公开(公告)号：US07524741B2

公开(公告)日：2009-04-28

申请号：US11393808

申请日：2006-03-31

申请人： Yasuhisa Ushida ,  Daisuke Shinoda ,  Daisuke Yamazaki ,  Koji Hirata ,  Yuhei Ikemoto ,  Naoki Shibata ,  Kazuo Aoki ,  Encarnacion Antonia Garcia Villora ,  Kiyoshi Shimamura

发明人： Yasuhisa Ushida ,  Daisuke Shinoda ,  Daisuke Yamazaki ,  Koji Hirata ,  Yuhei Ikemoto ,  Naoki Shibata ,  Kazuo Aoki ,  Encarnacion Antonia Garcia Villora ,  Kiyoshi Shimamura

IPC分类号： H01L21/36 ,  H01L21/20

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a low temperature-grown buffer layer having the steps of: placing a Ga2O3 substrate in a MOCVD apparatus; providing a H2 atmosphere in the MOCVD apparatus and setting a buffer layer growth condition having an atmosphere temperature of 350° C. to 550° C.; and supplying a source gas having two or more of TMG, TMA and NH3 onto the Ga2O3 substrate in the buffer layer growth condition to form the low temperature-grown buffer layer on the Ga2O3 substrate.

摘要翻译： 一种形成低温生长缓冲层的方法，具有以下步骤：将Ga 2 O 3衬底放置在MOCVD装置中; 在MOCVD装置中提供H 2气氛，并设定气氛温度为350℃至550℃的缓冲层生长条件。 并在缓冲层生长条件下将具有TMG，TMA和NH3两种以上的源气体供给到Ga 2 O 3衬底上，以在Ga 2 O 3衬底上形成低温生长缓冲层。

公开(公告)号：US20060223287A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11393808

申请日：2006-03-31

申请人： Yasuhisa Ushida ,  Daisuke Shinoda ,  Daisuke Yamazaki ,  Koji Hirata ,  Yuhei Ikemoto ,  Naoki Shibata ,  Kazuo Aoki ,  Encarnacion Garcia Villora ,  Kiyoshi Shimamura

发明人： Yasuhisa Ushida ,  Daisuke Shinoda ,  Daisuke Yamazaki ,  Koji Hirata ,  Yuhei Ikemoto ,  Naoki Shibata ,  Kazuo Aoki ,  Encarnacion Garcia Villora ,  Kiyoshi Shimamura

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L31/20

CPC分类号： C30B25/02 ,  C30B25/183 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming a low temperature-grown buffer layer having the steps of: placing a Ga2O3 substrate in a MOCVD apparatus; providing a H2 atmosphere in the MOCVD apparatus and setting a buffer layer growth condition having an atmosphere temperature of 350° C. to 550° C.; and supplying a source gas having two or more of TMG, TMA and NH3 onto the Ga2O3 substrate in the buffer layer growth condition to form the low temperature-grown buffer layer on the Ga2O3 substrate.

摘要翻译： 一种形成低温生长缓冲层的方法，其具有以下步骤：将Ga 2 N 3 O 3衬底放置在MOCVD装置中; 在MOCVD装置中提供H 2 O 2气氛，并设定气氛温度为350℃至550℃的缓冲层生长条件。 并在缓冲层生长条件下将具有TMG，TMA和NH 3的两种或多种的源气体供应到Ga 2 O 3 N 3衬底上 以在Ga 2 N 3 O 3衬底上形成低温生长的缓冲层。

公开(公告)号：US20120083063A1

公开(公告)日：2012-04-05

申请号：US13137997

申请日：2011-09-23

申请人： Daisuke Shinoda ,  Shugo Nitta ,  Yoshiki Saito

发明人： Daisuke Shinoda ,  Shugo Nitta ,  Yoshiki Saito

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： A method for producing a Group III nitride semiconductor light-emitting device includes an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer, each of the layers being formed of Group III nitride semiconductor, being sequentially deposited via a buffer layer on a textured sapphire substrate. A buried layer is formed of Group III nitride semiconductor on the buffer layer, at a temperature lower by 20° C. to 80° C. than the temperature of 1000° C. to 1200° C. when the n-type layer is deposited on the buried layer. The texture provided on the sapphire substrate may have a depth of 1 μm to 2 μm and a side surface inclined by 40° to 80°. A preventing layer may be formed of GaN at 600° C. to 1050° C. so as to cover the entire top surface of the buffer layer.

摘要翻译： 制备III族氮化物半导体发光器件的方法包括n型层，发光层和p型层，每个层由III族氮化物半导体形成，其顺序地经由 纹理蓝宝石衬底上的缓冲层。 当n型层沉积时，在缓冲层上，在比例为1000℃至1200℃的温度低20℃至80℃的温度下，由III族氮化物半导体形成掩埋层 在埋层上。 设置在蓝宝石基板上的纹理可以具有1μm至2μm的深度和倾斜40°至80°的侧面。 防止层可以在600℃至1050℃由GaN形成，以覆盖缓冲层的整个顶表面。

公开(公告)号：US07397220B2

公开(公告)日：2008-07-08

申请号：US11091706

申请日：2005-03-29

申请人： Yasunori Uchida ,  Yasushi Ido ,  Isao Takada ,  Daisuke Shinoda ,  Katsuya Hadano

发明人： Yasunori Uchida ,  Yasushi Ido ,  Isao Takada ,  Daisuke Shinoda ,  Katsuya Hadano

IPC分类号： H02J7/00

CPC分类号： H01M2/12 ,  H01M2/1077 ,  H01M2/202 ,  H01M6/42

摘要： Metal cell tanks including secondary cells respectively are connected to one another by connection members. For example, a connection member has: an insulation portion interposed between adjacent cell tanks for keeping the cell tanks electrically insulated from each other; an one-end holding portion extending from one end of the insulation portion for holding one end portion of one of the adjacent cell tanks; and an opposite-end holding portion extending from the other end of the insulation portion for holding the other end portion of the other of the adjacent cell tanks.

摘要翻译： 包括二次电池的金属电池槽分别通过连接构件相互连接。 例如，连接构件具有：插入相邻电池槽之间的绝缘部，用于保持电池槽彼此电绝缘; 一端保持部分，其从所述绝缘部分的一端延伸，用于保持所述相邻电池槽中的一个的一个端部; 以及从绝缘部分的另一端延伸的相对端保持部分，用于保持另一个相邻电池槽的另一端部。

公开(公告)号：US08765509B2

公开(公告)日：2014-07-01

申请号：US13137997

申请日：2011-09-23

申请人： Daisuke Shinoda ,  Shugo Nitta ,  Yoshiki Saito

发明人： Daisuke Shinoda ,  Shugo Nitta ,  Yoshiki Saito

IPC分类号： H01L33/32

CPC分类号： H01L33/007 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/12 ,  H01L33/20

摘要： A method for producing a Group III nitride semiconductor light-emitting device includes an n-type layer, a light-emitting layer, and a p-type layer, each of the layers being formed of Group III nitride semiconductor, being sequentially deposited via a buffer layer on a textured sapphire substrate. A buried layer is formed of Group III nitride semiconductor on the buffer layer, at a temperature lower by 20° C. to 80° C. than the temperature of 1000° C. to 1200° C. when the n-type layer is deposited on the buried layer. The texture provided on the sapphire substrate may have a depth of 1 μm to 2 μm and a side surface inclined by 40° to 80°. A preventing layer may be formed of GaN at 600° C. to 1050° C. so as to cover the entire top surface of the buffer layer.

摘要翻译： 制备III族氮化物半导体发光器件的方法包括n型层，发光层和p型层，每个层由III族氮化物半导体形成，其顺序地经由 纹理蓝宝石衬底上的缓冲层。 当n型层沉积时，在缓冲层上，在比例为1000℃至1200℃的温度低20℃至80℃的温度下，由III族氮化物半导体形成掩埋层 在埋层上。 设置在蓝宝石基板上的纹理可以具有1μm至2μm的深度和倾斜40°至80°的侧面。 防止层可以在600℃至1050℃由GaN形成，以覆盖缓冲层的整个顶表面。

公开(公告)号：US20050212477A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11091706

申请日：2005-03-29

申请人： Yasunori Uchida ,  Yasushi Ido ,  Isao Takada ,  Daisuke Shinoda ,  Katsuya Hadano

发明人： Yasunori Uchida ,  Yasushi Ido ,  Isao Takada ,  Daisuke Shinoda ,  Katsuya Hadano

IPC分类号： H01M2/10 ,  H01M2/12 ,  H01M2/20 ,  H01M6/42 ,  H02J7/00

CPC分类号： H01M2/12 ,  H01M2/1077 ,  H01M2/202 ,  H01M6/42

摘要： Metal cell tanks including secondary cells respectively are connected to one another by connection members. For example, a connection member has: an insulation portion interposed between adjacent cell tanks for keeping the cell tanks electrically insulated from each other; an one-end holding portion extending from one end of the insulation portion for holding one end portion of one of the adjacent cell tanks; and an opposite-end holding portion extending from the other end of the insulation portion for holding the other end portion of the other of the adjacent cell tanks.

摘要翻译： 包括二次电池的金属电池槽分别通过连接构件相互连接。 例如，连接构件具有：插入相邻电池槽之间的绝缘部，用于使电池槽彼此电绝缘; 一端保持部分，其从所述绝缘部分的一端延伸，用于保持所述相邻电池槽中的一个的一个端部; 以及从绝缘部分的另一端延伸的相对端保持部分，用于保持另一个相邻电池槽的另一端部。