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    Process for preparing PI3K inhibitor buparsilib
    3.
    发明授权
    Process for preparing PI3K inhibitor buparsilib 有权
    制备PI3K抑制剂布比西利的方法

    公开(公告)号：US09481665B2

    公开(公告)日：2016-11-01

    申请号：US14656774

    申请日：2015-03-13

    申请人： Yong Xu

    发明人： Yong Xu

    IPC分类号： C07D401/04 ,  C07D239/48

    CPC分类号： C07D401/04 ,  C07D239/48

    摘要： The present disclosure provides a new process for preparing PI3K inhibitor buparsilib. The whole reaction route of the present invention is simple and easy to control for the industrial production.

    摘要翻译： 本公开提供了制备PI3K抑制剂布比塞利的新方法。 本发明的整个反应路线对于工业生产来说是简单且易于控制的。

    Method for preparing ALK inhibitor ceritinib
    4.
    发明授权
    Method for preparing ALK inhibitor ceritinib 有权
    制备ALK抑制剂塞立替尼的方法

    公开(公告)号：US09296721B1

    公开(公告)日：2016-03-29

    申请号：US14622640

    申请日：2015-02-13

    申请人： Yong Xu

    发明人： Yong Xu

    IPC分类号： C07D239/48 ,  C07D401/12 ,  C07D211/26

    CPC分类号： C07D401/12 ,  C07D211/26 ,  Y02P20/55

    摘要： Embodiment of present disclosure provides a method for preparing ceritinib of formula I, comprising: (1) contacting a compound of formula 12b with an amino protective group to obtain a compound of formula 3; (2) contacting the compound of formula 3 with a compound of formula 9a to obtain a compound of formula 5; and (3) subjecting the compound of formula 5 to a deprotection reaction to obtain the ceritinib of formula I. Then ceritinib may be effectively prepared.

    摘要翻译： 本公开的实施方案提供了制备式I的硫可替尼的方法，包括：（1）使式12b化合物与氨基保护基接触，得到式3的化合物; （2）使式3化合物与式9a化合物接触，得到式5化合物; 和（3）使式5的化合物进行脱保护反应，得到式I的硫可替尼他。然后，可以有效地制备硫尼替尼。

    FIBER ARRAY FOR OPTICAL IMAGING AND THERAPEUTICS
    7.
    发明申请
    FIBER ARRAY FOR OPTICAL IMAGING AND THERAPEUTICS 有权
    用于光学成像和治疗的光纤阵列

    公开(公告)号：US20110313298A1

    公开(公告)日：2011-12-22

    申请号：US13203800

    申请日：2010-03-01

    申请人： Christopher Rylander ,  Thomas A. Campbell ,  Ge Wang ,  Yong Xu ,  Mehmet Alpaslan Kosoglu

    发明人： Christopher Rylander ,  Thomas A. Campbell ,  Ge Wang ,  Yong Xu ,  Mehmet Alpaslan Kosoglu

    IPC分类号： A61B6/00 ,  A61M37/00

    CPC分类号： A61B18/203 ,  A61B5/0059 ,  A61B5/0066 ,  A61B5/0084 ,  A61B5/411 ,  A61B5/442 ,  A61B5/444 ,  A61B5/685 ,  A61B2018/00452 ,  A61N5/0616 ,  A61N2005/0631 ,  A61N2005/067 ,  G02B6/032 ,  G02B6/06 ,  G02B6/262

    摘要： The present invention relates to the field of optical imaging and therapeutics. More particularly, embodiments of the present invention provide minimally-invasive Fiberoptic Microneedle Devices (FMDs) for light-based therapeutics, which physically penetrate tissue and deliver light directly into the target area below the skin surface (FIG. 1). A preferred embodiment of the invention is a fiberoptic microneedle device comprising: (a) one or more silica-based needles capable of guiding light and comprising a length of about 0.5-6 mm, a base having an outer diameter in the range of about 100-150 micron, and a tip having an outer diameter in the range of about 5-20 micron; (b) a support member to which the needles are secured; (c) a ferrule comprising one or more holes for each of the needles, wherein the ferrule is operably configured to provide mechanical support to each needle at all or some portion of the length of the needle. Embodiments of the invention enable depth-selective and deep photothermal therapeutics and can be adapted for use with any laser-based treatment or diagnostic in which light is used to detect or treat targets under or on the skin surface.

    摘要翻译： 本发明涉及光学成像和治疗领域。 更具体地说，本发明的实施例提供了用于基于光的治疗剂的微创光纤微针装置（FMD），其物理地穿透组织并将光直接传送到皮肤表面下方的目标区域（图1）。 本发明的优选实施例是一种光纤微针装置，包括：（a）一个或多个能够引导光并且包括约0.5-6mm的长度的基于二氧化硅的针，具有约100的外径的基部 -150微米，以及外径在约5-20微米范围内的尖端; （b）固定针的支撑构件; （c）套圈，其包括用于每个针的一个或多个孔，其中所述套圈可操作地构造成在所述针的所述长度的全部或某一部分处为每个针提供机械支撑。 本发明的实施方案可实现深度选择性和深度光热治疗剂，并且可适用于任何基于激光的治疗或诊断，其中光用于检测或治疗皮肤表面下或皮肤表面上的靶标。

    ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING ULTRA-THIN METAL OXIDE AS GATE DIELECTRIC AND FABRICATION METHOD THEREOF
    10.
    发明申请
    ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR USING ULTRA-THIN METAL OXIDE AS GATE DIELECTRIC AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
    使用超薄金属氧化物作为栅极电介质的有机薄膜晶体管及其制造方法

    公开(公告)号：US20070181871A1

    公开(公告)日：2007-08-09

    申请号：US11279850

    申请日：2006-04-14

    申请人： Chung Song ,  Kang Kim ,  Gi Ryu ,  Yong Xu ,  Kwang Kim ,  Myung Lee

    发明人： Chung Song ,  Kang Kim ,  Gi Ryu ,  Yong Xu ,  Kwang Kim ,  Myung Lee

    IPC分类号： H01L29/08 ,  H01L35/24 ,  H01L51/00

    CPC分类号： H01L51/0525 ,  H01L51/0094 ,  H01L51/105

    摘要： The present invention provides a low-voltage organic thin film transistor having a gate dielectric layer of ultra-thin metal oxide self-grown on a metal gate electrode by O2 plasma process. The metal gate electrode is deposited on a plastic or glass substrate. By directly oxidizing the gate electrode by using O2 plasma process, the gate dielectric layer of metal oxide is formed with a thickness of several nanometers on the gate electrode. The organic semiconductor layer is deposited on the gate dielectric layer, and source/drain electrodes are formed on the organic semiconductor layer. Before the organic semiconductor layer is formed, an organic molecular monolayer may be formed on the gate dielectric layer by using molecular self-assembly technique. The gate dielectric layer may be formed at room temperature to about 100° C.

    摘要翻译： 本发明提供一种低压有机薄膜晶体管，其具有通过O 2等离子体工艺在金属栅电极上自生长的超薄金属氧化物的栅介电层。 金属栅电极沉积在塑料或玻璃基板上。 通过使用O 2等离子体工艺直接氧化栅电极，在栅电极上形成金属氧化物的栅极电介质层，其厚度为几纳米。 有机半导体层沉积在栅极电介质层上，在有机半导体层上形成源极/漏极。 在形成有机半导体层之前，可以通过使用分子自组装技术在栅介质层上形成有机分子单层。 栅介电层可以在室温至约100℃下形成