公开(公告)号：US07498126B2

公开(公告)日：2009-03-03

申请号：US11806970

申请日：2007-06-05

申请人： Youichi Ohsawa ,  Kazunori Maeda ,  Satoshi Watanabe

发明人： Youichi Ohsawa ,  Kazunori Maeda ,  Satoshi Watanabe

IPC分类号： G03C1/73 ,  G03F7/031 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07D333/36 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

摘要： A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.

摘要翻译： 光致酸发生器具有式（1）。 包含光致酸发生器的化学放大抗蚀剂组合物具有包括高分辨率，聚焦纬度，长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状的优点。 当光酸产生剂与具有不同于缩醛类型的酸不稳定基团的树脂组合时，分辨率和顶部损失得到改善。 该组合物适用于深紫外光刻。

公开(公告)号：US07335458B2

公开(公告)日：2008-02-26

申请号：US11354204

申请日：2006-02-15

申请人： Youichi Ohsawa ,  Kazunori Maeda ,  Satoshi Watanabe

发明人： Youichi Ohsawa ,  Kazunori Maeda ,  Satoshi Watanabe

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A chemically amplified positive resist composition is provided comprising (A) a resin containing acid labile groups other than acetal type which changes its solubility in an alkaline developer as a result of the acid labile groups being eliminated under the action of acid and (B) specific sulfonium salts as a photoacid generator.The composition is improved in resolution and focus latitude, minimized in line width variation and profile degradation even on prolonged PED, improved in pattern profile after development, minimized in pattern feature size variation within the wafer plane by uneven development and thus best suited in the deep-UV lithography.

摘要翻译： 提供一种化学放大正性抗蚀剂组合物，其包含（A）除了缩醛型以外的酸不稳定基团的树脂，其在酸性作用下由于酸不稳定基团被消除而改变其在碱性显影剂中的溶解度，（B）具体 锍盐作为光致酸发生剂。 组合物在分辨率和对焦纬度方面得到改善，即使在长时间的PED下也减少了线宽变化和轮廓退化，改善了显影后的图案轮廓，通过不平坦的发展使晶片平面内的图案特征尺寸变化最小化，因此最适合于深度 -UV光刻。

公开(公告)号：US20060188810A1

公开(公告)日：2006-08-24

申请号：US11354204

申请日：2006-02-15

申请人： Youichi Ohsawa ,  Kazunori Maeda ,  Satoshi Watanabe

发明人： Youichi Ohsawa ,  Kazunori Maeda ,  Satoshi Watanabe

IPC分类号： G03C1/76

CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111

摘要： A chemically amplified positive resist composition is provided comprising (A) a resin containing acid labile groups other than acetal type which changes its solubility in an alkaline developer as a result of the acid labile groups being eliminated under the action of acid and (B) specific sulfonium salts as a photoacid generator. The composition is improved in resolution and focus latitude, minimized in line width variation and profile degradation even on prolonged PED, improved in pattern profile after development, minimized in pattern feature size variation within the wafer plane by uneven development and thus best suited in the deep-UV lithography.

摘要翻译： 提供一种化学放大正性抗蚀剂组合物，其包含（A）除了缩醛型以外的酸不稳定基团的树脂，其在酸性作用下由于酸不稳定基团被消除而改变其在碱性显影剂中的溶解度，（B）具体 锍盐作为光致酸发生剂。 组合物在分辨率和对焦纬度方面得到改善，即使在长时间的PED下也减少了线宽变化和轮廓退化，改善了显影后的图案轮廓，通过不平坦的发展使晶片平面内的图案特征尺寸变化最小化，因此最适合于深度 -UV光刻。

公开(公告)号：US20070292768A1

公开(公告)日：2007-12-20

申请号：US11806970

申请日：2007-06-05

申请人： Youichi Ohsawa ,  Kazunori Maeda ,  Satoshi Watanabe

发明人： Youichi Ohsawa ,  Kazunori Maeda ,  Satoshi Watanabe

IPC分类号： G03C1/00 ,  C07D333/36 ,  G03C5/56

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07D333/36 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

摘要： A photoacid generator has formula (1). A chemically amplified resist composition comprising the photoacid generator has advantages including a high resolution, focus latitude, long-term PED dimensional stability, and a satisfactory pattern profile shape. When the photoacid generator is combined with a resin having acid labile groups other than those of the acetal type, resolution and top loss are improved. The composition is suited for deep UV lithography.

摘要翻译： 光致酸发生器具有式（1）。 包含光致酸发生器的化学放大抗蚀剂组合物具有包括高分辨率，聚焦纬度，长期PED尺寸稳定性和令人满意的图案轮廓形状的优点。 当光酸产生剂与具有不同于缩醛类型的酸不稳定基团的树脂组合时，分辨率和顶部损失得到改善。 该组合物适用于深紫外光刻。

公开(公告)号：US07056640B2

公开(公告)日：2006-06-06

申请号：US10636541

申请日：2003-08-08

申请人： Youichi Ohsawa ,  Satoshi Watanabe ,  Kazunori Maeda

发明人： Youichi Ohsawa ,  Satoshi Watanabe ,  Kazunori Maeda

IPC分类号： G03F7/023 ,  G03F7/30

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C317/28 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106

摘要： Sulfonyldiazomethane compounds containing a long-chain alkyl- or alkoxy-naphthyl group are novel and useful as photoacid generators. Chemical amplification type resist compositions comprising the same are suited for microfabrication because of many advantages including improved resolution, improved focus latitude, and minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED.

摘要翻译： 含有长链烷基 - 或烷氧基 - 萘基的磺酰基重氮甲烷化合物是新颖的，可用作光致酸发生剂。 包含该化合物的抗蚀剂组合物由于具有改善的分辨率，改善的聚焦纬度以及即使在长期PED下也能最小化线宽变化或形状退化的诸多优点，因此适用于微细加工。

公开(公告)号：US06338931B1

公开(公告)日：2002-01-15

申请号：US09637595

申请日：2000-08-15

申请人： Kazunori Maeda ,  Takeshi Nagata ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Jun Watanabe ,  Shigehiro Nagura

发明人： Kazunori Maeda ,  Takeshi Nagata ,  Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Jun Watanabe ,  Shigehiro Nagura

IPC分类号： G03F7039

CPC分类号： G03F7/0045 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106

摘要： A chemical amplification type resist composition contains as a photoacid generator a sulfonyldiazomethane compound of the formula (1): wherein R1 is C1-10 alkyl or C6-14 aryl, R2 is C1-6 alkyl, G is SO2 or CO, R3 is C1-10 alkyl or C6-14 aryl, p is an integer of 0 to 4, q is an integer of 1 to 5, 1≦p+q≦5, n is 1 or 2, m is 0 or 1, and n+m=2. The composition is suited for microfabrication, especially by deep UV lithography because of many advantages including improved resolution, minimized line width variation or shape degradation even on long-term PED, minimized debris after coating, development and peeling, and improved pattern profile after development.

摘要翻译： 化学放大型抗蚀剂组合物含有式（1）的磺酰基二氮甲烷化合物作为光酸产生剂：其中R1是C1-10烷基或C6-14芳基，R2是C1-6烷基，G是SO2或CO，R3是C1 -10烷基或C6-14芳基，p为0〜4的整数，q为1〜5的整数，1 <= p + q <= 5，n为1或2，m为0或1， n + m = 2。 该组合物特别适用于微细加工，因为包括改进的分辨率，最小化的线宽变化或形状退化的许多优点，即使在长期PED，涂布后的最小化碎片，显影和剥离以及显影后的改进的图案轮廓方面也是如此。

公开(公告)号：US08632939B2

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：US13035066

申请日：2011-02-25

申请人： Keiichi Masunaga ,  Satoshi Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Daisuke Domon

发明人： Keiichi Masunaga ,  Satoshi Watanabe ,  Jun Hatakeyama ,  Youichi Ohsawa ,  Daisuke Domon

IPC分类号： G03F7/004 ,  G03F7/30 ,  C08F220/22 ,  G03F7/039

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C08F20/22 ,  C08F212/14 ,  C08F220/18 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/039 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  C08F2220/283 ,  C08F232/08 ,  C08F2220/382

摘要： A polymer comprising recurring units having a fluorinated carboxylic acid onium salt structure on a side chain is used to formulate a chemically amplified positive resist composition. When the composition is processed by lithography to form a positive pattern, the diffusion of acid in the resist film is uniform and slow, and the pattern is improved in LER.

摘要翻译： 使用包含在侧链上具有氟化羧酸鎓盐结构的重复单元的聚合物来配制化学放大的正性抗蚀剂组合物。 当通过光刻处理组合物以形成正图案时，抗蚀剂膜中的酸的扩散是均匀和缓慢的，并且图案在LER中得到改善。

公开(公告)号：US07211367B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US11373925

申请日：2006-03-13

申请人： Tomohiro Kobayashi ,  Satoshi Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Youichi Ohsawa ,  Katsuhiro Kobayashi

发明人： Tomohiro Kobayashi ,  Satoshi Watanabe ,  Tsunehiro Nishi ,  Youichi Ohsawa ,  Katsuhiro Kobayashi

IPC分类号： G03F7/031

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07D327/06 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758

摘要： A high resolution resist material comprising an acid generator is provided so that high sensitivity and high resolution for high energy rays of 300 nm or less, small line-edge roughness, and excellence in heat stability and storage stability are obtained. Moreover, a pattern formation method using this resist material are provided. Specifically, a novel compound of the following general formula (1); and a positive resist material comprising this compound preferably as a photo acid generator, and a base resin; are provided. This positive resist material may contain a basic compound or a dissolution inhibitor. Further, the present invention provides a pattern formation method comprising the steps of applying this positive resist material on a substrate, then heat-treating the material, exposing the treated material to a high energy ray having a wavelength of 300 nm or less via a photo mask, optionally heat-treating the exposed material, and developing the material using a developer

摘要翻译： 提供了包含酸产生器的高分辨率抗蚀剂材料，从而获得了300nm以下的高能量射线的高灵敏度和高分辨率，小的线边缘粗糙度，以及热稳定性和储存稳定性方面的优异性。 此外，提供了使用该抗蚀剂材料的图案形成方法。 具体地，下述通式（1）的新化合物; 以及优选含有该化合物作为光酸发生剂的正性抗蚀剂材料和基础树脂; 被提供。 该正性抗蚀剂材料可含有碱性化合物或溶解抑制剂。 此外，本发明提供了一种图案形成方法，包括以下步骤：将该正性抗蚀剂材料涂布在基板上，然后对该材料进行热处理，通过照片将经处理的材料暴露于波长为300nm以下的高能量射线 掩模，任选地热处理暴露的材料，以及使用显影剂显影材料

公开(公告)号：US5691112A

公开(公告)日：1997-11-25

申请号：US762861

申请日：1996-12-10

申请人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

发明人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： C07C317/22 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C317/22 ,  C07C381/12

摘要： Trifluoromethanesulfonic and p-toluenesulfonic acid bis- or tris(p-tert-butoxyphenyl)sulfonium salts are novel. They are prepared from bis(p-tert-butoxyphenyl)sulfoxide which is also novel. A chemically amplified positive resist composition which contains the sulfonium salt as a photo-acid generator is highly sensitive to deep-UV rays, electron beams and X-rays, can be developed with alkaline aqueous solution to form a pattern, and is thus suitable for use in a fine patterning technique.

摘要翻译： 三氟甲磺酸和对甲苯磺酸双或三（对叔丁氧基苯基）锍盐是新颖的。 它们由双（对叔丁氧基苯基）亚砜制备，也是新的。 含有锍盐作为光酸发生剂的化学增幅正性抗蚀剂组合物对深紫外线，电子束和X射线高度敏感，可以用碱性水溶液显影形成图案，因此适用于 使用精细图案化技术。

公开(公告)号：US5633409A

公开(公告)日：1997-05-27

申请号：US379986

申请日：1995-01-27

申请人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

发明人： Satoshi Watanabe ,  Youichi Ohsawa ,  Toshinobu Ishihara ,  Kazumasa Maruyama ,  Yoshihumi Takeda ,  Junji Shimada ,  Fujio Yagihashi ,  Katsuya Takemura

IPC分类号： C07C317/22 ,  C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  C07C319/00

CPC分类号： G03F7/0045 ,  C07C317/22 ,  C07C381/12

摘要： Trifluoromethanesulfonic and p-toluenesulfonic acid bis- or tris(p-tert-butoxyphenyl)sulfonium salts are novel. They are prepared from bis(p-tert-butoxyphenyl)sulfoxide which is also novel. A chemically amplified positive resist composition which contains the sulfonium salt as a photo-acid generator is highly sensitive to deep-UV rays, electron beams and X-rays, can be developed with alkaline aqueous solution to form a pattern, and is thus suitable for use in a fine patterning technique.

摘要翻译： 三氟甲磺酸和对甲苯磺酸双或三（对叔丁氧基苯基）锍盐是新颖的。 它们由双（对叔丁氧基苯基）亚砜制备，也是新的。 含有锍盐作为光酸发生剂的化学增幅正性抗蚀剂组合物对深紫外线，电子束和X射线高度敏感，可以用碱性水溶液显影形成图案，因此适用于 使用精细图案化技术。