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公开(公告)号：WO2018162894A1
公开(公告)日：2018-09-13
申请号：PCT/GB2018/050572
申请日：2018-03-07
Inventor： HAYNE, Manus , YOUNG, Robert James , HODGSON, Peter David
CPC classification number: H01L33/0004 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/14 , H01L33/30
Abstract: A photon source is disclosed. The photon source comprises a semiconductor device comprising a first nanostructure and a second nanostructure, and control circuitry operable to apply an electric pulse to the semiconductor device so as to cause the first nanostructure to emit one single photon. The photon source is configured such that when the electric pulse is applied to the semiconductor device, only a single electron or only a single hole is provided to the first nanostructure via the second nanostructure.
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公开(公告)号：WO2018113327A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：PCT/CN2017/097840
申请日：2017-08-17
Applicant: 厦门三安光电有限公司
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2933/0016 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066
Abstract: 一种发光二极管的制作方法，包括步骤：提供一外延结构，依次包含生长衬底、第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层（S110）；在第二类型半导体层的表面上形成扩展电极，并进行热处理，与第二类型半导体层形成欧姆接触（S120）；提供一临时基板，将其与外延结构接合，并去除所述生长衬底，裸露出第一类型半导体层的表面（S130）；在所述裸露出的第一类型半导体层表面上依次形成欧姆接触层、镜面层和键合层（S140）；提供一导电基板，将其与所述键合层接合，移除临时基板，裸露出部分第二类型半导体层的表面和扩展电极（S150）；采用化学蚀刻裸露出来的第二类型半导体层的表面，形成粗化表面（S160）；在第二类型半导体层的表面上形成焊线电极，其与所述扩展电极形成闭合回路（S170）。
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123.发明申请半導体結晶基板、赤外線検出装置、光半導体装置、半導体装置、熱電変換素子、半導体結晶基板の製造方法及び赤外線検出装置の製造方法 审中-公开半导体晶体基板，红外线检测装置，光学半导体装置，半导体装置，热电转换元件，半导体晶体基板的制造方法以及红外线检测装置的制造方法
公开(公告)号：WO2018042534A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/JP2016/075431
申请日：2016-08-31
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/20 , G01J1/02 , H01L21/203 , H01L21/336 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L29/205 , H01L29/78 , H01L31/10 , H01L33/00 , H01L35/26 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/02502 , G01J1/02 , G01J1/0407 , G01J1/44 , H01L21/02398 , H01L21/02466 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02631 , H01L21/20 , H01L21/203 , H01L21/28264 , H01L27/144 , H01L27/146 , H01L27/1467 , H01L27/14694 , H01L29/157 , H01L29/205 , H01L29/66462 , H01L29/7785 , H01L29/78 , H01L31/0304 , H01L31/035236 , H01L31/0392 , H01L31/10 , H01L31/184 , H01L33/00 , H01L33/0062 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L35/18 , H01L35/26 , H01L35/32 , H01L35/34 , H01S5/22 , H01S5/343
Abstract: 【課題】表面の平坦性の高いＧａＳｂ層が形成された半導体結晶基板を提供する。 【解決手段】ＧａＳｂまたはＩｎＡｓを含む材料により形成された結晶基板と、前記結晶基板の上に、ＧａＳｂを含む材料により形成されたｎ型導電性の第１のバッファ層と、前記第１のバッファ層の上に、ＧａＳｂを含む材料により形成されたｐ型導電性の第２のバッファ層と、を有することを特徴とする半導体結晶基板により上記課題を解決する。
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种其上形成有高表面平坦度的GaSb层的半导体晶体基板。 在晶体衬底上由包含GaSb的材料形成的n型导电性的第一缓冲层;形成在晶体衬底上的n型导电性的第一缓冲层; 以及在半导体晶体衬底上由包含GaSb的材料形成的p型导电性的第二缓冲层。
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公开(公告)号：WO2018015368A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：PCT/EP2017/068093
申请日：2017-07-18
Applicant: PHILIPS LIGHTING HOLDING B.V.
Inventor： GAGLIANO, Luca , HAVERKORT, Jos , BAKKERS, Erik , VERHEIJEN, Marcel , DE BOER, Dirk, Kornelis, Gerhardus , CORNELISSEN, Hugo, Johan
Abstract: The invention provides a material (100) comprising In x Ga 1-x P, wherein 0 x Ga 1-x P has the Wurtzite crystal structure. The invention also provides a core- shell nanowire, wherein the core-shell nanowire comprises a core of a second material having the Wurtzite crystal structure, and a shell comprising a first material comprising said In x Ga 1-x P. The invention also provides a device comprising a first electrode and a second electrode which are mutually connected via In x Ga 1-x P or the core-shell nanowire. The emission is tunable from orange to far red.
Abstract translation: 本发明提供了包含In x Ga 1-x P p的材料（100），其中0
x 1 1 1 1 P具有纤锌矿晶体结构。 本发明还提供了核 - 壳纳米线，其中核 - 壳纳米线包括具有纤锌矿晶体结构的第二材料的核和包含第一材料的壳，所述第一材料包含所述In 1 x Ga n > 1-x P上。 本发明还提供了一种装置，其包括经由In x Ga 1-x P或核 - 壳纳米线相互连接的第一电极和第二电极。 发射可以从橙色调到远红色。 -
公开(公告)号：WO2017213746A1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：PCT/US2017/027177
申请日：2017-04-12
Applicant: INTEL CORPORATION
Inventor： HICKS, Richmond F. , AHMED, Khaled
CPC classification number: H04N5/2256 , H01L25/0753 , H01L33/0062 , H01L33/06 , H01L33/30 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0058 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091
Abstract: Techniques for tuning the illumination pattern of a Light Emitting Diode (LED) are described. An example image capture system incorporates an LED with an integrated micro-reflector. The example image capture system includes a camera to capture an image of an object and a Light Emitting Diode (LED) to emit light for illuminating the object. The LED includes a light emitting layer and a window layer made of transparent semiconductor material disposed over the light emitting layer. The shape of the window layer creates a plurality of reflectors that generate a specified illumination pattern that reduces the effect of illuminance distortions created by the image capture system.
Abstract translation: 描述了用于调谐发光二极管（LED）的照明模式的技术。 一个示例图像捕获系统将LED与集成的微反射器结合在一起。 示例图像捕获系统包括捕获物体图像的照相机和发射用于照亮物体的光的发光二极管（LED）。 LED包括发光层和设置在发光层上的由透明半导体材料制成的窗口层。 窗口层的形状创建了多个反射器，这些反射器生成特定的照明图案，以减少由图像捕获系统产生的照度失真的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2017185775A1
公开(公告)日：2017-11-02
申请号：PCT/CN2016/111670
申请日：2016-12-23
Applicant: 天津三安光电有限公司
CPC classification number: H01L33/387 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C18/165 , C23C18/31 , C23C28/02 , C23C28/30 , C23C28/32 , C23C28/34 , H01L25/0753 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/145 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L33/44 , H01L33/62 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L2933/0066
Abstract: 一种发光二极管及其制作方法，其结构包括：发光外延叠层，包括第一类型半导体层(221)、有源层(122)和第二类型半导体层(222)，具有相对的第一表面和第二表面，其中第一表面为出光面；导电层(240)，形成于所述发光外延叠层的第二表面，包括物理镀膜层(241)和化学镀膜层(243)，其中所述物理镀膜层(241)邻近所述发光外延叠层，具有裂缝(242)，所述化学镀膜层(243)填充所述物理镀膜层(241)中的裂缝(242)；基板(260)，通过所述导电层(240)与所述发光外延叠层连接。利用真空蒸镀与化学镀膜结合的方法形成导电层(240)，从而在真空蒸镀过程产生的缝隙中填充金属，增加电流导通面积，降低电压，改善ESD性能。
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公开(公告)号：WO2017131893A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/US2016/067360
申请日：2016-12-16
Applicant: X DEVELOPMENT LLC
Inventor： GRUNDMANN, Michael , SCHUBERT, Martin F.
CPC classification number: H01L33/0025 , H01L27/156 , H01L33/0062 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: A light emitting diode (LED) includes a semiconductor material with an active region. The active region is disposed in the semiconductor material to produce light in response to a voltage applied across the semiconductor material. The active region includes a wide bandgap region disposed to inhibit charge transfer from a central region of the LED to the lateral edges of the LED. The active region also includes a narrow bandgap region disposed in the central region with the wide bandgap region disposed about the narrow bandgap region, and the narrow bandgap region has a narrower bandgap than the wide bandgap region.
Abstract translation: 发光二极管（LED）包括具有有源区的半导体材料。 有源区设置在半导体材料中以响应施加在半导体材料两端的电压而产生光。 有源区域包括宽带隙区域，该宽带隙区域被设置为禁止电荷从LED的中心区域传递到LED的横向边缘。 有源区还包括设置在中央区域中的窄带隙区，其中宽带隙区设置在窄带隙区周围，并且窄带隙区具有比宽带隙区更窄的带隙。
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公开(公告)号：WO2017041871A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：PCT/EP2016/001348
申请日：2016-08-05
Applicant: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH
Inventor： FUHRMANN, Daniel , MEUSEL, Matthias
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L33/305
Abstract: Infrarot-LED mit monolithischer und stapelförmiger Struktur (10), aufweisend, ein n-dotiertes Basissubstrat (14) das GaAs umfasst, eine untere Mantelschicht (16), eine aktive (18) Schicht für die Erzeugung von infraroter Strahlung, eine obere Mantelschicht (20), eine Stromverteilerschicht (24) sowie eine obere Kontaktschicht (26), wobei die Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind, wobei zwischen der oberen Mantelschicht (20) und der Stromverteilerschicht (24) eine erste Tunneldiode (22) angeordnet ist, und wobei die Stromverteilerschicht (24) überwiegend eine n-dotierte Ga-haltige Schicht mit einem Ga-Gehalt > 1% aufweist.
Abstract translation: 红外线LED与包含单片和桩状结构（10），n型掺杂基底基板（14）包括砷化镓，下包层（16），活性（18）层用于生产红外辐射，上包覆层的厚度（ 20），功率分布层（24）和上部接触层（26），其中，所述层被布置在指定的顺序，其中（上部包覆层20）和功率分布层（24）之间包括：第一隧道二极管（22）被布置，并 其中，所述电力分配层（24）主要是利用的> 1％Ga含量n掺杂含Ga的层。
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公开(公告)号：WO2017038031A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/JP2016/003740
申请日：2016-08-15
Applicant: 信越半導体株式会社
IPC: H01L33/22 , H01L21/306 , H01L33/30
CPC classification number: H01L21/306 , H01L33/22 , H01L33/30
Abstract: 本発明の発光素子は、発光部が除去された除去部と、除去部以外の非除去部と、該非除去部の第一半導体層の表面上に設けられた第一オーミック電極と、除去部の窓層兼支持基板の表面上に設けられた第二オーミック電極とを有し、第一半導体層の表面及び発光部の側面の少なくとも一部は絶縁保護膜で被覆され、第一半導体層の表面上の第一オーミック電極の形成部以外と、窓層兼支持基板の表面上の除去部における第二オーミック電極の形成部以外と、窓層兼支持基板の側面及び裏面とが粗面化されたものであることを特徴とする発光素子である。これにより、発光部と窓層兼支持基板を有する発光素子において、発光部と窓層兼支持基板の表面のより多くの領域を粗面化することで外部量子効率を高めた発光素子が提供される。
Abstract translation: 根据本发明的发光元件包括去除了发光部分的去除部分; 去除部分以外的未去除部分; 设置在未去除部分的第一半导体层的表面上的第一欧姆电极; 以及设置在去除部分的窗口层/支撑基板的表面上的第二欧姆电极，其特征在于，所述第一半导体层的表面的至少一部分和所述发光部的侧面为 覆盖绝缘保护膜; 以及除了形成有第一欧姆电极的部分以外的第一半导体层的表面，除去在去除部分中形成第二欧姆电极的部分之外的窗口层/支撑基板的表面以及侧表面和 使窗口层/支撑基板的背面粗糙化。 以这种方式，提供了具有发光部分和窗口层/支撑衬底的发光元件，其中通过使发光部分和窗口的表面的更多区域实现外部量子效率的增加 层/支撑基底粗糙。
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130.发明申请
公开(公告)号：WO2017009331A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/EP2016/066525
申请日：2016-07-12
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MAUTE, Markus , HÖPPEL, Lutz , MOOSBURGER, Jürgen , SCHWARZ, Thomas , SABATHIL, Matthias , WIRTH, Ralph , LINKOV, Alexander , BAUR, Johannes
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/20 , H01L33/24 , H01L33/30 , H01L33/382 , H01L33/385 , H01L33/405 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0083 , H01L2933/0091
Abstract: Es wird ein Bauelement (100) mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper (2) angegeben, wobei der Halbleiterkörper eine aktive Schicht (23) aufweist, die im Betrieb des Bauelements zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (L) eingerichtet ist. Das Bauelement weist außerdem eine elektrische Kontaktschicht (61) auf einer Strahlungsaustrittsfläche auf, wobei das Bauelement in unmittelbarer Umgebung der elektrischen Kontaktschicht eine Abschirmungsstruktur (4) enthält, die dazu eingerichtet ist, ein Auftreffen der von der aktiven Schicht erzeugten elektromagnetischen Strahlung auf die Kontaktschicht zu verhindern.
Abstract translation: 据上述（1）和，布置在所述载体上的半导体主体（2），具有载体的组件（100），其中，具有在装置的操作过程中的活性层（23），该组（L），用于产生电磁辐射的半导体主体 是。 该装置还包括适于产生从所述接触层上的有源层的电磁辐射所产生的的冲击上的辐射出射表面上的电接触层（61），其中，在所述电接触层的附近，该装置包括一个屏蔽结构（4） 预防。
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