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    Vertical-type semiconductor device
    2.
    发明授权
    Vertical-type semiconductor device 有权
    垂直型半导体器件

    公开(公告)号：US08344385B2

    公开(公告)日：2013-01-01

    申请号：US12872270

    申请日：2010-08-31

    申请人： Young-Hoo Kim ,  Hyo-San Lee ,  Sang-Won Bae ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee

    发明人： Young-Hoo Kim ,  Hyo-San Lee ,  Sang-Won Bae ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/792

    CPC分类号： H01L27/11578 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

    摘要： In a vertical-type non-volatile memory device, an insulation layer pattern is provided on a substrate, the insulation layer pattern having a linear shape. Single-crystalline semiconductor patterns are provided on the substrate to make contact with both sidewalls of the insulation layer pattern, the single-crystalline semiconductor patterns having a pillar shape that extends in a vertical direction relative to the substrate. A tunnel oxide layer is provided on the single-crystalline semiconductor pattern. A lower electrode layer pattern is provided on the tunnel oxide layer and on the substrate. A plurality of insulation interlayer patterns is provided on the lower electrode layer pattern, the insulation interlayer patterns being spaced apart from one another by a predetermined distance along the single-crystalline semiconductor pattern. A charge-trapping layer and a blocking dielectric layer are sequentially formed on the tunnel oxide layer between the insulation interlayer patterns. A plurality of control gate patterns is provided on the blocking dielectric layer between the insulation interlayer patterns. An upper electrode layer pattern is provided on the tunnel oxide layer and on the uppermost insulation interlayer pattern.

    摘要翻译： 在垂直型非易失性存储器件中，在衬底上设置绝缘层图案，绝缘层图案具有直线形状。 单晶半导体图案设置在基板上以与绝缘层图案的两个侧壁接触，单晶半导体图案具有相对于基板在垂直方向上延伸的柱状。 隧道氧化物层设置在单晶半导体图案上。 在隧道氧化物层和衬底上提供下电极层图案。 在下电极层图案上设置多个绝缘层间图案，绝缘层间图案沿着单晶半导体图案彼此隔开预定距离。 在绝缘层间图案之间的隧道氧化物层上依次形成电荷捕获层和阻挡介质层。 在绝缘夹层图案之间的阻挡介质层上设置多个控制栅极图案。 在隧道氧化物层和最上层的绝缘层间图案上设置上电极层图案。

    VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE
    3.
    发明申请
    VERTICAL-TYPE SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
    垂直型半导体器件

    公开(公告)号：US20110073866A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：US12872270

    申请日：2010-08-31

    申请人： Young-Hoo Kim ,  Hyo-San Lee ,  Sang-Won Bae ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee

    发明人： Young-Hoo Kim ,  Hyo-San Lee ,  Sang-Won Bae ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee

    IPC分类号： H01L27/115

    CPC分类号： H01L27/11578 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11582

    摘要： In a vertical-type non-volatile memory device, an insulation layer pattern is provided on a substrate, the insulation layer pattern having a linear shape. Single-crystalline semiconductor patterns are provided on the substrate to make contact with both sidewalls of the insulation layer pattern, the single-crystalline semiconductor patterns having a pillar shape that extends in a vertical direction relative to the substrate. A tunnel oxide layer is provided on the single-crystalline semiconductor pattern. A lower electrode layer pattern is provided on the tunnel oxide layer and on the substrate. A plurality of insulation interlayer patterns is provided on the lower electrode layer pattern, the insulation interlayer patterns being spaced apart from one another by a predetermined distance along the single-crystalline semiconductor pattern. A charge-trapping layer and a blocking dielectric layer are sequentially formed on the tunnel oxide layer between the insulation interlayer patterns. A plurality of control gate patterns is provided on the blocking dielectric layer between the insulation interlayer patterns. An upper electrode layer pattern is provided on the tunnel oxide layer and on the uppermost insulation interlayer pattern.

    摘要翻译： 在垂直型非易失性存储器件中，在衬底上设置绝缘层图案，绝缘层图案具有直线形状。 单晶半导体图案设置在基板上以与绝缘层图案的两个侧壁接触，单晶半导体图案具有相对于基板在垂直方向上延伸的柱状。 隧道氧化物层设置在单晶半导体图案上。 在隧道氧化物层和衬底上设置下电极层图案。 在下电极层图案上设置多个绝缘层间图案，绝缘层间图案沿着单晶半导体图案彼此隔开预定距离。 在绝缘层间图案之间的隧道氧化物层上依次形成电荷捕获层和阻挡介质层。 在绝缘夹层图案之间的阻挡介质层上设置多个控制栅极图案。 在隧道氧化物层和最上层的绝缘层间图案上设置上电极层图案。

    Methods of Forming Integrated Circuit Capacitors Having Sidewall Supports and Capacitors Formed Thereby
    4.
    发明申请
    Methods of Forming Integrated Circuit Capacitors Having Sidewall Supports and Capacitors Formed Thereby 有权
    形成具有侧壁支撑和形成电容器的集成电路电容器的方法

    公开(公告)号：US20110159660A1

    公开(公告)日：2011-06-30

    申请号：US12906184

    申请日：2010-10-18

    申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

    发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

    IPC分类号： H01L21/02 ,  H01G13/00

    CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

    摘要： In a method of forming a capacitor, a first mold layer pattern including a first insulating material may be formed on a substrate. The first mold layer pattern may have a trench. A supporting layer including a second insulating material may be formed in the trench. The second insulating material may have an etching selectivity with respect to the first insulating material. A second mold layer may be formed on the first mold layer pattern and the supporting layer pattern. A lower electrode may be formed through the second mold layer and the first mold layer pattern. The lower electrode may make contact with a sidewall of the supporting layer pattern. The first mold layer pattern and the second mold layer may be removed. A dielectric layer and an upper electrode may be formed on the lower electrode and the supporting layer pattern.

    摘要翻译： 在形成电容器的方法中，可以在基板上形成包括第一绝缘材料的第一模层图案。 第一模层图案可以具有沟槽。 可以在沟槽中形成包括第二绝缘材料的支撑层。 第二绝缘材料可以具有相对于第一绝缘材料的蚀刻选择性。 可以在第一模层图案和支撑层图案上形成第二模层。 可以通过第二模具层和第一模具层图案形成下部电极。 下电极可以与支撑层图案的侧壁接触。 可以去除第一模层图案和第二模层。 电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

    Methods of forming integrated circuit capacitors having sidewall supports and capacitors formed thereby
    5.
    发明授权
    Methods of forming integrated circuit capacitors having sidewall supports and capacitors formed thereby 有权
    形成具有侧壁支撑件的集成电路电容器和由此形成的电容器的方法

    公开(公告)号：US08119476B2

    公开(公告)日：2012-02-21

    申请号：US12906184

    申请日：2010-10-18

    申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

    发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

    IPC分类号： H01L21/8242

    CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

    摘要： In a method of forming a capacitor, a first mold layer pattern including a first insulating material may be formed on a substrate. The first mold layer pattern may have a trench. A supporting layer including a second insulating material may be formed in the trench. The second insulating material may have an etching selectivity with respect to the first insulating material. A second mold layer may be formed on the first mold layer pattern and the supporting layer pattern. A lower electrode may be formed through the second mold layer and the first mold layer pattern. The lower electrode may make contact with a sidewall of the supporting layer pattern. The first mold layer pattern and the second mold layer may be removed. A dielectric layer and an upper electrode may be formed on the lower electrode and the supporting layer pattern.

    摘要翻译： 在形成电容器的方法中，可以在基板上形成包括第一绝缘材料的第一模层图案。 第一模层图案可以具有沟槽。 可以在沟槽中形成包括第二绝缘材料的支撑层。 第二绝缘材料可以具有相对于第一绝缘材料的蚀刻选择性。 可以在第一模层图案和支撑层图案上形成第二模层。 可以通过第二模具层和第一模具层图案形成下部电极。 下电极可以与支撑层图案的侧壁接触。 可以去除第一模层图案和第二模层。 电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

    Integrated circuit capacitors having sidewall supports
    6.
    发明授权
    Integrated circuit capacitors having sidewall supports 有权
    具有侧壁支撑件的集成电路电容器

    公开(公告)号：US08766343B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US13356032

    申请日：2012-01-23

    申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

    发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

    IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L29/94

    CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

    摘要： In a method of forming a capacitor, a first mold layer pattern including a first insulating material may be formed on a substrate. The first mold layer pattern may have a trench. A supporting layer including a second insulating material may be formed in the trench. The second insulating material may have an etching selectivity with respect to the first insulating material. A second mold layer may be formed on the first mold layer pattern and the supporting layer pattern. A lower electrode may be formed through the second mold layer and the first mold layer pattern. The lower electrode may make contact with a sidewall of the supporting layer pattern. The first mold layer pattern and the second mold layer may be removed. A dielectric layer and an upper electrode may be formed on the lower electrode and the supporting layer pattern.

    摘要翻译： 在形成电容器的方法中，可以在基板上形成包括第一绝缘材料的第一模层图案。 第一模层图案可以具有沟槽。 可以在沟槽中形成包括第二绝缘材料的支撑层。 第二绝缘材料可以具有相对于第一绝缘材料的蚀刻选择性。 可以在第一模层图案和支撑层图案上形成第二模层。 可以通过第二模具层和第一模具层图案形成下部电极。 下电极可以与支撑层图案的侧壁接触。 可以去除第一模层图案和第二模层。 电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

    INTEGRATED CIRCUIT CAPACITORS HAVING SIDEWALL SUPPORTS
    7.
    发明申请
    INTEGRATED CIRCUIT CAPACITORS HAVING SIDEWALL SUPPORTS 有权
    集成电路电容器具有支持端口

    公开(公告)号：US20120112317A1

    公开(公告)日：2012-05-10

    申请号：US13356032

    申请日：2012-01-23

    申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

    发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Bo-Un Yoon ,  Kun-Tack Lee ,  Woo-Gwan Shim ,  Ji-Hoon Cha ,  Im-Soo Park ,  Hyo-San Lee ,  Young-Hoo Kim ,  Jung-Min Oh

    IPC分类号： H01L21/02

    CPC分类号： H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/87

    摘要： In a method of forming a capacitor, a first mold layer pattern including a first insulating material may be formed on a substrate. The first mold layer pattern may have a trench. A supporting layer including a second insulating material may be formed in the trench. The second insulating material may have an etching selectivity with respect to the first insulating material. A second mold layer may be formed on the first mold layer pattern and the supporting layer pattern. A lower electrode may be formed through the second mold layer and the first mold layer pattern. The lower electrode may make contact with a sidewall of the supporting layer pattern. The first mold layer pattern and the second mold layer may be removed. A dielectric layer and an upper electrode may be formed on the lower electrode and the supporting layer pattern.

    摘要翻译： 在形成电容器的方法中，可以在基板上形成包括第一绝缘材料的第一模层图案。 第一模层图案可以具有沟槽。 可以在沟槽中形成包括第二绝缘材料的支撑层。 第二绝缘材料可以具有相对于第一绝缘材料的蚀刻选择性。 可以在第一模层图案和支撑层图案上形成第二模层。 可以通过第二模具层和第一模具层图案形成下部电极。 下电极可以与支撑层图案的侧壁接触。 可以去除第一模层图案和第二模层。 电介质层和上电极可以形成在下电极和支撑层图案上。

    Method of removing photoresist and method of manufacturing a semiconductor device
    9.
    发明授权
    Method of removing photoresist and method of manufacturing a semiconductor device 失效
    去除光刻胶的方法和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US07959738B2

    公开(公告)日：2011-06-14

    申请号：US11984340

    申请日：2007-11-16

    申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Hyo-San Lee ,  Dong-Gyun Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee

    发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Hyo-San Lee ,  Dong-Gyun Han ,  Chang-Ki Hong ,  Kun-Tack Lee

    IPC分类号： H01L21/28

    CPC分类号： H01L21/31133 ,  G03F7/422 ,  G03F7/425 ,  H01L21/28061 ,  H01L29/4941 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833

    摘要： A method of removing a photoresist may include permeating supercritical carbon dioxide into the photoresist on a substrate having a conductive structure including a metal. The photoresist permeating the supercritical carbon dioxide may be easily removable. The photoresist permeating the supercritical carbon dioxide may be removed using a photoresist cleaning solution from the substrate. The photoresist cleaning solution may include an alkanolamine solution of about 8 percent by weight to about 20 percent by weight, a polar organic solution of about 25 percent by weight to about 40 percent by weight, a reducing agent of about 0.5 percent by weight to about 3 percent by weight with the remainder being water. The photoresist may be easily removed without damaging the conductive structure in a plasma process.

    摘要翻译： 去除光致抗蚀剂的方法可以包括在具有包括金属的导电结构的基底上的光致抗蚀剂中渗透超临界二氧化碳。 渗透超临​​界二氧化碳的光致抗蚀剂可以容易地去除。 可以使用来自基底的光致抗蚀剂清洁溶液去除渗透超临界二氧化碳的光致抗蚀剂。 光致抗蚀剂清洁溶液可以包括约8重量％至约20重量％的链烷醇胺溶液，约25重量％至约40重量％的极性有机溶液，约0.5重量％至约 3重量％，其余为水。 可以容易地去除光致抗蚀剂，而不会在等离子体工艺中损坏导电结构。