公开(公告)号：US06916717B2

公开(公告)日：2005-07-12

申请号：US10137383

申请日：2002-05-03

申请人： Hao Li ,  Ravindranath Droopad ,  Daniel S. Marshall ,  Yi Wei ,  Xiao M. Hu ,  Yong Liang

发明人： Hao Li ,  Ravindranath Droopad ,  Daniel S. Marshall ,  Yi Wei ,  Xiao M. Hu ,  Yong Liang

IPC分类号： H01L33/00 ,  C30B25/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L31/10 ,  H01S5/026 ,  H01L21/336

CPC分类号： C30B25/18 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31691

摘要： High quality monocrystalline metal oxide layers are grown on a monocrystalline substrate such as a silicon wafer. The monocrystalline metal oxide is grown on the silicon substrate at a temperature low enough to prevent deleterious and simultaneous oxidation of the silicon substrate. After a layer of 1-3 monolayers of the monocrystalline oxide is grown, the growth is stopped and the crystal quality of that layer is improved by a higher temperature anneal. Following the anneal, the thickness of the layer can be increased by restarting the low temperature growth. An amorphous silicon oxide layer can be grown at the interface between the monocrystalline metal oxide layer and the silicon substrate after the thickness of the monocrystalline oxide reaches a few monolayers.

摘要翻译： 高品质单晶金属氧化物层生长在诸如硅晶片的单晶衬底上。 在硅衬底上生长单晶金属氧化物，其温度足够低以防止硅衬底的有害和同时的氧化。 在生长单层氧化物的1-3层单层之后，停止生长，并且通过较高温度退火来改善该层的晶体质量。 退火后，通过重新开始低温生长可以提高层的厚度。 在单晶氧化物的厚度达到几个单层之后，可以在单晶金属氧化物层和硅衬底之间的界面处生长非晶氧化硅层。

公开(公告)号：US06764864B1

公开(公告)日：2004-07-20

申请号：US10418372

申请日：2003-04-17

申请人： Hao Li ,  Jeffrey M. Finder ,  Yong Liang ,  Corey Overgaard

发明人： Hao Li ,  Jeffrey M. Finder ,  Yong Liang ,  Corey Overgaard

IPC分类号： H01L2100

CPC分类号： H01L21/32105 ,  C30B25/18 ,  C30B29/32 ,  H01L21/31691 ,  H01L21/7624

摘要： An exemplary system and method for providing a microwave regime, frequency-agile device is disclosed as comprising inter alia: a low-loss, insulating substrate (200); a layer of SiO2 (210) over the surface of said substrate; and a layer of BST (220) deposited over the SiO2 layer (210). Disclosed features and specifications may be variously controlled, configured, adapted or otherwise optionally modified to further improve or otherwise optimize frequency response or other material characteristics. Exemplary embodiments of the present invention representatively provide for integrated high-efficiency, low-loss microwave components that may be readily incorporated with existing technologies for the improvement of frequency response, device package form factors, weights and/or other manufacturing, device or material performance metrics.

摘要翻译： 公开了一种用于提供微波状态的频率敏捷装置的示例性系统和方法，其特别包括：低损耗绝缘基板（200）; 在所述衬底的表面上的SiO 2层（210）; 以及沉积在SiO 2层（210）上的BST（220）层。 公开的特征和规范可以被不同地控制，配置，适配或以其他方式任意地修改，以进一步改进或以其它方式优化频率响应或其他材料特性。 本发明的示例性实施例代表性地提供了集成的高效率低损耗微波部件，其可以容易地与用于改进频率响应，装置包装形状因子，重量和/或其他制造，装置或材料性能的现有技术结合 指标

公开(公告)号：US07217643B2

公开(公告)日：2007-05-15

申请号：US11066887

申请日：2005-02-24

申请人： Yong Liang ,  Hao Li

发明人： Yong Liang ,  Hao Li

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Semiconductor structures, and methods for fabricating semiconductor structures, comprising high dielectric constant stacked structures are provided. A stacked dielectric structure (16) in accordance with one exemplary embodiment of the present invention has a first amorphous dielectric layer (18) comprising HfXZr1-XO2, where 0≦X≦1. An amorphous interlayer (20) overlies the first amorphous dielectric layer. The interlayer has a net dielectric constant that is approximately no less than the dielectric constant of HfZrO4. A second amorphous dielectric layer (22) overlies the interlayer. The second amorphous dielectric layer comprises HfYZr1-YO2, where 0≦Y≦1. The stacked dielectric structure (16) has a net dielectric constant that is approximately no less than the dielectric constant of HfZrO4.

摘要翻译： 提供了包括高介电常数堆叠结构的半导体结构和用于制造半导体结构的方法。 根据本发明的一个示例性实施例的叠层电介质结构（16）具有第一非晶介质层（18），其包括Hf x N 1-X O O > 2 ，其中0 <= X <= 1。 无定形中间层（20）覆盖在第一非晶介电层上。 中间层的净介电常数近似不小于HfZrO 4的介电常数。 第二非晶介质层（22）覆盖在中间层上。 第二非晶介质层包括Hf Y 1 Y Y 2 O 2，其中0 <= Y <= 1。 叠层电介质结构（16）具有大致不小于HfZrO 4介电常数的净介电常数。

公开(公告)号：US06885065B2

公开(公告)日：2005-04-26

申请号：US10299801

申请日：2002-11-20

申请人： Yong Liang ,  Ravindranath Droopad ,  Hao Li ,  Zhiyi Yu

发明人： Yong Liang ,  Ravindranath Droopad ,  Hao Li ,  Zhiyi Yu

IPC分类号： H01L21/8246 ,  H01L27/22 ,  H01L29/72

CPC分类号： H01L27/22 ,  B82Y10/00 ,  H01L43/12

摘要： A ferromagnetic semiconductor structure is provided. The structure includes a monocrystalline semiconductor substrate and a doped titanium oxide anatase layer overlying the semiconductor substrate.

摘要翻译： 提供了铁磁半导体结构。 该结构包括单晶半导体衬底和覆盖半导体衬底的掺杂氧化钛锐钛矿层。

公开(公告)号：US20060197227A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US11066887

申请日：2005-02-24

申请人： Yong Liang ,  Hao Li

发明人： Yong Liang ,  Hao Li

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： Semiconductor structures, and methods for fabricating semiconductor structures, comprising high dielectric constant stacked structures are provided. A stacked dielectric structure (16) in accordance with one exemplary embodiment of the present invention has a first amorphous dielectric layer (18) comprising HfXZr1-XO2, where 0≦X≦1. An amorphous interlayer (20) overlies the first amorphous dielectric layer. The interlayer has a net dielectric constant that is approximately no less than the dielectric constant of HfZrO4. A second amorphous dielectric layer (22) overlies the interlayer. The second amorphous dielectric layer comprises HfYZr1-YO2, where 0≦Y≦1. The stacked dielectric structure (16) has a net dielectric constant that is approximately no less than the dielectric constant of HfZrO4.

摘要翻译： 提供了包括高介电常数堆叠结构的半导体结构和用于制造半导体结构的方法。 根据本发明的一个示例性实施例的叠层电介质结构（16）具有第一非晶介质层（18），其包括Hf x N 1-X O O > 2 ，其中0 <= X <= 1。 无定形中间层（20）覆盖在第一非晶介电层上。 中间层的净介电常数近似不小于HfZrO 4的介电常数。 第二非晶介质层（22）覆盖在中间层上。 第二非晶介质层包括Hf Y 1 Y Y 2 O 2，其中0 <= Y <= 1。 叠层电介质结构（16）具有大致不小于HfZrO 4介电常数的净介电常数。

公开(公告)号：US20080037584A1

公开(公告)日：2008-02-14

申请号：US11611086

申请日：2006-12-14

申请人： Yong Liang ,  Haihong Wei ,  Binfeng Wang ,  Xinjun Zhang

发明人： Yong Liang ,  Haihong Wei ,  Binfeng Wang ,  Xinjun Zhang

IPC分类号： H04J3/22

CPC分类号： H04Q11/0421 ,  H04Q2213/13003 ,  H04Q2213/13039 ,  H04Q2213/13109 ,  H04Q2213/13199 ,  H04Q2213/13298

摘要： This invention presents a multimode xDSL line card adaptive activation method, comprising the following steps: A) A master controller is installed and configured with multiple templates based on the modes of operation supported by a line card, and forwards templates to said line card; B) The line card receives templates forwarded by the master controller and activates the line card communications chip; C) The communications chip communicates with the remote CPE and decides on a mode of operation according to a handshake protocol; D) The line card employs a corresponding template according to the mode of operation chosen in Step C, and practices circuit activation with the CPE. This invention solves the existing problems in current multimode xDSL technology of poor compatibility and inability to adapt effectively.

摘要翻译： 本发明提出一种多模xDSL线卡自适应激活方法，包括以下步骤：A）主控制器根据线卡所支持的操作模式安装并配置多个模板，并将模板转发到所述线卡; B）线卡接收由主控制器转发的模板，激活线卡通信芯片; C）通信芯片与远程CPE通信，根据握手协议决定操作模式; D）线卡根据步骤C中选择的操作模式采用相应的模板，并用CPE实现电路激活。 本发明解决了当前多模式xDSL技术存在的兼容性差，无法有效适应的问题。

公开(公告)号：US07094675B2

公开(公告)日：2006-08-22

申请号：US10340502

申请日：2003-01-10

申请人： Yong Liang ,  John L. Daschbach ,  Yali Su ,  Scott A. Chambers

发明人： Yong Liang ,  John L. Daschbach ,  Yali Su ,  Scott A. Chambers

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  C30B29/605 ,  H01L31/0352 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/895

摘要： A method for producing quantum dots. The method includes cleaning an oxide substrate and separately cleaning a metal source. The substrate is then heated and exposed to the source in an oxygen environment. This causes metal oxide quantum dots to form on the surface of the substrate.

公开(公告)号：US07542550B2

公开(公告)日：2009-06-02

申请号：US10582710

申请日：2004-10-25

申请人： Yong Liang

发明人： Yong Liang

IPC分类号： H04M1/24 ,  H04M3/08 ,  H04M3/22

CPC分类号： H04M3/304 ,  H04L12/2878 ,  H04L43/50

摘要： The present invention discloses a system for testing subscriber lines and method thereof. The system includes a broadband line testing control module and a remote terminal subscriber access control module located at a subscriber line that is located between the broadband line testing control module and a remote terminal unit. The broadband line testing control module sends a signal of disconnecting the subscriber line to the remote terminal subscriber access control module, and tests the subscriber line. The remote terminal subscriber access control module receives said signal from the broadband line testing control module, and controls the remote terminal unit to disconnect from or connect to the subscriber line based on said signal. With the system and method according to the present invention, not only the precision of subscriber line testing is guaranteed, but also the subscriber lines can be periodically tested without manual operation.

摘要翻译： 本发明公开了一种用户线测试系统及其方法。 该系统包括位于宽带线路测试控制模块和远程终端单元之间的用户线路上的宽带线路测试控制模块和远程终端用户接入控制模块。 宽带线路测试控制模块将用户线路断开的信号发送给远程终端用户接入控制模块，并对用户线路进行测试。 远程终端用户接入控制模块从宽带线路测试控制模块接收所述信号，并根据所述信号控制远程终端单元与用户线路的连接或连接。 利用根据本发明的系统和方法，不仅保证用户线路测试的精度，而且可以在不进行手动操作的情况下定期测试用户线路。

公开(公告)号：US20090085512A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US11862343

申请日：2007-09-27

申请人： Yong Liang ,  Bernard Coll ,  Jerry Hallmark

发明人： Yong Liang ,  Bernard Coll ,  Jerry Hallmark

IPC分类号： H02J7/35 ,  H01L31/055 ,  H01M10/44

CPC分类号： H02J7/355 ,  H02J7/0044 ,  Y02E10/52

摘要： A power source (212) is disclosed for charging a battery (330) within a portable electronic device (310). An apparatus (422), such as a photovoltaic or thermoelectric cell, for charging the battery (330) is disposed contiguous to and within a transparent housing (412) of the portable electronic device (310). A fluorescent species (416), such as quantum dots or a fluorescent dye, is disposed on a side of the housing (412) opposed to the apparatus (422). Light (430) striking the fluorescent species (416) is converted into photons (432, 434) having a narrower spectrum that passes through the housing (412) to the apparatus (422). An optional layer (418) may be disposed on the fluorescent species (416) that reflects light from the fluorescent species (416) to the apparatus (422). Photonic crystals (415) may be combined with the fluorescent species (416) to increase reflectivity.

摘要翻译： 公开了一种用于为便携式电子设备（310）内的电池（330）充电的电源（212）。 用于对电池（330）充电的装置（422），例如光电或热电电池被设置成与便携式电子设备（310）的透明壳体（412）相邻并位于便携式电子设备（310）的透明壳体（412）内。 诸如量子点或荧光染料的荧光物质（416）设置在与设备（422）相对的壳体（412）的一侧上。 撞击荧光物质（416）的光（430）被转换成具有通过壳体（412）到装置（422）的较窄光谱的光子（432,434）。 可选的层（418）可以设置在将来自荧光物质（416）的光反射到设备（422）的荧光物质（416）上。 光子晶体（415）可以与荧光物质（416）组合以增加反射率。

公开(公告)号：US20080072961A1

公开(公告)日：2008-03-27

申请号：US11528124

申请日：2006-09-26

申请人： Yong Liang ,  Jon J. Candelaria ,  Kurt W. Eisenbeiser ,  Yi Wei

发明人： Yong Liang ,  Jon J. Candelaria ,  Kurt W. Eisenbeiser ,  Yi Wei

IPC分类号： H01L31/00

CPC分类号： H01L51/422 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0086 ,  H01L51/4253 ,  Y02E10/549

摘要： A sensitized photovoltaic device (10) provides for a reduction of the charge recombination rate and charge transport time. The device (10) includes a first electrode (12) comprising a transparent conducting oxide and a plurality of carbon nanostructures (16) formed thereon. A first layer (18) is formed on the carbon nanostructure (16) and comprises a first conduction band level (44). A second layer (20) is formed on the first oxide (18) and comprises a second conduction band level (46) higher than the first conduction band level (44). A sensitizer (22) is formed on the second layer (20) and comprises a lowest unoccupied molecular orbital level (48) higher than the second conduction band level (46). An electrolyte (24) is positioned over the sensitizer (22), and a second electrode (26) comprising a transparent conducting oxide and a layer of catalyst is formed over the electrolyte (24).

摘要翻译： 敏化光伏器件（10）提供电荷复合速率和电荷传输时间的降低。 装置（10）包括包括透明导电氧化物和形成在其上的多个碳纳米结构（16）的第一电极（12）。 第一层（18）形成在碳纳米结构（16）上并且包括第一导带水平（44）。 第二层（20）形成在第一氧化物（18）上并且包括高于第一导带电平（44）的第二导带电平（46）。 敏化剂（22）形成在第二层（20）上并且包括比第二导带水平（46）高的最低未占据的分子轨道水平（48）。 电解质（24）位于敏化剂（22）上方，并且在电解质（24）上方形成包括透明导电氧化物和催化剂层的第二电极（26）。