge-Sb-Te，Bi-Te和Zn-Te薄膜的Te含量薄膜的原子层沉积（ALD）工艺。 还提供了用于形成含Se的薄膜的ALD工艺，例如Sb-Se，Ge-Se，Ge-Sb-Se，Bi-Se和Zn-Se薄膜。 优选使用式（Te，Se）（SiR 1 R 2 R 3）2的Te和Se前体，其中R 1，R 2和R 3是烷基。 还提供了用于合成这些Te和Se前体的方法。 还提供了在相变存储器件中使用Te和Se薄膜的方法。

公开(公告)号：US20120329208A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13504079

申请日：2010-10-25

申请人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

发明人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC分类号： H01L21/06 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45555 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/0262 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1616

摘要： Atomic layer deposition (ALD) processes for forming Group VA element containing thin films, such as Sb, Sb—Te, Ge—Sb and Ge—Sb—Te thin films are provided, along with related compositions and structures. Sb precursors of the formula Sb(SiR1R2R3)3 are preferably used, wherein R1, R2, and R3 are alkyl groups. As, Bi and P precursors are also described. Methods are also provided for synthesizing these Sb precursors. Methods are also provided for using the Sb thin films in phase change memory devices.

摘要翻译： 提供了用于形成含有Sb，Sb-Te，Ge-Sb和Ge-Sb-Te薄膜的含VA薄膜的原子层沉积（ALD）工艺，以及相关组合物和结构。 优选使用Sb（SiR1R2R3）3的Sb前体，其中R1，R2和R3是烷基。 As，Bi和P前体也被描述。 还提供了用于合成这些Sb前体的方法。 还提供了在相变存储器件中使用Sb薄膜的方法。

公开(公告)号：US08945675B2

公开(公告)日：2015-02-03

申请号：US12129609

申请日：2008-05-29

申请人： Viljami Pore ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

发明人： Viljami Pore ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H01L49/02

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/33 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75

摘要： The present disclosure relates to the deposition of conductive titanium oxide films by atomic layer deposition processes. Amorphous doped titanium oxide films are deposited by ALD processes comprising titanium oxide deposition cycles and dopant oxide deposition cycles and are subsequently annealed to produce a conductive crystalline anatase film. Doped titanium oxide films may also be deposited by first depositing a doped titanium nitride thin film by ALD processes comprising titanium nitride deposition cycles and dopant nitride deposition cycles and subsequently oxidizing the nitride film to form a doped titanium oxide film. The doped titanium oxide films may be used, for example, in capacitor structures.

摘要翻译： 本公开涉及通过原子层沉积工艺沉积导电氧化钛膜。 通过包括氧化钛沉积循环和掺杂剂氧化物沉积循环的ALD工艺沉积无定形掺杂的氧化钛膜，随后退火以产生导电结晶锐钛矿膜。 还可以通过首先通过包括氮化钛沉积循环和掺杂氮化物沉积循环的ALD工艺沉积掺杂的氮化钛薄膜并随后氧化氮化物膜以形成掺杂的氧化钛膜来沉积掺杂的氧化钛膜。 掺杂的氧化钛膜可以用于例如电容器结构中。

公开(公告)号：US07618681B2

公开(公告)日：2009-11-17

申请号：US10696591

申请日：2003-10-28

申请人： Marko Vehkamäki ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

发明人： Marko Vehkamäki ,  Timo Hatanpää ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskelä

IPC分类号： C23C16/00 ,  C23C16/40 ,  C23C16/06

CPC分类号： C23C16/45531 ,  C07F9/94 ,  C23C16/40 ,  C23C16/407 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/45553

摘要： A process for producing bismuth-containing oxide thin films by Atomic Layer Deposition, including using an organic bismuth compound having at least one silylamido ligand as a source material for the bismuth oxide. Bismuth-containing oxide thin films produced by the preferred embodiments can be used, for example, as ferroelectric or dielectric material in integrated circuits and/or as superconductor materials.

摘要翻译： 通过原子层沉积法生产含铋氧化物薄膜的方法，包括使用具有至少一个甲硅烷酰氨基配体的有机铋化合物作为氧化铋的源材料。 由优选实施例制造的含铋氧化物薄膜可用作例如集成电路中的铁电体或介电材料和/或超导体材料。

公开(公告)号：US07108747B1

公开(公告)日：2006-09-19

申请号：US09787062

申请日：1999-09-13

申请人： Markku Leskelä ,  Mikko Ritala ,  Timo Hatanpää ,  Timo Hänninen ,  Marko Vehkamäki

发明人： Markku Leskelä ,  Mikko Ritala ,  Timo Hatanpää ,  Timo Hänninen ,  Marko Vehkamäki

IPC分类号： C30B25/02

CPC分类号： H01L39/2438 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C30B25/02 ,  C30B29/22

摘要： The present invention relates to a method for growing oxide thin films which contain barium and/or strontium. According to the method, such thin films are made by the ALE technique by using as precursors for barium and strontium their cyclopentadienyl compounds. A thin film made by means of the invention has a high permittivity and excellent conformality.

摘要翻译： 本发明涉及生长含有钡和/或锶的氧化物薄膜的方法。 根据该方法，通过使用钡和锶作为其环戊二烯基化合物的前体，通过ALE技术制备这种薄膜。 通过本发明制成的薄膜具有高介电常数和良好的共形性。

公开(公告)号：US20090297696A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12129609

申请日：2008-05-29

申请人： Viljami Pore ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Viljami Pore ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45531 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/33 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75

摘要： The present disclosure relates to the deposition of conductive titanium oxide films by atomic layer deposition processes. Amorphous doped titanium oxide films are deposited by ALD processes comprising titanium oxide deposition cycles and dopant oxide deposition cycles and are subsequently annealed to produce a conductive crystalline anatase film. Doped titanium oxide films may also be deposited by first depositing a doped titanium nitride thin film by ALD processes comprising titanium nitride deposition cycles and dopant nitride deposition cycles and subsequently oxidizing the nitride film to form a doped titanium oxide film. The doped titanium oxide films may be used, for example, in capacitor structures.

摘要翻译： 本公开涉及通过原子层沉积工艺沉积导电氧化钛膜。 通过包括氧化钛沉积循环和掺杂剂氧化物沉积循环的ALD工艺沉积无定形掺杂的氧化钛膜，随后退火以产生导电结晶锐钛矿膜。 还可以通过首先通过包括氮化钛沉积循环和掺杂氮化物沉积循环的ALD工艺沉积掺杂的氮化钛薄膜并随后氧化氮化物膜以形成掺杂的氧化钛膜来沉积掺杂的氧化钛膜。 掺杂的氧化钛膜可以用于例如电容器结构中。

公开(公告)号：US20090324821A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12163757

申请日：2008-06-27

申请人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

发明人： Viljami Pore ,  Timo Hatanpaa ,  Mikko Ritala ,  Markku Leskela

IPC分类号： C23C16/06

CPC分类号： C23C16/56 ,  C23C16/306 ,  C23C16/45525

摘要： Methods for controllably forming Sb—Te, Ge—Te, and Ge—Sb—Te thin films are provided. ALD processes can be used to deposit a first film comprising ZnTe. Providing an antimony source chemical, such as SbI3 replaces the zinc, thereby forming Sb2Te3 thin films. Ge—Te and Ge—Sb—Te films can also be made by providing Ge sources to ZnTe and Sb—Te thin films, respectively.

摘要翻译： 提供了可控地形成Sb-Te，Ge-Te和Ge-Sb-Te薄膜的方法。 ALD工艺可用于沉积包含ZnTe的第一膜。 提供锑源化合物，如SbI3代替锌，从而形成Sb2Te3薄膜。 Ge-Te和Ge-Sb-Te薄膜也可以分别通过向ZnTe和Sb-Te薄膜提供Ge源。

公开(公告)号：US07498272B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11024515

申请日：2004-12-28

申请人： Jaakko Niinistö ,  Matti Putkonen ,  Mikko Ritala ,  Petri Räisänen ,  Antti Niskanen ,  Markku Leskelä

发明人： Jaakko Niinistö ,  Matti Putkonen ,  Mikko Ritala ,  Petri Räisänen ,  Antti Niskanen ,  Markku Leskelä

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405

摘要： The present invention concerns a process for depositing rare earth oxide thin films, especially yttrium, lanthanum and gadolinium oxide thin films by an ALD process, according to which invention the source chemicals are cyclopentadienyl compounds or rare earth metals, especially those of yttrium, lanthanum and gadolinium. Suitable deposition temperatures for yttrium oxide are between 200 and 400° C. when the deposition pressure is between 1 and 50 mbar. Most suitable deposition temperatures for lanthanum oxide are between 160 and 165° C. when the deposition pressure is between 1 and 50 mbar.

摘要翻译： 本发明涉及通过ALD方法沉积稀土氧化物薄膜，特别是钇，镧和氧化钆薄膜的方法，根据该方法，源化学品是环戊二烯基化合物或稀土金属，特别是钇，镧和 钆。 当沉积压力为1至50毫巴时，氧化钇的合适沉积温度为200至400℃。 当沉积压力在1至50毫巴之间时，氧化镧最合适的沉积温度为160至165℃。