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    ミキサ回路
    41.
    发明申请
    ミキサ回路 审中-公开
    混频器电路

    公开(公告)号：WO2004112140A1

    公开(公告)日：2004-12-23

    申请号：PCT/JP2004/008215

    申请日：2004-06-11

    Applicant: 株式会社豊田自動織機 ,  新潟精密株式会社 ,  大見 忠弘 ,  西牟田 武史 ,  宮城 弘 ,  須川 成利 ,  寺本 章伸

    Inventor： 大見 忠弘 ,  西牟田 武史 ,  宮城 弘 ,  須川 成利 ,  寺本 章伸

    IPC: H01L27/092

    CPC classification number: H01L29/1033 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/045 ,  H03D7/1441 ,  H03D7/1458 ,  H03D2200/0033 ,  H03D2200/0047

    Abstract: 　少なくとも二つの結晶面を有する半導体基板（８１０Ａ、８１０）と、該半導体基板上であって前記結晶面の少なくとも二つに対して形成したゲート絶縁膜（８２０Ａ）とを有し、前記ゲート絶縁膜に沿って前記半導体基板中に形成されるチャネルのチャネル幅が、前記少なくとも二つの結晶面に対して各々形成されるチャネルの各チャネル幅の総和で示される、ｐチャネルＭＯＳトランジスタ（８４０Ａ）及びｎチャネルＭＯＳトランジスタ（８４０Ｂ）を組み合わせたＣＭＯＳトランジスタ（８００）を用いて、ミキサ回路を構成する。このように構成することにより、トランジスタ素子で発生する１／ｆ雑音や、トランジスタ素子の電気的特性のバラツキによって出力信号に生じるＤＣオフセットや、チャネル長変調効果に基づく信号歪を低減させることが可能となる。

    Abstract translation: 混频器电路通过使用包括p沟道MOS晶体管（840A）和n沟道MOS晶体管（840B）的组合的CMOS晶体管（800）构成，每个CMOS沟道MOS晶体管包括半导体衬底（810A，810） 至少两个晶体表面，并且还包括位于所述半导体衬底上并为所述至少两个晶体表面形成的栅极绝缘膜（820A），其中沿着所述栅极绝缘膜形成在所述半导体衬底中的沟道的沟道宽度由 对于至少两个晶体表面形成的通道的通道宽度的总和。 这种配置可以降低晶体管元件中产生的1 / f噪声，由于晶体管元件的电特性的变化而在输出信号中产生的DC偏移，以及基于沟道长度调制效应的信号失真。

    基板の処理システム及び半導体装置の製造方法
    42.
    发明申请
    基板の処理システム及び半導体装置の製造方法 审中-公开
    基板处理系统及制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：WO2004079808A1

    公开(公告)日：2004-09-16

    申请号：PCT/JP2004/002705

    申请日：2004-03-04

    Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸

    Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸

    IPC: H01L21/304

    CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67028 ,  H01L21/67034 ,  H01L21/6704 ,  H01L21/67046 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67173

    Abstract: With the present invention, water adhered to a substrate during cleaning process is completely removed and the water-free substrate is conveyed to a film-forming apparatus. A substrate processing system (1) comprises a cleaning apparatus (3) for cleaning a substrate with a cleaning liquid, a water removing apparatus (4) for removing water adhering to the substrate which has been cleaned by the cleaning apparatus (3), and a conveyance portion (7) for carrying the substrate, from which water has been removed by the water removing apparatus (4), through a drying atmosphere to another processing apparatus.

    Abstract translation: 利用本发明，清洁过程中附着在基材上的水完全除去，将无水基材输送到成膜装置。 基板处理系统（1）包括用清洗液清洗基板的清洗装置（3），除去已被清洗装置（3）清洗的基板附近的水的除水装置（4），以及 用于将通过除水装置（4）除去水的基板通过干燥气氛输送到另一个处理装置的输送部（7）。

    硬化性樹脂組成物およびその用途
    44.
    发明申请
    硬化性樹脂組成物およびその用途 审中-公开
    可固化树脂组合物及其用途

    公开(公告)号：WO2009038177A1

    公开(公告)日：2009-03-26

    申请号：PCT/JP2008/066985

    申请日：2008-09-19

    Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  日本ゼオン株式会社 ,  藤戸 陽介 ,  藤村 誠 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸

    Inventor： 藤戸 陽介 ,  藤村 誠 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸

    IPC: C08L101/00 ,  B32B27/00 ,  C08J5/18 ,  C08K7/26 ,  C08L45/00 ,  C08L65/00 ,  H05K3/46

    CPC classification number: H05K1/0373 ,  B32B27/00 ,  B32B2307/206 ,  B32B2457/08 ,  C08G61/08 ,  C08K3/36 ,  C08K7/26 ,  C08L23/18 ,  C08L65/00 ,  H05K2201/0158 ,  H05K2201/0209

    Abstract:  本発明は、高周波数領域で使用される多層回路基板の電気絶縁層を形成した場合に、比誘電率の低い電気絶縁層を形成しうる硬化性樹脂組成物を提供することを目的としている。  本発明の硬化性樹脂組成物は、脂環式オレフィン重合体、硬化剤、及び多孔質シリカ凝集粒子を含む硬化性樹脂組成物であり、該多孔質シリカ凝集粒子が、１ｎｍ以上の格子面間隔（ｄ）に対応する回折角（２θ／°）の範囲に１つ以上の回折線を有するＸ線回折パターンを示す多孔質シリカ球状一次粒子を、これらの多孔質シリカ球状一次粒子間に空隙層を形成するように集合してなる多孔質シリカ凝集粒子であることを特徴としている。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供一种固化树脂组合物，其可以在施加到用于高频区域的多层电路板时形成低相对介电常数的电绝缘层。 一种包含脂环族烯烃聚合物，固化剂和多孔二氧化硅聚集体颗粒的可固化树脂组合物，其特征在于，所述多孔二氧化硅聚集体颗粒是通过使具有至少一个衍射的X射线衍射图形的多孔二氧化硅球形初级颗粒附聚而获得的颗粒 对应于1nm以上的晶格距离（d）的衍射角范围（2π/°）内的峰值，使得在一次粒子之间形成空隙层。

    パワーＩＣデバイス及びその製造方法
    46.
    发明申请
    パワーＩＣデバイス及びその製造方法 审中-公开
    电力IC装置及其制造方法

    公开(公告)号：WO2007142107A1

    公开(公告)日：2007-12-13

    申请号：PCT/JP2007/061054

    申请日：2007-05-31

    Applicant: シャープ株式会社 ,  国立大学法人東北大学 ,  矢崎総業株式会社 ,  アダン アルベルト オー ,  菊田 光洋 ,  寺本 章伸 ,  大見 忠弘 ,  矢部 弘男 ,  渡邉 高訓

    Inventor： アダン アルベルト オー ,  菊田 光洋 ,  寺本 章伸 ,  大見 忠弘 ,  矢部 弘男 ,  渡邉 高訓

    IPC: H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/82385 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/045 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66734

    Abstract: 　パワーＭＯＳトランジスタ部分のＯＮ抵抗が低く、かつ表層チャンネルＭＯＳトランジスタ部分の処理速度が速いパワーＩＣデバイス及びその製造方法を提供する。チップ（２ａ）の表面の面方位が、シリコンの（１１０）結晶面から－８°以上＋８°以下の面方位であり、Ｐチャンネル型トレンチパワーＭＯＳトランジスタ（１０）は、チップ（２ａ）の表面から垂直に穿孔されたトレンチ（３）と、トレンチ（３）内のゲート領域（１１）と、トレンチ（３）の横壁部分の反転チャンネル領域（１２）と、チップ（２ａ）の表面層に設けられたソース領域（１４）と、チップ（２ａ）の裏面層に設けられたドレイン領域（１３）とを有する。表層チャンネルＭＯＳトランジスタ（２０）は、反転チャンネル電流の方向が前記シリコンの＜１１０＞結晶方向から－８°以上＋８°以下の方向となるように配設された反転チャンネル領域（２２）を有している。

    Abstract translation: 提供了在功率MOS晶体管部分具有低导通电阻并且在前层沟道MOS晶体管部分具有高处理速度的功率IC器件。 还提供了一种制造这种电力IC器件的方法。 芯片（2a）的正面的平面取向与硅的（110）晶面成-8°以上且不超过±8°。 P沟道型沟槽功率MOS晶体管（10）设置有从芯片（2a）的前面垂直钻出的沟槽（3）; 沟槽（3）中的栅极区（11）; 在沟槽（3）的侧壁部分处的反向通道区域（12）; 布置在所述芯片（2a）的所述前平面层上的源区（14）; 和布置在芯片（2a）的后平面层上的漏区（13）。 前层沟道MOS晶体管（20）具有反向沟道区域（22），该反向沟道区域（22）被布置成具有相对于硅晶体方向为-8°以上且不大于+ 8°的方向的反向沟道电流的方向 。

    半導体装置
    47.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号：WO2007072844A1

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：PCT/JP2006/325340

    申请日：2006-12-20

    Applicant: 国立大学法人東北大学 ,  財団法人国際科学振興財団 ,  大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  渡辺 一史

    Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  渡辺 一史

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/08 ,  H01L27/092

    CPC classification number: H01L27/1211 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/045 ,  H01L29/785 ,  H01L2029/7857

    Abstract: 　ＣＭＯＳ回路における立上り及び立下り動作速度を同じくするためには、そのキャリア移動度の違いから、ｐ型ＭＯＳトランジスタとｎ型ＭＯＳトランジスタの面積を異ならせる必要がある。この面積のアンバランスにより半導体装置の集積度向上が妨げられていた。 　ＮＭＯＳトランジスタとＰＭＯＳトランジスタを（１００）面及び（１１０）面の双方にチャンネル領域を備えた三次元構造をとり、両トランジスタのチャンネル領域及びゲート絶縁膜の面積が互いに等しくなるように構成する。これによって、ゲート絶縁膜等の面積を相互に等しくすると共に、ゲート容量をも等しくすることができる。さらに基板上の集積度を従来の技術と比較した場合に２倍に向上できる。

    Abstract translation: 为了使上升操作时间与CMOS电路中的下降操作速度相同，由于载波移动度的差异，p型MOS晶体管的面积与n型MOS晶体管的面积不同 。 该区域差异防止了半导体器件的完整性的提高。 所述NMOS晶体管和所述PMOS晶体管在（100）面和（110）面都具有通道区域三维构造，并且所述两个晶体管的沟道区域和栅极绝缘膜具有相同的面积。 因此，可以使栅极绝缘膜等的面积相同，栅极容量相同。 此外，与常规技术相比，衬底上的完整性可以加倍。

    液体材料供給装置、液体材料供給装置のための制御方法
    48.
    发明申请
    液体材料供給装置、液体材料供給装置のための制御方法 审中-公开
    液体进料器液体进料器和控制方法

    公开(公告)号：WO2007036997A1

    公开(公告)日：2007-04-05

    申请号：PCT/JP2005/017835

    申请日：2005-09-28

    Applicant: 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  若松 秀利

    Inventor： 大見 忠弘 ,  寺本 章伸 ,  若松 秀利

    IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

    CPC classification number: C23C16/4481

    Abstract: 　広範囲な流量と濃度でプロセス処理条件を制御できる液体材料供給装置を提供する。 　液体ソース材料を入れる充填容器１３を備えた液体材料供給装置であって、液体ソース材料の供給制御を、液体ソース材料を直接気化させ、その気化ガスをキャリアガスによって輸送することにより行う。充填容器は、充填容器内にキャリアガスを導入するキャリアガス導入配管１１、キャリアガスによって輸送された気化ガスを出力する気化ガス出口配管１５、充填容器内に液体ソース材料を補給する液体ソース補給配管１２、充填容器内圧力をセンスするための圧力センサーＰ１、充填容器内の温度分布を与えるヒータＪＨ、充填容器内の温度を検出する温度検出手段ＴＣを備える。

    Abstract translation: 可以在宽流量范围和浓度范围内控制加工条件的液料供料器。 液体材料供给装置装有容纳有液体源材料的容器（13），通过直接蒸发液体源材料并用载气输送蒸汽气体来控制液体源材料的供给。 容器配备有载气引入到容器中的载气导入管道（11），用载气输送的蒸汽气体通过其排出的蒸汽气体排出管道（15），液体源 将液体源材料供给到容器的供给管道（12），用于检测容器的内部压力的压力传感器（P1），用于在容器内进行温度分布的加热器（JH）和温度传感器 （TC），其感测容器内部的温度。

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