公开(公告)号：US20090300805A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12087103

申请日：2006-12-20

申请人： Fabrice Charra ,  Matthieu Silly ,  Patrick Soukiassian

发明人： Fabrice Charra ,  Matthieu Silly ,  Patrick Soukiassian

IPC分类号： G12B21/04 ,  H01L29/15

CPC分类号： G01Q60/12

摘要： The present invention relates to an indirect-gap semiconductor substrate, the gap being greater than that of silicon and preferably greater than 1.5 eV, to its use for imaging a specimen by photon-emission scanning tunnel microscopy, and to a photon-emission scanning tunnel imaging method using such an indirect-gap semiconductor substrate. Advantageously, the indirect-gap semiconductor substrate is made of silicon carbide. The present invention also relates to devices for implementing the imaging method according to the invention.

摘要翻译： 本发明涉及一种间接间隙半导体衬底，其间隙大于硅的间隙，优选大于1.5eV，用于通过光子发射扫描隧道显微镜对样品进行成像，以及光子发射扫描隧道 使用这种间接间隙半导体衬底的成像方法。 有利地，间接间隙半导体衬底由碳化硅制成。 本发明还涉及用于实现根据本发明的成像方法的装置。

公开(公告)号：US07442927B2

公开(公告)日：2008-10-28

申请号：US11336137

申请日：2006-01-19

申请人： Andrei G. Fedorov

发明人： Andrei G. Fedorov

IPC分类号： G12B21/04 ,  G01N13/12

CPC分类号： H01J49/165 ,  G01Q30/02 ,  G01Q30/14 ,  H01J49/0004 ,  H01J49/0436

摘要： Briefly described, embodiments of this disclosure, among others, include scanning ion probe systems, methods of use thereof, scanning ion source systems, methods of use thereof, scanning ion probe mass spectrometry systems, methods of use thereof, methods of simultaneous ion analysis and imaging, and methods of simultaneous mass spectrometry and imaging.

摘要翻译： 简而言之，本公开的实施例包括扫描离子探针系统，其使用方法，扫描离子源系统，其使用方法，扫描离子探针质谱系统，其使用方法，同时离子分析方法和 成像和同时质谱法和成像方法。

公开(公告)号：US20090241232A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12383467

申请日：2009-03-23

申请人： James F. Mack ,  Neil Dasgupta ,  Timothy P. Holme ,  Friedrich B. Prinz ,  Andrei Iancu ,  Wonyoung Lee

发明人： James F. Mack ,  Neil Dasgupta ,  Timothy P. Holme ,  Friedrich B. Prinz ,  Andrei Iancu ,  Wonyoung Lee

IPC分类号： G12B21/04 ,  G12B21/08

CPC分类号： C23C16/047 ,  G01Q30/02

摘要： A localized nanostructure growth apparatus that has a partitioned chamber is provided, where a first partition includes a scanning probe microscope (SPM) and a second partition includes an atomic layer deposition (ALD) chamber, where the first partition is hermetically isolated from the second partition, and at least one SPM probe tip of the SPM is disposed proximal to a sample in the ALD chamber. According to the invention, the hermetic isolation between the chambers prevents precursor vapor from damaging critical microscope components and ensuring that contaminants in the ALD chamber can be minimized.

摘要翻译： 提供了具有分隔室的局部纳米结构生长装置，其中第一分区包括扫描探针显微镜（SPM），第二分区包括原子层沉积（ALD）室，其中第一分区与第二分区气密隔离 ，并且SPM的至少一个SPM探针尖端设置在ALD室中的样品的近侧。 根据本发明，室之间的密封隔离防止前体蒸汽损坏关键的显微镜部件，并确保ALD室中的污染物可以最小化。

公开(公告)号：US07485857B2

公开(公告)日：2009-02-03

申请号：US11519212

申请日：2006-09-11

申请人： Robert H. Blick

发明人： Robert H. Blick

IPC分类号： G12B21/02 ,  G12B21/04 ,  G12B21/08 ,  G01N13/10 ,  G01N13/12 ,  G01N13/16

CPC分类号： G01Q70/10 ,  G01N23/00 ,  G01Q60/04 ,  G01Q60/16 ,  G01Q60/30 ,  G01Q70/14 ,  Y10S977/875 ,  Y10S977/878 ,  Y10S977/879

摘要： The present invention provides microcoaxial probes fabricated from semiconductor heterostructures that include strained semiconductor bilayers. The microcoaxial probes are well suited for use as scanning probes in scanning probe microscopy, including scanning tunneling microscopy (STM), atomic force microscopy (AFM), scanning microwave microscopy, or a combination thereof.

摘要翻译： 本发明提供由包括应变半导体双层的半导体异质结构制造的微轴向探针。 微扫描探针非常适合用作扫描探针显微镜中的扫描探针，包括扫描隧道显微镜（STM），原子力显微镜（AFM），扫描微波显微镜或其组合。

公开(公告)号：US06875981B2

公开(公告)日：2005-04-05

申请号：US10333318

申请日：2002-03-22

申请人： Osamu Nishikawa

发明人： Osamu Nishikawa

IPC分类号： G01Q30/02 ,  G01Q60/00 ,  G01Q70/10 ,  H01J37/256 ,  H01J37/285 ,  H01J49/06 ,  H01J49/40 ,  G12B21/04 ,  G01N13/12

CPC分类号： G01Q30/02 ,  H01J37/256 ,  H01J37/285 ,  H01J49/06 ,  H01J49/40 ,  H01J2237/2443 ,  H01J2237/2446 ,  H01J2237/2818 ,  Y10S977/852

摘要： In a scanning atom probe (100), a surface topography of a specimen (3) is firstly analyzed by a surface topography analyzing unit (20). In the next place, an extraction electrode (5) is aligned to a desired area to be analyzed of a specimen surface. In case of analyzing electronic state of the area to be analyzed, negative bias voltage is impressed onto the specimen (3) from a direct current high voltage supply (2) and field emitted electrons are detected by a screen (9). In case of analyzing atomic arrangement and composition of the area to be analyzed, positive voltage is impressed onto the specimen (3) from the direct current high voltage supply (2) and a pulse generator (1) and positive ions generated by field evaporation are detected by a position sensitive ion detector (11) or a relfectron type mass analyzer (13).

摘要翻译： 在扫描原子探针（100）中，首先通过表面形貌分析单元（20）分析样品（3）的表面形貌。 接下来，将取出电极（5）与要分析的试样表面的所需区域对准。 在分析要分析的区域的电子状态的情况下，从直流高压电源（2）将负偏压施加到样品（3）上，并且通过屏幕（9）检测场发射的电子。 在分析待分析区域的原子排列和组成的情况下，从直流高压电源（2）和脉冲发生器（1）向样品（3）施加正电压，通过场蒸发产生的正离子为 通过位置敏感离子检测器（11）或再生型质量分析仪（13）检测。