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    STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
    101.
    发明申请
    STRAHLUNGSEMITTIERENDES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
    辐射光电半导体器件与方法研究

    公开(公告)号：WO2016087444A1

    公开(公告)日：2016-06-09

    申请号：PCT/EP2015/078221

    申请日：2015-12-01

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank ,  ILLEK, Stefan ,  ZITZLSPERGER, Michael ,  GÖÖTZ, Britta

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/507 ,  H01L33/505 ,  H01L2933/0041

    Abstract: Es wird ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (S), durch die im Betrieb des Halbleiterbauteils erzeugtes Licht (R) tritt, einer ersten Barriereschicht (1), die an einer Oberseite der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) angeordnet ist und dort zumindest stellenweise in direktem Kontakt mit der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) steht, einem Konversionselement (3), welches an der der Strahlungsdurchtrittsfläche (S) abgewandten Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, einer zweiten Barriereschicht (2), die an der der ersten Barriereschicht (1) abgewandten Oberseite des Konversionselements (3) und an der Oberseite der ersten Barriereschicht (1) angeordnet ist, wobei die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) das Konversionselement (3) gemeinsam vollständig umschließen, und die erste Barriereschicht (1) und die zweite Barriereschicht (2) stellenweise in direktem Kontakt miteinander stehen.

    Abstract translation: 它是通过使半导体成分光（R）的操作过程中所产生的辐射穿透表面（S）所表示的发射辐射的光电子半导体器件时，第一阻挡层（1）中，（S）中至少局部地设置在辐射穿透表面的上侧，并且有 与辐射穿透表面（S）的直接接触是，一个转换元件（3），所述第一阻挡层，其中该顶部朝向由式（1）被布置成离开辐射穿透表面（S），第二阻挡层（2）形成在第一阻挡层上（1 ）从转换元件背对上侧（3）和在所述第一阻挡层的顶部（1）布置，其中所述第一势垒层（1）和所述第二阻挡层（2）完全围绕所述转换元件（3）在共同的，并且所述第一势垒层（1 ）和直接接触miteinande所述第二阻挡层（2）在本地 [R站立。

    ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS
    103.
    发明申请
    ELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS 审中-公开
    电子元件和方法生产电子部件

    公开(公告)号：WO2015062867A1

    公开(公告)日：2015-05-07

    申请号：PCT/EP2014/072180

    申请日：2014-10-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MÜLLER, Johannes ,  KOLLER, Christoph ,  SCHWARZ, Thomas ,  SINGER, Frank

    IPC: H01L33/54

    CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L24/24 ,  H01L33/005 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements beschrieben. Das Verfahren umfasst ein Aufbringen einer Klebeschicht auf einen Träger; ein Anhärten der auf den Träger aufgebrachten Klebeschicht; und ein Bereitstellen eines Chips, wobei der Chip ein Substrat und eine auf einer ersten Seite des Chips angeordnete Schichtenfolge aufweist. Ferner umfasst das Verfahren ein Auflegen des Chips mit einer Oberseite der Schichtenfolge auf die angehärtete Klebeschicht; ein Einbetten des Chips in einen Formkörper, wobei die Oberseite der Schichtenfolge und eine erste Seite des Formkörpers im Wesentlichen in einer Ebene liegen; ein Trennen des eingebetteten Chips und des Trägers; und ein Aufbringen einer elektrisch leitenden Struktur auf die erste Seite des Formkörpers, wobei der Formkörper eine vertikale elektrische Isolierung zwischen der elektrisch leitenden Struktur und dem Substrat bildet.

    Abstract translation: 它是一种用于制造所述的电子器件的方法。 该方法包括施加在载体上的粘合剂层; 施加到基材的粘合剂层的涂层的部分固化; 并提供一个芯片，其中所述芯片包括基板和，设置在该芯片的层序列的第一侧。 此外，该方法包括将所述芯片与所述层序列的上表面要被固化的粘合剂层; 嵌入芯片成成型体，其中所述层序列和模制体的在一个平面的第一侧实质上的上侧; 分离嵌入的芯片和载体; 和上模制，其中，所述成形体形成所述导电结构和所述衬底之间的垂直的电绝缘的第一侧上沉积的导电结构。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
    105.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
    光电组件

    公开(公告)号：WO2014128003A1

    公开(公告)日：2014-08-28

    申请号：PCT/EP2014/052336

    申请日：2014-02-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK, Stefan ,  LUGAUER, Hans-Jürgen ,  MOOSBURGER, Jürgen ,  SABATHIL, Matthias ,  SCHWARZ, Thomas ,  VARGHESE, Tansen

    IPC: H01L33/48

    CPC classification number: H01L33/0095 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2924/00

    Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers mit einer Trägeroberfläche, wobei ein erster lateraler Abschnitt der Trägeroberfläche gegenüber einem zweiten lateralen Abschnitt der Trägeroberfläche erhaben ist, zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten Oberfläche auf der Trägeroberfläche, wobei die erste Oberfläche der Trägeroberfläche zugewandt wird, und zum Ausbilden eines Formkörpers mit einer der Trägeroberfläche zugewandten Oberseite und einer der Oberseite gegenüberliegenden Unterseite, wobei der Halbleiterchip zumindest teilweise in den Formkörper eingebettet wird.

    Abstract translation: 一种制造光电器件的方法包括，相对于支撑表面的第二侧部的支撑表面的第一侧部上升时，提供具有支撑表面的支撑的步骤的配置具有所述支撑表面上的第一表面和第二表面的光电子半导体芯片 其中，所述支撑表面的第一表面朝向，以及用于形成具有面向上侧的支承面的模制体和上侧相对的下侧，其中，所述半导体芯片是至少部分地嵌入到模制体。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    107.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2014072256A1

    公开(公告)日：2014-05-15

    申请号：PCT/EP2013/072946

    申请日：2013-11-04

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ, Thomas ,  SABATHIL, Matthias

    IPC: H01L33/48 ,  H01L33/60

    CPC classification number: H01L33/483 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H05K1/021 ,  H05K2201/09745 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2201/2054 ,  H01L2924/00014

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform beinhaltet das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) mindestens einen Chipträger (2) mit elektrischen Kontakteinrichtungen (3) sowie mindestens einen optoelektronischen Halbleiterchip (4), der zu einer Strahlungserzeugung eingerichtet ist und der auf dem Chipträger (2) mechanisch und elektrisch angebracht ist. Ein Bauteilträger (5) ist an dem Chipträger (2) befestigt. Der Halbleiterchip (4) befindet sich in einer Ausnehmung (54) des Bauteilträgers (5). Der Bauteilträger (5) ist elektrisch von dem Chipträger (2) und dem Halbleiterchip (4) isoliert. Es ist der Bauteilträger (5) aus einem Metall oder einer Metalllegierung geformt. An einer dem Chipträger (2) abgewandten Oberseite (50) ist der Bauteilträger (5) mit einer reflektierenden Beschichtung (55) versehen.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，光电子半导体器件（1）包括至少一个芯片载体（2），其具有电接触器件（3）和至少一个光电子半导体芯片（4），其适合于放射线生成和芯片载体上的（2）机械和电连接的 是。 分量载波（5）被安装在芯片载体（2）上。 半导体芯片（4）位于所述分量载波（5）的凹部（54）。 的分量载波（5）电气上与芯片载体（2）和半导体芯片（4）是分离的绝缘。 它由金属或金属合金的分量载波（5）形成。 提供了一种从所述芯片载体（2）（50）背向顶侧，分量载波（5）的反射涂层（55）。

    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL
    108.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
    OPTO电子元件

    公开(公告)号：WO2014048883A1

    公开(公告)日：2014-04-03

    申请号：PCT/EP2013/069744

    申请日：2013-09-23

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHWARZ, Thomas

    IPC: H01S5/00 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/40

    CPC classification number: H01S5/1082 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/49107 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02252 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4031 ,  H01L2924/00014

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauteil (101), umfassend eine Erzeugungseinrichtung (103) zum Erzeugen von elektromagnetischer Strahlung und eine Auskoppeleinrichtung (105) zum Auskoppeln von elektromagnetischer Strahlung aus der Erzeugungseinrichtung (103), wobei auf einer Strahlungsaustrittsseite der Auskoppeleinrichtung (105) eine Reduzierungseinrichtung (107) zum Reduzieren einer Strahlungsdichte der ausgekoppelten elektromagnetischen Strahlung (306) angeordnet ist. Eine blaue oder UV emittierende Laserdiode (507) ist auf einer Wärmesenke (505) angeordnet in einem Transistorgehäuse (509). Um die Lichtintensität an der Grenzfläche Strahlungsaustritt zu Luft zu verringern, ist ein Fenster (515) mit Hilfe eines Klebers (513) an der Facette (511) der Laserdiode (507) befestigt. Durch die verringerte Leistungsdichte an der Strahlungsaustrittsfläche wird eine Kontamination dieser verringert und damit die Lebensdauer des Bauteils verlängert.

    Abstract translation: 本发明涉及一种包括用于产生电磁辐射和用于从所述生成装置（103）耦合输出的电磁辐射的输出装置（105），所述去耦设备的辐射出射侧上的发生装置（103）的光电元件（101）（105）包括一个减速装置 （107）被布置为减少输出耦合的电磁辐射（306）的辐射密度。 蓝色或UV发光型激光二极管（507）被配置在一个晶体管壳体（509）的散热器（505）。 为了减少在辐射出射至空气的界面的光的强度，使用在所述激光二极管（507）的端面（511）的粘接剂（513）的窗口（515）被附接。 由于辐射出射表面污染的减小的功率密度降低，因此该延长部件的使用寿命。

    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL
    109.
    发明申请
    OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEIL 审中-公开
    光电半导体器件

    公开(公告)号：WO2014033166A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：PCT/EP2013/067812

    申请日：2013-08-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ILLEK, Stefan ,  SABATHIL, Matthias ,  SCHWARZ, Thomas ,  WEGLEITER, Walter

    IPC: H01L33/62

    CPC classification number: H01L33/56 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/385 ,  H01L33/405 ,  H01L33/54 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/005 ,  H01L2933/0058 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2924/00

    Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip, der in einen elektrisch isolierenden Formkörper mit einer Oberseite und einer Unterseite eingebettet ist. In den Formkörper ist außerdem ein Durchkontakt eingebettet, der eine elektrisch leitende Verbindung zwischen der Oberseite und der Unterseite des Formkörpers bildet. Auf der Oberseite des Formkörpers ist eine reflektierende Schicht angeordnet, die eine elektrisch leitende Verbindung zwischen einem elektrischen Kontakt des Halbleiterchips und dem Durchkontakt bildet. Dabei bedeckt die reflektierende Schicht die Oberseite des Formkörpers zu mindestens 50 %.

    Abstract translation: 的光电子半导体器件，包括被嵌入在具有顶部和底部的电绝缘模制体的光电子半导体芯片。 在模制体还包括经由被嵌入形成在顶部和成型的底部之间的导电连接。 对成型的上表面上，反射层被布置，其形成通过半导体芯片的电接触之间的导电连接。 在这种情况下，反射层覆盖所述成型至少50％的顶部。

    GEHÄUSE, ELEKTRONISCHE BAUGRUPPE, GEHÄUSEVERBUND, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES GEHÄUSES UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER ELEKTRONISCHEN BAUGRUPPE
    110.
    发明申请
    GEHÄUSE, ELEKTRONISCHE BAUGRUPPE, GEHÄUSEVERBUND, VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES GEHÄUSES UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER ELEKTRONISCHEN BAUGRUPPE 审中-公开
    HOUSING电子装配，住房复合材料，制造方法住房和方法用于制造电子组件

    公开(公告)号：WO2014033152A1

    公开(公告)日：2014-03-06

    申请号：PCT/EP2013/067777

    申请日：2013-08-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GEBUHR, Tobias ,  SCHWARZ, Thomas

    IPC: H01L33/48 ,  B29C45/16 ,  H01L25/075

    CPC classification number: H01L23/49541 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49503 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/486 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2933/0033 ,  Y10T29/49158 ,  H01L2924/00

    Abstract: In verschiedenen Ausführungsbeispielen wird ein Gehäuse für ein elektronisches Bauelement bereitgestellt. Das Gehäuse weist einen Leiterrahmenabschnitt und einen Formwerkstoff auf. Der Leiterrahmenabschnitt ist aus einem elektrisch leitenden Material gebildet und weist einen Aufnahmebereich zum Aufnehmen des elektronischen Bauelements und/oder einen Kontaktbereich zum Kontaktieren des elektronischen Bauelements auf. Der Leiterrahmenabschnitt ist in den Formwerkstoff eingebettet. Der Formwerkstoff weist mindestens eine Aufnahmeausnehmung auf, in der der Aufnahmebereich und/oder der Kontaktbereich frei gelegt sind. In dem Formwerkstoff ist mindestens eine Spannungsreduktionsausnehmung ausgebildet, die frei von dem Aufnahmebereich und/oder dem Kontaktbereich ist.

    Abstract translation: 在各种实施方案中，提供了一种用于电子设备的外壳。 该壳体具有一个引线框架部分和的成型材料。 所述引线框架部分是由导电材料形成，并且包括：接收部，用于接收所述电子部件和/或用于在电子部件接触的接触面积。 所述引线框架部分被嵌入模制材料。 模制材料包括至少一个接收凹槽，其中，所述接收区和/或接触面积被暴露。 在模制材料中，至少一个Spannungsreduktionsausnehmung形成，这是从接收区和/或接触区域的分类。

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