公开(公告)号：US09487405B2

公开(公告)日：2016-11-08

申请号：US13826521

申请日：2013-03-14

申请人： KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： Sang Whan Park ,  Kyoung Sop Han ,  Sung Ho Yun ,  Jin Oh Yang ,  Gyoung Sun Cho ,  Mi Rae Youm ,  Yung Chul Jo

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  C01B32/956

摘要： Disclosed herein is a method for manufacturing SiC powders with a high purity, and more particularly, a method for manufacturing SiC powders with a high purity by reating a solid phase carbon source as raw materials with gas phase silicon sources generated from a starting material composed of metallic silicon and silicon dioxide powders and, in which it is easy to control the size and crystalline phase of the SiC powders by changing the compositions of the gas phase silicon source to the solid phase carbon source mole ratio, and the temperature and time for the heat treatment.

摘要翻译： 本发明公开了一种高纯度SiC粉末的制造方法，更具体地说，涉及一种以固相碳源为原料制造具有高纯度的SiC粉末的方法，所述SiC粉末是由由 金属硅和二氧化硅粉末，其中通过将气相硅源的组成改变为固相碳源摩尔比容易控制SiC粉末的尺寸和结晶相，并且其温度和时间 热处理。

公开(公告)号：US20160207782A1

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：US14864125

申请日：2015-09-24

申请人： MELIOR INNOVATIONS, INC.

发明人： Ashish P. Diwanji ,  Andrew R. Hopkins ,  Walter J. Sherwood ,  Douglas M. Dukes ,  Glenn Sandgren ,  Mark S. Land ,  Brian L. Benac

IPC分类号： C01B31/36 ,  C01B31/20 ,  C04B35/571 ,  C01B31/18

CPC分类号： C01B31/36 ,  C01B32/40 ,  C01B32/50 ,  C01B32/956 ,  C04B35/56 ,  C04B35/5603 ,  C04B35/571 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3826 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/483 ,  C04B2235/528 ,  C04B2235/5427 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6581 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C08G77/12 ,  C08G77/20 ,  C08G77/50 ,  C08G77/80 ,  C08L83/04 ,  C09K8/80 ,  C08L83/00

摘要： Organosilicon chemistry, polymer derived ceramic materials, and methods. Such materials and methods for making polysilocarb (SiOC) and Silicon Carbide (SiC) materials having 3-nines, 4-nines, 6-nines and greater purity. Processes and articles utilizing such high purity SiOC and SiC.

摘要翻译： 有机硅化学，聚合物衍生的陶瓷材料和方法。 用于制备具有3-9,7,9和9个纯度的多硫化碳（SiOC）和碳化硅（SiC）材料的材料和方法。 使用这种高纯度SiOC和SiC的工艺和制品。

公开(公告)号：US20160023911A1

公开(公告)日：2016-01-28

申请号：US14570927

申请日：2014-12-15

申请人： Advanced Ceramic Fibers, LLC

发明人： John E. Garnier ,  George W. Griffith

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/956 ,  C04B35/565 ,  C04B35/571 ,  C04B35/573 ,  C04B35/62281 ,  C04B35/806 ,  C04B2235/428 ,  C04B2235/46 ,  C04B2235/48 ,  C04B2235/5244 ,  C04B2235/5248 ,  C04B2235/526 ,  C04B2235/5264 ,  C04B2235/5284 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/616 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/767 ,  Y10T428/249924 ,  Y10T428/249928 ,  Y10T428/24993 ,  Y10T428/249974 ,  Y10T428/2918 ,  Y10T428/292 ,  Y10T428/2933 ,  Y10T428/2958 ,  Y10T428/2964 ,  Y10T428/2967 ,  Y10T428/2975

摘要： Methods of producing silicon carbide fibers. The method comprises reacting a continuous carbon fiber material and a silicon-containing gas in a reaction chamber at a temperature ranging from approximately 1500° C. to approximately 2000° C. A partial pressure of oxygen in the reaction chamber is maintained at less than approximately 1.01×102 Pascal to produce continuous alpha silicon carbide fibers. Continuous alpha silicon carbide fibers and articles formed from the continuous alpha silicon carbide fibers are also disclosed.

摘要翻译： 生产碳化硅纤维的方法。 该方法包括使反应室中的连续碳纤维材料和含硅气体在约1500℃至约2000℃的温度下反应。反应室中氧的分压保持在小于约 1.01×102帕斯卡，以生产连续的α碳化硅纤维。 还公开了连续的α碳化硅纤维和由连续的α碳化硅纤维形成的制品。

公开(公告)号：US09102543B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US14236813

申请日：2012-08-01

申请人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

发明人： Jung Eun Han ,  Byung Sook Kim

IPC分类号： C01B31/36

CPC分类号： C01B31/36 ,  C01B32/956 ,  C04B2235/3826

摘要： A method of fabricating silicon carbide according to the embodiment comprises the steps of preparing a mixture by mixing a dry silicon source with a carbon source comprising an organic carbon compound; and reacting the mixture, wherein a viscosity of the carbon source is in a range of 20 cps to 1000 cps.

摘要翻译： 根据实施例的制造碳化硅的方法包括以下步骤：通过将干硅源与包含有机碳化合物的碳源混合来制备混合物; 并使所述混合物反应，其中所述碳源的粘度在20cps至1000cps的范围内。

公开(公告)号：US6063243A

公开(公告)日：2000-05-16

申请号：US978437

申请日：1997-11-25

申请人： Alexander Karlwalter Zettl ,  Marvin Lou Cohen

发明人： Alexander Karlwalter Zettl ,  Marvin Lou Cohen

IPC分类号： B01J19/08 ,  B32B5/16

CPC分类号： C01B21/0648 ,  B82Y30/00 ,  C01B21/0828 ,  C01B31/36 ,  C01P2004/13 ,  C01P2004/64 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/842

摘要： The present invention is an apparatus and method for producing nano-scale tubes and particles. The apparatus comprises novel electrodes for use in arc discharge techniques. The electrodes have interior conduits for delivery and withdrawal of material from the arc region where product is formed. In one embodiment, the anode is optionally made from more than one material and is termed a compound anode. The materials used in the compound anode assist in the reaction that forms product in the arc region of the apparatus. The materials assist either by providing reaction ingredients, catalyst, or affecting the reaction kinetics. Among other uses, the inventive apparatus is used to produce nanotubes and nanoparticles having a variety of electrical and mechanical properties.

摘要翻译： 本发明是用于生产纳米级管和颗粒的装置和方法。 该装置包括用于电弧放电技术的新型电极。 电极具有用于从形成产品的电弧区域输送和抽出材料的内部导管。 在一个实施例中，阳极任选地由多于一种的材料制成，并称为复合阳极。 在复合阳极中使用的材料有助于在装置的电弧区域中形成产物的反应。 这些材料通过提供反应成分，催化剂或影响反应动力学来协助。 除了其它用途之外，本发明的装置用于制造具有各种电学和机械性质的纳米管和纳米颗粒。

公开(公告)号：US5993770A

公开(公告)日：1999-11-30

申请号：US140828

申请日：1998-08-26

申请人： Akihiro Kuroyanagi ,  Tomiya Yasunaka ,  Yuji Ushijima ,  Kenichi Kanai

发明人： Akihiro Kuroyanagi ,  Tomiya Yasunaka ,  Yuji Ushijima ,  Kenichi Kanai

IPC分类号： C04B35/565 ,  B28B1/30 ,  C01B31/36 ,  C23C16/32 ,  C23C16/42 ,  H01L21/683 ,  B01J27/22 ,  B01J27/224 ,  C30B13/00

CPC分类号： C23C16/325 ,  C01B31/36 ,  C01P2004/61 ,  C01P2006/32 ,  C01P2006/90

摘要： An SiC film having an excellent strength and thermal characteristics. The SiC film is prepared by a CVD process (i.e. CVD-SiC fabrication) and has a thermal conductivity along the direction of the SiC crystal growth between 100 and 300 W/m.multidot.K, and an average grain diameter of the internal structure between 4 to 12 .mu.m. It is preferred that the ratio of the thermal conductivity along the direction of the SiC crystal growth to the thermal conductivity in the perpendicular direction is in a range of 1.10 to 1.40.

摘要翻译： 具有优异的强度和热特性的SiC膜。 通过CVD工艺（即CVD-SiC制造）制备SiC膜，并且沿着SiC晶体生长方向的热导率为100〜300W / m×K，内部结构的平均粒径为4〜12 亩 优选沿着SiC晶体生长方向的热导率与垂直方向的导热率之比在1.10〜1.40的范围内。

公开(公告)号：US5571483A

公开(公告)日：1996-11-05

申请号：US470923

申请日：1990-01-26

申请人： Hans Pfingstl ,  Walter Martyniuk ,  Armand Ladage ,  Tom McNally ,  Robert Myers ,  Ludwig Eberle

发明人： Hans Pfingstl ,  Walter Martyniuk ,  Armand Ladage ,  Tom McNally ,  Robert Myers ,  Ludwig Eberle

IPC分类号： B01J19/00 ,  C01B31/36 ,  C07C29/151

CPC分类号： B01J19/00 ,  C01B31/36 ,  C07C29/151 ,  B01J2219/00006

摘要： A continuous flow method and system is provided for converting environmentally pollutant by-product waste gases emitted during the manufacture of a product in a first manufacturing plant to a useful product in a second manufacturing plant such that release of the gases into the atmosphere may be prevented.

摘要翻译： 提供了一种连续流动方法和系统，用于将在第一制造工厂中的产品制造期间排放的环境污染副产物废气转化为第二制造工厂中的有用产品，从而可以防止气体释放到大气中 。

公开(公告)号：US5523269A

公开(公告)日：1996-06-04

申请号：US305853

申请日：1994-09-14

申请人： David L. Morgan ,  Vladimir Cukan

发明人： David L. Morgan ,  Vladimir Cukan

IPC分类号： C01B31/02 ,  C01B21/06 ,  C01B31/30 ,  C01B31/34 ,  C01B31/36 ,  C10C3/02 ,  C10C3/08 ,  D01F6/00 ,  D01F9/145 ,  D01F9/15 ,  D01F9/24

CPC分类号： B82Y30/00 ,  C01B21/06 ,  C01B31/305 ,  C01B31/34 ,  C01B31/36 ,  D01F9/15 ,  C01P2002/60 ,  C01P2004/10 ,  C01P2004/61 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  Y10S264/19

摘要： A method of making a compound selected from metal and silicon carbides and nitrides includes the steps of providing a solution of a coal-derived material in a solvent, the coal-derived material having a composition, free of solvent, of 70 to 91 percent by mass of carbon, 2 to 6 percent by mass of hydrogen and 3 to 20 percent by mass of oxygen, and a source of an oxide of silicon or the metal, causing the coal-derived material in solution and the source of the oxide to interact, removing the solvent to form a precursor and heat treating the precursor to produce the compound.

公开(公告)号：US5370854A

公开(公告)日：1994-12-06

申请号：US1990

申请日：1993-01-08

申请人： John P. Henley ,  Gene A. Cochran ,  David A. Dunn ,  Glenn A. Eisman ,  Alan W. Weimer

发明人： John P. Henley ,  Gene A. Cochran ,  David A. Dunn ,  Glenn A. Eisman ,  Alan W. Weimer

IPC分类号： B01J8/08 ,  C01B20060101 ,  C01B21/06 ,  C01B21/068 ,  C01B21/072 ,  C01B21/076 ,  C01B31/30 ,  C01B31/36

CPC分类号： C01B21/0726 ,  B01J8/087 ,  C01B21/06 ,  C01B21/0685 ,  C01B31/30 ,  C01B31/36 ,  C01B21/0617 ,  C01B21/062 ,  C01B21/076 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80

摘要： Carbothermally reduce a metal oxide to its corresponding metal nitride or metal carbide powder in a vertical gravity flow reactor by adding precursor pellets containing the metal oxide, a thermally decomposed binder material and carbon or a source of carbon directly to a heated reaction zone within the reactor. The pellets form a pellet bed, the top of which must be maintained within the heated reaction zone. The binder material is a blend of wheat and corn starches, optionally in conjunction with another binder such as melamine. The binder material thermally decomposes to a carbonaceous residue which functions both as an additional source of carbon and as a binder for the precursor pellets. The reactor may be modified by adding an internal vent line to remove volatile materials from the heated reaction zone before they have an opportunity to condense on internal reactor surfaces.

摘要翻译： 通过将含有金属氧化物，热分解的粘合剂材料和碳或碳源的前体颗粒直接加入反应器内的加热反应区，将垂直重力流反应器中的金属氧化物碳氢化合物还原成其相应的金属氮化物或金属碳化物粉末 。 颗粒形成颗粒床，其顶部必须保持在加热的反应区内。 粘合剂材料是小麦和玉米淀粉的混合物，任选地与另一种粘合剂如三聚氰胺结合。 粘合剂材料热分解成碳素残渣，其既作为附加碳源又用作前体颗粒的粘合剂。 在反应器有机会在内部反应器表面冷凝之前，可以通过添加内部通风管线来从加热的反应区域中除去挥发性物质来改变反应器。

公开(公告)号：US5369241A

公开(公告)日：1994-11-29

申请号：US792790

申请日：1991-11-15

申请人： Patrick R. Taylor ,  Shahid A. Pirzada

发明人： Patrick R. Taylor ,  Shahid A. Pirzada

IPC分类号： C01B31/30 ,  C01B31/36 ,  H05H1/24 ,  B23K9/00

CPC分类号： C01B31/36 ,  C01B31/30 ,  H05H1/24 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/51 ,  C01P2004/62

摘要： An apparatus and method for the synthesis of ultra-free (submicron) ceramic carbides in a thermal plasma torch reactor using primarily silica, boron oxide, titanium dioxide or other oxides as metal sources and methane as a reductant. A plasma torch operated with both argon and helium as plasma gases and having methane as a primary carrier gas is connected to the plasma reactor for providing the heat necessary to carry out the reaction. A collection chamber with both interior and exterior cooling is connected to the reactor for quenching of the reactants. Cooling is provided to the torch, the reactor and the collection using coils, baffles and jackets.

摘要翻译： 用于在热等离子体焰炬反应器中合成超自由（亚微米）陶瓷碳化物的装置和方法，其主要使用二氧化硅，氧化硼，二氧化钛或其它氧化物作为金属源，甲烷作为还原剂。 用氩气和氦气作为等离子气体操作并且具有甲烷作为主载气的等离子体焰炬连接到等离子体反应器以提供进行反应所需的热量。 具有内部和外部冷却的收集室连接到反应器以淬灭反应物。 通过使用线圈，挡板和夹套将火焰，反应器和收集器提供冷却。