公开(公告)号：US08750343B2

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：US12680412

申请日：2008-09-25

申请人： Ryoji Hiroyama ,  Yasuto Miyake ,  Yasumitsu Kuno ,  Yasuyuki Bessho ,  Masayuki Hata

发明人： Ryoji Hiroyama ,  Yasuto Miyake ,  Yasumitsu Kuno ,  Yasuyuki Bessho ,  Masayuki Hata

IPC分类号： H01S5/22 ,  H01S5/323 ,  H01S5/40

CPC分类号： H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/42

摘要： A nitride-based semiconductor light-emitting device capable of suppressing complication of a manufacturing process and reduction of luminous efficiency is obtained. This nitride-based semiconductor light-emitting device (50) includes a nitride-based semiconductor device layer (23) formed on a main surface of a (1-100) plane of a substrate (21), having a light-emitting layer (26) having a main surface of a (1-100) plane, a facet (50a) formed on an end of a region including the light-emitting layer (26) of the nitride-based semiconductor device layer (23), formed by a (000-1) plane extending in a direction substantially perpendicular to the main surface ((1-100) plane) of the light-emitting layer (26), and a reflection surface (50c) formed on a region opposed to the facet (50a) of the (000-1) plane, formed by a growth surface of the nitride-based semiconductor device layer (23), extending in a direction inclined at an angle θ1 (about) 62° with respect to the facet (50a).

摘要翻译： 可以获得能够抑制制造工序的复杂化和发光效率降低的氮化物系半导体发光装置。 该氮化物系半导体发光元件（50）具有形成在基板（（1）的（1-100）面的主面上的氮化物系半导体器件层，具有发光层 26），具有（1-100）面的主表面的小面（50a），形成在包括氮化物类半导体器件层（23）的发光层（26）的区域的一端的端部，由 （（1-100）面）的方向延伸的（000-1）面，以及形成在与该面相对的区域上的反射面（50c） 由所述氮化物基半导体器件层（23）的生长表面形成的所述（000-1）面的（50a），所述生长表面沿着相对于所述刻面以角度θ倾斜的方向（大约）62°延伸; （50a）。

公开(公告)号：US08022427B2

公开(公告)日：2011-09-20

申请号：US12429854

申请日：2009-04-24

申请人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata ,  Yasumitsu Kuno

发明人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata ,  Yasumitsu Kuno

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L29/2003 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/812 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12 ,  H01L2924/00

摘要： A nitride-based semiconductor device includes a substrate, a first step portion formed on a main surface side of a first side end surface of the substrate, a second step portion formed on the main surface side of a second side end surface substantially parallel to the first side end surface on an opposite side of the first side end surface and a nitride-based semiconductor layer whose first side surface is a (000-1) plane starting from a first side wall of the first step portion and a second side surface starting from a second side wall of the second step portion on the main surface.

摘要翻译： 氮化物系半导体器件包括基板，形成在基板的第一侧端面的主面侧的第一台阶部，形成在基本上平行于基板的第二侧端面的主面侧的第二台阶部 第一侧端面与第一侧端面的相反一侧的第一侧面以及从第一台阶部的第一侧壁开始的第一侧面为（000-1）面的氮化物系半导体层，第二侧面开始 从主表面上的第二台阶部分的第二侧壁。

公开(公告)号：US07885304B2

公开(公告)日：2011-02-08

申请号：US12415647

申请日：2009-03-31

申请人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata ,  Yasumitsu Kuno

发明人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata ,  Yasumitsu Kuno

IPC分类号： H01S5/00

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/185

摘要： A nitride-based semiconductor laser device includes a nitride-based semiconductor layer formed on a main surface of a substrate and having an emission layer, wherein the nitride-based semiconductor layer includes a first side surface formed by a (000-1) plane and a second side surface inclined with respect to the first side surface, and a ridge having an optical waveguide extending perpendicular to a [0001] direction in an in-plane direction of the main surface of the substrate is formed by a region held between the first side surface and the second side surface.

摘要翻译： 氮化物系半导体激光装置包括形成在基板的主表面上并具有发光层的氮化物系半导体层，其中，所述氮化物系半导体层包括由（000-1）面形成的第一侧面和 相对于第一侧面倾斜的第二侧面，以及具有沿基板的主面的面内方向垂直于[0001]方向延伸的光波导的脊形成在保持在第一 侧表面和第二侧表面。

公开(公告)号：US20100246624A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12680412

申请日：2008-09-25

申请人： Ryoji Hiroyama ,  Yasuto Miyake ,  Yasumitsu Kuno ,  Yasuyuki Bessho ,  Masayuki Hata

发明人： Ryoji Hiroyama ,  Yasuto Miyake ,  Yasumitsu Kuno ,  Yasuyuki Bessho ,  Masayuki Hata

IPC分类号： H01S5/18 ,  H01L33/16 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00 ,  H01L33/30 ,  H01S5/323 ,  H01S5/22

CPC分类号： H01S5/18 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/02208 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/0683 ,  H01S5/1085 ,  H01S5/22 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/42

摘要： A nitride-based semiconductor light-emitting device capable of suppressing complication of a manufacturing process and reduction of luminous efficiency is obtained. This nitride-based semiconductor light-emitting device (50) includes a nitride-based semiconductor device layer (23) formed on a main surface of a (1-100) plane of a substrate (21), having a light-emitting layer (26) having a main surface of a (1-100) plane, a facet (50a) formed on an end of a region including the light-emitting layer (26) of the nitride-based semiconductor device layer (23), formed by a (000-1) plane extending in a direction substantially perpendicular to the main surface ((1-100) plane) of the light-emitting layer (26), and a reflection surface (50c) formed on a region opposed to the facet (50a) of the (000-1) plane, formed by a growth surface of the nitride-based semiconductor device layer (23), extending in a direction inclined at an angle θ1 (about) 62° with respect to the facet (50a).

摘要翻译： 可以获得能够抑制制造工序的复杂化和发光效率降低的氮化物系半导体发光装置。 该氮化物系半导体发光元件（50）具有形成在基板（（1）的（1-100）面的主面上的氮化物系半导体器件层，具有发光层 26），具有（1-100）面的主表面的小面（50a），形成在包括氮化物类半导体器件层（23）的发光层（26）的区域的一端的端部，由 （（1-100）面）的方向延伸的（000-1）面，以及形成在与该面相对的区域上的反射面（50c） 由所述氮化物基半导体器件层（23）的生长表面形成的所述（000-1）面的（50a），所述生长表面沿着相对于所述刻面以角度θ倾斜的方向（大约）62°延伸; （50a）。

公开(公告)号：US20090245310A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12415647

申请日：2009-03-31

申请人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata ,  Yasumitsu Kuno

发明人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata ,  Yasumitsu Kuno

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L21/18 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01S5/22 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/028 ,  H01S5/0282 ,  H01S5/2077 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/4031 ,  H01S2301/185

摘要： A nitride-based semiconductor laser device includes a nitride-based semiconductor layer formed on a main surface of a substrate and having an emission layer, wherein the nitride-based semiconductor layer includes a first side surface formed by a (000-1) plane and a second side surface inclined with respect to the first side surface, and a ridge having an optical waveguide extending perpendicular to a [0001] direction in an in-plane direction of the main surface of the substrate is formed by a region held between the first side surface and the second side surface.

摘要翻译： 氮化物系半导体激光装置包括形成在基板的主表面上并具有发光层的氮化物系半导体层，其中，所述氮化物系半导体层包括由（000-1）面形成的第一侧面和 相对于第一侧面倾斜的第二侧面，以及具有沿基板的主面的面内方向垂直于[0001]方向延伸的光波导的脊形成在保持在第一 侧表面和第二侧表面。

公开(公告)号：US20090267100A1

公开(公告)日：2009-10-29

申请号：US12429854

申请日：2009-04-24

申请人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata ,  Yasumitsu Kuno

发明人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata ,  Yasumitsu Kuno

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L33/00 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L29/2003 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/812 ,  H01L33/20 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/73265 ,  H01S5/0201 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2304/12 ,  H01L2924/00

摘要： A nitride-based semiconductor device includes a substrate, a first step portion formed on a main surface side of a first side end surface of the substrate, a second step portion formed on the main surface side of a second side end surface substantially parallel to the first side end surface on an opposite side of the first side end surface and a nitride-based semiconductor layer whose first side surface is a (000-1) plane starting from a first side wall of the first step portion and a second side surface starting from a second side wall of the second step portion on the main surface.

摘要翻译： 氮化物系半导体器件包括基板，形成在基板的第一侧端面的主面侧的第一台阶部，形成在基本上平行于基板的第二侧端面的主面侧的第二台阶部 第一侧端面与第一侧端面的相反一侧的第一侧面以及从第一台阶部的第一侧壁开始的第一侧面为（000-1）面的氮化物系半导体层，第二侧面开始 从主表面上的第二台阶部分的第二侧壁。

公开(公告)号：US08013344B2

公开(公告)日：2011-09-06

申请号：US12186168

申请日：2008-08-05

申请人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata

发明人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L33/025 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of forming a semiconductor device layer on an upper surface of a substrate including the upper surface, a lower surface and a dislocation concentrated region arranged so as to part a first side closer to the upper surface and a second side closer to the lower surface, exposing a portion where the dislocation concentrated region does not exist above on the lower surface by removing the substrate on the second side along with at least a part of the dislocation concentrated region, and forming an electrode on the portion.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在包括上表面，下表面和位错集中区域的基板的上表面上形成半导体器件层，以便将第一侧部分靠近上表面部分，以及 第二侧更靠近下表面，通过沿着位错集中区域的至少一部分去除第二侧的基板，在下表面上方露出位错集中区域不存在的部分，并且在第二侧上形成电极 一部分。

公开(公告)号：US20100265981A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12809770

申请日：2008-12-12

申请人： Ryoji Hiroyama ,  Yasuto Miyake ,  Yasumitsu Kunoh ,  Yasuyuki Bessho ,  Masayuki Hata

发明人： Ryoji Hiroyama ,  Yasuto Miyake ,  Yasumitsu Kunoh ,  Yasuyuki Bessho ,  Masayuki Hata

IPC分类号： H01S5/323 ,  H01L33/30 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L33/10

CPC分类号： H01S5/32341 ,  H01L33/007 ,  H01L33/16 ,  H01L33/20 ,  H01S5/0202 ,  H01S5/0203 ,  H01S5/18 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3203 ,  H01S5/4031

摘要： A nitride-based semiconductor light-emitting diode capable of suppressing complication of a manufacturing process while improving light extraction efficiency from a light-emitting layer and further improving flatness of a semiconductor layer is obtained. This nitride-based semiconductor light-emitting diode (30) includes a substrate (11) formed with a recess portion (21) on a main surface and a nitride-based semiconductor layer (12) having a light-emitting layer (14) on the main surface and including a first side surface (12a) having a (000-1) plane formed to start from a first inner side surface (21a) of the recess portion and a second side surface (12b) formed at a region opposite to the first side surface with the light-emitting layer therebetween to start from a second inner side surface (21b) of the recess portion on the main surface.

摘要翻译： 能够抑制发光层的光提取效率的提高，进一步提高半导体层的平坦度的氮化物系半导体发光二极管。 该氮化物系半导体发光二极管（30）具备在主表面上形成有凹部（21）的基板（11）和具有发光层（14）的氮化物系半导体层（12） 所述主表面包括形成为从所述凹部的第一内侧表面（21a）开始的（000-1）面的第一侧表面（12a）和形成在与所述凹部相对的区域形成的第二侧表面（12b） 其间具有发光层的第一侧表面从主表面上的凹部的第二内侧表面（21b）开始。

公开(公告)号：US08445303B2

公开(公告)日：2013-05-21

申请号：US13366589

申请日：2012-02-06

申请人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata

发明人： Yasuto Miyake ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L33/025 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of forming a semiconductor device layer on an upper surface of a substrate including the upper surface, a lower surface and a dislocation concentrated region arranged so as to part a first side closer to the upper surface and a second side closer to the lower surface, exposing a portion where the dislocation concentrated region does not exist above on the lower surface by removing the substrate on the second side along with at least a part of the dislocation concentrated region, and forming an electrode on the portion.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在包括上表面，下表面和位错集中区域的基板的上表面上形成半导体器件层，以便将第一侧部分靠近上表面部分，以及 第二侧更靠近下表面，通过沿着位错集中区域的至少一部分去除第二侧的基板，在下表面上方露出位错集中区域不存在的部分，并且在第二侧上形成电极 一部分。

公开(公告)号：US20120142167A1

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：US13366589

申请日：2012-02-06

申请人： Yasuto MIYAKE ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata

发明人： Yasuto MIYAKE ,  Ryoji Hiroyama ,  Masayuki Hata

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L33/025 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/32 ,  H01S5/0206 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2214 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/3202 ,  H01S5/34333 ,  H01S2301/173

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes steps of forming a semiconductor device layer on an upper surface of a substrate including the upper surface, a lower surface and a dislocation concentrated region arranged so as to part a first side closer to the upper surface and a second side closer to the lower surface, exposing a portion where the dislocation concentrated region does not exist above on the lower surface by removing the substrate on the second side along with at least a part of the dislocation concentrated region, and forming an electrode on the portion.

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：在包括上表面，下表面和位错集中区域的基板的上表面上形成半导体器件层，以便将第一侧部分靠近上表面部分，以及 第二侧更靠近下表面，通过沿着位错集中区域的至少一部分去除第二侧的基板，在下表面上方露出位错集中区域不存在的部分，并且在第二侧上形成电极 一部分。