公开(公告)号：US20080150029A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11614815

申请日：2006-12-21

申请人： Wei Zheng ,  Lei Xue ,  Kuo-Tung Chang

发明人： Wei Zheng ,  Lei Xue ,  Kuo-Tung Chang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7851

摘要： A method for manufacturing a memory system is provided including forming a charge-storage layer on a first insulator layer including insulating the charge-storage layer from a vertical fin, forming a second insulator layer from the charge-storage layer, and forming a gate over the second insulator includes forming a fin field effect transistor.

摘要翻译： 提供了一种用于制造存储器系统的方法，包括在第一绝缘体层上形成电荷存储层，该第一绝缘体层包括从垂直鳍状物绝缘电荷存储层，从电荷存储层形成第二绝缘体层，并形成栅极 第二绝缘体包括形成鳍状场效应晶体管。

公开(公告)号：US20080150011A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11958646

申请日：2007-12-18

申请人： Simon Siu-Sing Chan ,  Lei Xue ,  YouSeok Suh ,  Amol Ramesh Joshi ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Harpreet Sachar ,  Kuo-Tung Chang ,  Connie Pin Chin Wang ,  Paul R. Besser ,  Shenqing Fang ,  Meng Ding ,  Takashi Orimoto ,  Wei Zheng ,  Fred TK Cheung

发明人： Simon Siu-Sing Chan ,  Lei Xue ,  YouSeok Suh ,  Amol Ramesh Joshi ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Harpreet Sachar ,  Kuo-Tung Chang ,  Connie Pin Chin Wang ,  Paul R. Besser ,  Shenqing Fang ,  Meng Ding ,  Takashi Orimoto ,  Wei Zheng ,  Fred TK Cheung

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11573

摘要： A method for forming an integrated circuit system is provided including forming a substrate having a core region and a periphery region, forming a charge storage stack over the substrate in the core region, forming a gate stack with a stack header having a metal portion over the substrate in the periphery region, and forming a memory system with the stack header over the charge storage stack.

摘要翻译： 提供一种用于形成集成电路系统的方法，包括形成具有芯区域和周边区域的衬底，在芯区域中的衬底上形成电荷存储堆叠，形成具有堆叠集管的栅极堆叠，堆叠集束具有金属部分 衬底，并且在电荷存储堆叠上形成具有堆叠头的存储器系统。

公开(公告)号：US08785268B2

公开(公告)日：2014-07-22

申请号：US11614815

申请日：2006-12-21

申请人： Wei Zheng ,  Lei Xue ,  Kuo-Tung Chang

发明人： Wei Zheng ,  Lei Xue ,  Kuo-Tung Chang

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L27/115 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7851

摘要： A method for manufacturing a memory system is provided including forming a charge-storage layer on a first insulator layer including insulating the charge-storage layer from a vertical fin, forming a second insulator layer from the charge-storage layer, and forming a gate over the second insulator includes forming a fin field effect transistor.

摘要翻译： 提供了一种用于制造存储器系统的方法，包括在第一绝缘体层上形成电荷存储层，该第一绝缘体层包括从垂直鳍状物绝缘电荷存储层，从电荷存储层形成第二绝缘体层，并形成栅极 第二绝缘体包括形成鳍状场效应晶体管。

公开(公告)号：US07906807B2

公开(公告)日：2011-03-15

申请号：US12827069

申请日：2010-06-30

申请人： Ning Cheng ,  Calvin Gabriel ,  Angela Hui ,  Lei Xue ,  Harpreet Kaur Sachar ,  Phillip Lawrence Jones ,  Hiro Kinoshita ,  Kuo-Tung Chang ,  Huaqiang Wu

发明人： Ning Cheng ,  Calvin Gabriel ,  Angela Hui ,  Lei Xue ,  Harpreet Kaur Sachar ,  Phillip Lawrence Jones ,  Hiro Kinoshita ,  Kuo-Tung Chang ,  Huaqiang Wu

IPC分类号： H01L29/92 ,  H01L29/76 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

摘要： Memory devices having improved TPD characteristics and methods of making the memory devices are provided. The memory devices contain two or more memory cells on a semiconductor substrate and bit line dielectrics between the memory cells. The bit line dielectrics can extend into the semiconductor. The memory cell contains one or more charge storage nodes, a first poly gate, a pair of first bit lines, and a pair of second bit lines. The second bit line can be formed at a higher energy level, a higher concentration of dopants, or a combination thereof compared to an energy level and a concentration of dopants of the first bit line.

摘要翻译： 提供了具有改善的TPD特性的存储器件和制造存储器件的方法。 存储器件在半导体衬底上包含两个或更多存储器单元，并且在存储器单元之间包含位线电介质。 位线电介质可以延伸到半导体中。 存储单元包含一个或多个电荷存储节点，第一多晶硅栅极，一对第一位线和一对第二位线。 与第一位线的能级和掺杂剂的浓度相比，第二位线可以形成在更高的能级，更高浓度的掺杂剂或其组合。

公开(公告)号：US08587049B2

公开(公告)日：2013-11-19

申请号：US11458046

申请日：2006-07-17

申请人： Meng Ding ,  Amol Ramesh Joshi ,  Lei Xue ,  Takashi Orimoto ,  Kuo-Tung Chang

发明人： Meng Ding ,  Amol Ramesh Joshi ,  Lei Xue ,  Takashi Orimoto ,  Kuo-Tung Chang

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/11563 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

摘要： A memory cell system is provided forming a first insulator layer over a semiconductor substrate, forming a charge trap layer over the first insulator layer, forming an intermediate layer over the charge trap layer, and forming a second insulator layer with the intermediate layer.

摘要翻译： 提供一种存储单元系统，在半导体衬底上形成第一绝缘体层，在第一绝缘体层上形成电荷陷阱层，在电荷陷阱层上形成中间层，并与中间层形成第二绝缘体层。

公开(公告)号：US08012830B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US11835542

申请日：2007-08-08

申请人： Ning Cheng ,  Kuo-Tung Chang ,  Hiro Kinoshita ,  Chih-Yuh Yang ,  Lei Xue ,  Chungho Lee ,  Minghao Shen ,  Angela Hui ,  Huaqiang Wu

发明人： Ning Cheng ,  Kuo-Tung Chang ,  Hiro Kinoshita ,  Chih-Yuh Yang ,  Lei Xue ,  Chungho Lee ,  Minghao Shen ,  Angela Hui ,  Huaqiang Wu

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

摘要： Memory devices having improved TPD characteristics and methods of making the memory devices are provided. The memory devices contain two or more memory cells on a semiconductor substrate and bit line openings containing a bit line dielectric between the memory cells. The memory cell contains a charge storage layer and a first poly gate. The bit line opening extends into the semiconductor substrate. By containing the bit line dielectric in the bit line openings that extend into the semiconductor substrate, the memory device can improve the electrical isolation between memory cells, thereby preventing and/or mitigating TPD.

摘要翻译： 提供了具有改善的TPD特性的存储器件和制造存储器件的方法。 存储器件在半导体衬底上包含两个或更多个存储单元，并且在存储单元之间包含位线电介质的位线开口。 存储单元包含电荷存储层和第一多晶硅栅极。 位线开口延伸到半导体衬底中。 通过将延伸到半导体衬底的位线开口中的位线电介质包含在内，存储器件可以改善存储器单元之间的电隔离，从而防止和/或减轻TPD。

公开(公告)号：US07776688B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11835538

申请日：2007-08-08

申请人： Ning Cheng ,  Calvin Gabriel ,  Angela Hui ,  Lei Xue ,  Harpreet Kaur Sachar ,  Phillip Lawrence Jones ,  Hiro Kinoshita ,  Kuo-Tung Chang ,  Huaqiang Wu

发明人： Ning Cheng ,  Calvin Gabriel ,  Angela Hui ,  Lei Xue ,  Harpreet Kaur Sachar ,  Phillip Lawrence Jones ,  Hiro Kinoshita ,  Kuo-Tung Chang ,  Huaqiang Wu

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/3205

CPC分类号： H01L27/11568 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

摘要： Memory devices having improved TPD characteristics and methods of making the memory devices are provided. The memory devices contain two or more memory cells on a semiconductor substrate and bit line dielectrics between the memory cells. The bit line dielectrics can extend into the semiconductor. The memory cell contains one or more charge storage nodes, a first poly gate, a pair of first bit lines, and a pair of second bit lines. The second bit line can be formed at a higher energy level, a higher concentration of dopants, or a combination thereof compared to an energy level and a concentration of dopants of the first bit line.

摘要翻译： 提供了具有改善的TPD特性的存储器件和制造存储器件的方法。 存储器件在半导体衬底上包含两个或更多存储器单元，并且在存储器单元之间包含位线电介质。 位线电介质可以延伸到半导体中。 存储单元包含一个或多个电荷存储节点，第一多晶硅栅极，一对第一位线和一对第二位线。 与第一位线的能级和掺杂剂的浓度相比，第二位线可以形成在更高的能级，更高浓度的掺杂剂或其组合。

公开(公告)号：US20080150000A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US11614839

申请日：2006-12-21

申请人： YouSeok Suh ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Kuo-Tung Chang ,  Lei Xue ,  Meng Ding ,  Amol Ramesh Joshi ,  Shenqing Fang

发明人： YouSeok Suh ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Kuo-Tung Chang ,  Lei Xue ,  Meng Ding ,  Amol Ramesh Joshi ,  Shenqing Fang

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L29/40117

摘要： A memory system includes a substrate, forming a first insulator over the substrate, forming a charge trap layer, having a composition for setting a predetermined electrical charge level, over the first insulator, and forming a second insulator over the charge trap layer.

摘要翻译： 存储器系统包括：衬底，在衬底上形成第一绝缘体，在第一绝缘体上形成具有用于设定预定电荷水平的组成的电荷陷阱层，以及在电荷陷阱层上形成第二绝缘体。

公开(公告)号：US09245895B2

公开(公告)日：2016-01-26

申请号：US13190565

申请日：2011-07-26

申请人： Ning Cheng ,  Kuo-Tung Chang ,  Hiro Kinoshita ,  Chih-Yuh Yang ,  Lei Xue ,  Chungho Lee ,  Minghao Shen ,  Angela Hui ,  Huaqiang Wu

发明人： Ning Cheng ,  Kuo-Tung Chang ,  Hiro Kinoshita ,  Chih-Yuh Yang ,  Lei Xue ,  Chungho Lee ,  Minghao Shen ,  Angela Hui ,  Huaqiang Wu

IPC分类号： H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/42348 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7923

摘要： Memory devices having improved TPD characteristics and methods of making the memory devices are provided. The memory devices contain two or more memory cells on a semiconductor substrate and bit line openings containing a bit line dielectric between the memory cells. The memory cell contains a charge storage layer and a first poly gate. The bit line opening extends into the semiconductor substrate. By containing the bit line dielectric in the bit line openings that extend into the semiconductor substrate, the memory device can improve the electrical isolation between memory cells, thereby preventing and/or mitigating TPD.

摘要翻译： 提供了具有改善的TPD特性的存储器件和制造存储器件的方法。 存储器件在半导体衬底上包含两个或更多个存储单元，并且在存储单元之间包含位线电介质的位线开口。 存储单元包含电荷存储层和第一多晶硅栅极。 位线开口延伸到半导体衬底中。 通过将延伸到半导体衬底的位线开口中的位线电介质包含在内，存储器件可以改善存储器单元之间的电隔离，从而防止和/或减轻TPD。

公开(公告)号：US08143661B2

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：US11539984

申请日：2006-10-10

申请人： Shenqing Fang ,  Rinji Sugino ,  Jayendra Bhakta ,  Takashi Orimoto ,  Hiroyuki Nansei ,  Yukio Hayakawa ,  Takayuki Maruyama ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Kuo-Tung Chang ,  Lei Xue ,  Meng Ding ,  Amol Ramesh Joshi ,  YouSeok Suh ,  Harpreet Sachar

发明人： Shenqing Fang ,  Rinji Sugino ,  Jayendra Bhakta ,  Takashi Orimoto ,  Hiroyuki Nansei ,  Yukio Hayakawa ,  Takayuki Maruyama ,  Hidehiko Shiraiwa ,  Kuo-Tung Chang ,  Lei Xue ,  Meng Ding ,  Amol Ramesh Joshi ,  YouSeok Suh ,  Harpreet Sachar

IPC分类号： H01L29/792

CPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568

摘要： A memory cell system is provided including a first insulator layer over a semiconductor substrate, a charge trap layer over the first insulator layer, and slot where the charge trap layer includes a second insulator layer having the characteristic of being grown.

摘要翻译： 提供一种存储单元系统，包括半导体衬底上的第一绝缘体层，第一绝缘体层上的电荷陷阱层和电荷陷阱层包括具有生长特性的第二绝缘体层的槽。