公开(公告)号：US20110001221A1

公开(公告)日：2011-01-06

申请号：US12883185

申请日：2010-09-16

申请人： Wei-Ling Lin ,  Pang LIN ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

发明人： Wei-Ling Lin ,  Pang LIN ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L51/0537 ,  C23C24/08 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/316 ,  H01L29/517

摘要： A dielectric layer is provided. The dielectric layer includes a photo-sensitive polymer or a non-photo-sensitive polymer and an amorphous metal oxide disposed in the photo-sensitive polymer or a non-photo-sensitive polymer.

摘要翻译： 提供介电层。 介电层包括光敏聚合物或非感光聚合物和设置在光敏聚合物中的无定形金属氧化物或非感光聚合物。

公开(公告)号：US07829137B2

公开(公告)日：2010-11-09

申请号：US11308387

申请日：2006-03-21

申请人： Wei-Ling Lin ,  Pang Lin ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

发明人： Wei-Ling Lin ,  Pang Lin ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： H01L51/0537 ,  C23C24/08 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/316 ,  H01L29/517

摘要： A composition for forming a dielectric layer includes a liquid organometallic compound serving as a precursor with high dielectric constant, a photo-sensitive polymer or a non-photo-sensitive polymer and a solvent, wherein the liquid organometallic compound includes metal alkoxide, and the metal of the metal alkoxide includes Al Ti, Zr, Ta, Si, Ba, Ge and Hf. The dielectric layer formed by the composition includes the photo-sensitive polymer or the non-photo-sensitive polymer and an amorphous metal oxide formed therein.

摘要翻译： 用于形成电介质层的组合物包括作为高介电常数的前体的液体有机金属化合物，光敏聚合物或非感光聚合物和溶剂，其中液体有机金属化合物包括金属醇盐，金属 的金属醇盐包括Al Ti，Zr，Ta，Si，Ba，Ge和Hf。 由该组合物形成的电介质层包括光敏性聚合物或非感光性聚合物和形成于其中的无定形金属氧化物。

公开(公告)号：US20070172583A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：US11308387

申请日：2006-03-21

申请人： Wei-Ling Lin ,  Pang Lin ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

发明人： Wei-Ling Lin ,  Pang Lin ,  Tarng-Shiang Hu ,  Liang-Xiang Chen

IPC分类号： B05D5/12 ,  C08K3/22

CPC分类号： H01L51/0537 ,  C23C24/08 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/316 ,  H01L29/517

摘要： A composition for forming a dielectric layer includes a liquid organometallic compound serving as a precursor with high dielectric constant, a photo-sensitive polymer or a non-photo-sensitive polymer and a solvent, wherein the liquid organometallic compound includes metal alkoxide, and the metal of the metal alkoxide includes Al Ti, Zr, Ta, Si, Ba, Ge and Hf. The dielectric layer formed by the composition includes the photo-sensitive polymer or the non-photo-sensitive polymer and an amorphous metal oxide formed therein.

摘要翻译： 用于形成介电层的组合物包括作为高介电常数的前体的液体有机金属化合物，光敏性聚合物或非感光聚合物和溶剂，其中液体有机金属化合物包括金属醇盐，金属 的金属醇盐包括Al Ti，Zr，Ta，Si，Ba，Ge和Hf。 由该组合物形成的电介质层包括光敏性聚合物或非感光性聚合物和形成于其中的无定形金属氧化物。

公开(公告)号：US07842946B2

公开(公告)日：2010-11-30

申请号：US11849460

申请日：2007-09-04

申请人： Wei-Ling Lin ,  Jiing-Fa Wen ,  Wen-Hsi Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Jiun-Jie Wang ,  Cheng-Chung Lee

发明人： Wei-Ling Lin ,  Jiing-Fa Wen ,  Wen-Hsi Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Jiun-Jie Wang ,  Cheng-Chung Lee

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/0537 ,  H01L29/4908

摘要： Electronic devices with hybrid high-k dielectric and fabrication methods thereof. The electronic device includes a substrate. A first electrode is disposed on the substrate. Hybrid high-k multi-layers comprising a first dielectric layer and a second dielectric layer are disposed on the substrate, wherein the first dielectric layer and the second dielectric layer are solvable and substantially without interface therebetween. A second electrode is formed on the hybrid multi-layers.

摘要翻译： 具有混合高k电介质的电子器件及其制造方法。 电子装置包括基板。 第一电极设置在基板上。 包含第一电介质层和第二电介质层的混合高k多层设置在基板上，其中第一介电层和第二介电层是可解的且基本上没有界面。 在混合多层上形成第二电极。

公开(公告)号：US20080035918A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11878907

申请日：2007-07-27

申请人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

发明人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

IPC分类号： H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0022 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558

摘要： An organic thin-film transistor and a method for manufacturing the same are described. The method forms a gate layer on a substrate, an insulator layer on the substrate, forming a semiconductor layer on the insulator layer, and a strip for defining a channel length on the semiconductor layer. An electrode layer is screen printed on the semiconductor layer, and a passivation layer is coated on the electrode layer. The organic thin-film transistor manufactured by the method of the invention has a substrate, a gate layer formed on the substrate, an insulator layer formed on the substrate, a semiconductor layer formed on the insulator layer, a strip for defining a channel length formed on the semiconductor layer, an electrode layer screen-printed on the semiconductor layer, and a passivation layer coated on the electrode layer. Thereby, an organic thin-film transistor with a top-contact/bottom-gate structure is obtained.

摘要翻译： 对有机薄膜晶体管及其制造方法进行说明。 该方法在衬底上形成栅极层，在衬底上形成绝缘体层，在绝缘体层上形成半导体层，以及在半导体层上限定沟道长度的条带。 在半导体层上丝网印刷电极层，在电极层上涂布钝化层。 通过本发明的方法制造的有机薄膜晶体管具有基板，形成在基板上的栅极层，形成在基板上的绝缘体层，形成在绝缘体层上的半导体层，形成用于限定沟道长度的条带 在半导体层上，丝网印刷在半导体层上的电极层和涂覆在电极层上的钝化层。 由此，得到具有顶接触/底栅结构的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：US07495253B2

公开(公告)日：2009-02-24

申请号：US11878907

申请日：2007-07-27

申请人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

发明人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

IPC分类号： H01L51/10

CPC分类号： H01L51/0022 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558

摘要： An organic thin-film transistor and a method for manufacturing the same are described. The method forms a gate layer on a substrate, an insulator layer on the substrate, forming a semiconductor layer on the insulator layer, and a strip for defining a channel length on the semiconductor layer. An electrode layer is screen printed on the semiconductor layer, and a passivation layer is coated on the electrode layer. The organic thin-film transistor manufactured by the method of the invention has a substrate, a gate layer formed on the substrate, an insulator layer formed on the substrate, a semiconductor layer formed on the insulator layer, a strip for defining a channel length formed on the semiconductor layer, an electrode layer screen-printed on the semiconductor layer, and a passivation layer coated on the electrode layer. Thereby, an organic thin-film transistor with a top-contact/bottom-gate structure is obtained.

摘要翻译： 对有机薄膜晶体管及其制造方法进行说明。 该方法在衬底上形成栅极层，在衬底上形成绝缘体层，在绝缘体层上形成半导体层，以及在半导体层上限定沟道长度的条带。 在半导体层上丝网印刷电极层，在电极层上涂布钝化层。 通过本发明的方法制造的有机薄膜晶体管具有基板，形成在基板上的栅极层，形成在基板上的绝缘体层，形成在绝缘体层上的半导体层，形成用于限定沟道长度的条带 在半导体层上，丝网印刷在半导体层上的电极层和涂覆在电极层上的钝化层。 由此，得到具有顶接触/底栅结构的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20060052195A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10948341

申请日：2004-09-24

申请人： Tarng-Shiang Hu ,  Jia-Chong Ho ,  Liang-Ying Huang ,  Wei-Ling Lin

发明人： Tarng-Shiang Hu ,  Jia-Chong Ho ,  Liang-Ying Huang ,  Wei-Ling Lin

IPC分类号： F16H7/08 ,  F16H7/22

CPC分类号： H01L51/0533 ,  H01L51/0545

摘要： The invention related to a process for improving carrier mobility of organic semiconductor, comprising the steps of: forming a gate on a substrate; forming an insulator layer on the substrate and the gate; coating polyimide on the insulator layer to form an interlayer; forming an active layer on the interlayer; and forming a source and a drain.

摘要翻译： 本发明涉及一种改善有机半导体载流子迁移率的方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅极; 在基板和栅极上形成绝缘体层; 在绝缘体层上涂覆聚酰亚胺以形成中间层; 在中间层上形成活性层; 并形成源极和漏极。

公开(公告)号：US20050227407A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US10863212

申请日：2004-06-09

申请人： Cheng-Chung Hsieh ,  Jia-Chong Ho ,  Tarng-Shiang Hu ,  Cheng-Chung Lee ,  Liang-Ying Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Wen-Kuei Huang

发明人： Cheng-Chung Hsieh ,  Jia-Chong Ho ,  Tarng-Shiang Hu ,  Cheng-Chung Lee ,  Liang-Ying Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Wen-Kuei Huang

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/312 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40 ,  H01L51/52

CPC分类号： H01L51/107 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/5237

摘要： The present invention discloses a multi-passivation layer structure for organic thin-film transistors and a method for fabricating the same by spin coating, inject printing, screen printing and micro-contact on organic thin-film transistors. The multi-passivation layer structure for organic thin-film transistors, comprising: a substrate; a gate layer formed on the substrate; an insulator layer formed on the substrate and the gate layer; an electrode layer formed on the insulator layer; a semiconductor layer formed on the insulator layer and the electrode layer; and a passivation layer formed on the semiconductor layer and the electrode layer, thereby forming a multi-passivation layer structure for organic thin-film transistors.

摘要翻译： 本发明公开了一种有机薄膜晶体管的多钝化层结构及其制造方法，其特征在于，在有机薄膜晶体管上进行旋涂，注入印刷，丝网印刷和微接触。 一种有机薄膜晶体管的多钝化层结构，包括：基板; 形成在所述基板上的栅极层; 形成在所述基板和所述栅极层上的绝缘体层; 形成在所述绝缘体层上的电极层; 形成在绝缘体层和电极层上的半导体层; 以及形成在半导体层和电极层上的钝化层，从而形成有机薄膜晶体管的多钝化层结构。

公开(公告)号：US20050194615A1

公开(公告)日：2005-09-08

申请号：US10840637

申请日：2004-05-07

申请人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

发明人： Liang-Ying Huang ,  Jia-Chong Ho ,  Cheng-Chung Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Wen-Kuei Huang ,  Wei-Ling Lin ,  Cheng-Chung Hsieh

IPC分类号： H01L29/417 ,  H01L21/336 ,  H01L29/745 ,  H01L29/786 ,  H01L51/00 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0022 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/055 ,  H01L51/0558

摘要： An organic thin-film transistor and a method for manufacturing the same are described. The method forms a gate layer on a substrate, an insulator layer on the substrate, forming a semiconductor layer on the insulator layer, and a strip for defining a channel length on the semiconductor layer. An electrode layer is screen printed on the semiconductor layer, and a passivation layer is coated on the electrode layer. The organic thin-film transistor manufactured by the method of the invention has a substrate, a gate layer formed on the substrate, an insulator layer formed on the substrate, a semiconductor layer formed on the insulator layer, a strip for defining a channel length formed on the semiconductor layer, an electrode layer screen-printed on the semiconductor layer, and a passivation layer coated on the electrode layer. Thereby, an organic thin-film transistor with a top-contact/bottom-gate structure is obtained.

摘要翻译： 对有机薄膜晶体管及其制造方法进行说明。 该方法在衬底上形成栅极层，在衬底上形成绝缘体层，在绝缘体层上形成半导体层，以及在半导体层上限定沟道长度的条带。 在半导体层上丝网印刷电极层，在电极层上涂布钝化层。 通过本发明的方法制造的有机薄膜晶体管具有基板，形成在基板上的栅极层，形成在基板上的绝缘体层，形成在绝缘体层上的半导体层，形成用于限定沟道长度的条带 在半导体层上，丝网印刷在半导体层上的电极层和涂覆在电极层上的钝化层。 由此，得到具有顶接触/底栅结构的有机薄膜晶体管。

公开(公告)号：US20090087944A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12332794

申请日：2008-12-11

申请人： Wei-Ling Lin ,  Jiing-Fa Wen ,  Wen-Hsi Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Jiun-Jie Wang ,  Cheng-Chung Lee

发明人： Wei-Ling Lin ,  Jiing-Fa Wen ,  Wen-Hsi Lee ,  Tarng-Shiang Hu ,  Jiun-Jie Wang ,  Cheng-Chung Lee

IPC分类号： H01L51/40 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L51/0537 ,  H01L29/4908

摘要： Electronic devices with hybrid high-k dielectric and fabrication methods thereof. The electronic device includes a substrate. A first electrode is disposed on the substrate. Hybrid high-k multi-layers comprising a first dielectric layer and a second dielectric layer are disposed on the substrate, wherein the first dielectric layer and the second dielectric layer are solvable and substantially without interface therebetween. A second electrode is formed on the hybrid multi-layers.

摘要翻译： 具有混合高k电介质的电子器件及其制造方法。 电子装置包括基板。 第一电极设置在基板上。 包含第一电介质层和第二电介质层的混合高k多层设置在基板上，其中第一介电层和第二介电层是可解的且基本上没有界面。 在混合多层上形成第二电极。