公开(公告)号：US20090236634A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12382481

申请日：2009-03-17

申请人： Yoshihiko Moriya ,  Takeshi Tanaka ,  Yohei Otoki ,  Masae Sahara

发明人： Yoshihiko Moriya ,  Takeshi Tanaka ,  Yohei Otoki ,  Masae Sahara

IPC分类号： H01L29/205

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/7786

摘要： A nitride semiconductor epitaxial wafer includes a growth substrate including a surface for growing a nitride semiconductor thereon, a first structure layer formed on the growth substrate, a dislocation propagation direction changing layer formed on the first structure layer for changing a propagation direction of a dislocation propagated in the first structure layer into a lateral direction, a second structure layer formed on the dislocation propagation direction changing layer, and a buffer layer formed on the second structure layer for changing a propagation direction of a dislocation propagated in the second structure layer.

摘要翻译： 氮化物半导体外延晶片包括生长衬底，其包括用于在其上生长氮化物半导体的表面，形成在生长衬底上的第一结构层，形成在第一结构层上的位错传播方向改变层，用于改变传播的位错的传播方向 在第一结构层中形成横向，形成在位错传播方向改变层上的第二结构层，以及形成在第二结构层上的缓冲层，用于改变在第二结构层中传播的位错的传播方向。

公开(公告)号：US07948009B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US12382481

申请日：2009-03-17

申请人： Yoshihiko Moriya ,  Takeshi Tanaka ,  Yohei Otoki ,  Masae Sahara

发明人： Yoshihiko Moriya ,  Takeshi Tanaka ,  Yohei Otoki ,  Masae Sahara

IPC分类号： H01L31/072 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/0336

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/7786

摘要： A nitride semiconductor epitaxial wafer includes a growth substrate including a surface for growing a nitride semiconductor thereon, a first structure layer formed on the growth substrate, a dislocation propagation direction changing layer formed on the first structure layer for changing a propagation direction of a dislocation propagated in the first structure layer into a lateral direction, a second structure layer formed on the dislocation propagation direction changing layer, and a buffer layer formed on the second structure layer for changing a propagation direction of a dislocation propagated in the second structure layer.

摘要翻译： 氮化物半导体外延晶片包括生长衬底，其包括用于在其上生长氮化物半导体的表面，形成在生长衬底上的第一结构层，形成在第一结构层上的位错传播方向改变层，用于改变传播的位错的传播方向 在第一结构层中形成横向，形成在位错传播方向改变层上的第二结构层，以及形成在第二结构层上的缓冲层，用于改变在第二结构层中传播的位错的传播方向。

公开(公告)号：US20120067275A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：US13237084

申请日：2011-09-20

申请人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

发明人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

IPC分类号： C30B25/10 ,  C30B25/02

CPC分类号： H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer, and a skewness of the upper surface of the AlN layer is positive.

摘要翻译： 半导体外延基板包括：单晶基板; 在单晶衬底上外延生长的AlN层; 以及在所述AlN层上外延生长的氮化物半导体层，其中，所述AlN层与所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度大于所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面，并且所述AlN层的上表面的倾斜度 是积极的。

公开(公告)号：US08440549B2

公开(公告)日：2013-05-14

申请号：US13237084

申请日：2011-09-20

申请人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

发明人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L33/32

CPC分类号： H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer, and a skewness of the upper surface of the AlN layer is positive.

摘要翻译： 半导体外延基板包括：单晶基板; 在单晶衬底上外延生长的AlN层; 以及在所述AlN层上外延生长的氮化物半导体层，其中，所述AlN层与所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度大于所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面，并且所述AlN层的上表面的倾斜度 是积极的。

公开(公告)号：US08264006B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12772624

申请日：2010-05-03

申请人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

发明人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer, and a skewness of the upper surface of the AlN layer is positive.

摘要翻译： 半导体外延基板包括：单晶基板; 在单晶衬底上外延生长的AlN层; 以及在所述AlN层上外延生长的氮化物半导体层，其中，所述AlN层与所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度大于所述单晶衬底和所述AlN层之间的界面，并且所述AlN层的上表面的倾斜度 是积极的。

公开(公告)号：US08264005B2

公开(公告)日：2012-09-11

申请号：US12772661

申请日：2010-05-03

申请人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

发明人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AlN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer, and a skewness of the upper surface of the AlN layer is positive.

公开(公告)号：US08044492B2

公开(公告)日：2011-10-25

申请号：US12059693

申请日：2008-03-31

申请人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

发明人： Kenji Imanishi ,  Toshihide Kikkawa ,  Takeshi Tanaka ,  Yoshihiko Moriya ,  Yohei Otoki

IPC分类号： H01L29/30 ,  H01L33/22

CPC分类号： H01L21/02581 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02494 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262

摘要： A semiconductor epitaxial substrate includes: a single crystal substrate; an AlN layer epitaxially grown on the single crystal substrate; and a nitride semiconductor layer epitaxially grown on the AN layer, wherein an interface between the AlN layer and nitride semiconductor layer has a larger roughness than an interface between the single crystal substrate and AlN layer, and a skewness of the upper surface of the AlN layer is positive.

摘要翻译： 半导体外延基板包括：单晶基板; 在单晶衬底上外延生长的AlN层; 以及在所述AN层上外延生长的氮化物半导体层，其中，所述AlN层与所述氮化物半导体层之间的界面的粗糙度大于所述单晶衬底和AlN层之间的界面，并且所述AlN层的上表面的偏斜度 是积极的。

公开(公告)号：US20090026499A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12019137

申请日：2008-01-24

申请人： Takeshi Kikawa ,  Shinichiro Takatani ,  Tomihisa Yukimoto ,  Yohei Otoki ,  Hiroyuki Kamogawa ,  Tomoyoshi Mishima

发明人： Takeshi Kikawa ,  Shinichiro Takatani ,  Tomihisa Yukimoto ,  Yohei Otoki ,  Hiroyuki Kamogawa ,  Tomoyoshi Mishima

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7783 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02392 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02461 ,  H01L21/02463 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/155 ,  H01L29/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/8605

摘要： A semiconductor integrated circuit device having a plurality of semiconductor electronic members including a field effect transistor, intended for suppressing a sidegating effect on the field effect transistor, wherein accumulation of majority carriers of the field effect transistor is suppressed at the interface of heterojunction in the buffering compound semiconductor layer and the interface between the substrate and the buffering compound semiconductor layer in the device isolation region so that the discontinuity of energy forbidden bands of the semiconductors caused at the interfaces does not form a potential barrier upon conduction of the carriers into the substrate, whereby the sidegating effect from the resistor element, etc. placed adjacently to the field effect transistor can be decreased drastically.

摘要翻译： 一种半导体集成电路器件，具有多个包括场效应晶体管的半导体电子元件，旨在抑制场效应晶体管的侧向效应，其中场效应晶体管的多数载流子的积累被抑制在缓冲中的异质结界面处 化合物半导体层以及衬底和器件隔离区中的缓冲化合物半导体层之间的界面，使得在界面处引起的半导体的能量禁带的不连续性在载体传导到衬底中时不形成势垒， 从而可以显着降低来自与场效应晶体管相邻放置的电阻元件等的侧向起作用。