公开(公告)号：WO1996019753A1

公开(公告)日：1996-06-27

申请号：PCT/US1995014302

申请日：1995-11-03

Applicant: ADVANCED MICRO DEVICES, INC.

Inventor： ADVANCED MICRO DEVICES, INC. ,  GUPTA, Subhash ,  LYONS, Chris, F.

IPC: G03F07/36

CPC classification number: G03F7/36

Abstract: A photolithographic substrate mask patterning method which enables the reduction of changes in critical dimensions which occur in prior art etching of organic photoresist and the underlying organic i-line bottom anti-reflection layer (BARL) on a non-planar substrate. Based on the minor difference in the total carbon and oxygen content between the organic photoresist and the organic BARL, a differential in polarization is achieved using a pure N2 plasma for ion etching at certain selected conditions and a selectivity is achieved between the etch rate of the organic photoresist as compared to the etch rate of the organic BARL.

Abstract translation: 一种光刻基板掩模图案化方法，其能够减少在非平面基板上有机光致抗蚀剂和下面的有机i线底抗反射层（BARL）的现有技术蚀刻中出现的临界尺寸变化。 基于有机光致抗蚀剂和有机BARL之间的总碳和氧含量的微小差异，在某些选定条件下使用纯N 2等离子体进行离子蚀刻来实现极化差异，并且在 有机光致抗蚀剂与有机BARL的蚀刻速率相比。

公开(公告)号：WO1991001516A2

公开(公告)日：1991-02-07

申请号：PCT/US1990004123

申请日：1990-07-20

Applicant: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM

Inventor： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM ,  HELLER, Adam ,  CARLS, Joseph, C. ,  ARGITIS, Panagiotis ,  MEAUX, John, J.

IPC: G03F07/32

CPC classification number: G03F7/36 ,  G03F7/0042 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  G03F7/094 ,  G03F7/32

Abstract: Pattern forming and transferring processes using radiation sensitive materials based upon mixtures of polyoxometalates and organic compounds. The processes involve establishing a layer of such radiation sensitive material on one or more layers of underlying materials. A pattern is formed in the layer of radiation sensitive material by exposing selected areas of the layer to radiation. The pattern may then be transferred into the underlying layers of material. Methods for developing patterns in layers of radiation sensitive materials, so as to hinder leaching of etch resistant substances included in the radiation sensitive materials, are also provided.

Abstract translation: 使用基于多金属氧酸盐和有机化合物的混合物的辐射敏感材料形成和转移构型的方法 该方法包括在一个或多个下面的材料层上提供一层所述辐射敏感材料。 通过将所述层的选定区域暴露于辐射，在辐射敏感材料层中形成图案。 该配置然后可以被转移到下面的材料层。 本发明还涉及用于配置辐射敏感材料层以防止辐射敏感材料中的耐蚀刻材料浸出的方法。

公开(公告)号：WO1985002030A1

公开(公告)日：1985-05-09

申请号：PCT/US1984000123

申请日：1984-02-16

Applicant: HUGHES AIRCRAFT COMPANY

Inventor： HUGHES AIRCRAFT COMPANY ,  BRAULT, Robert, G.

IPC: G03F07/26

CPC classification number: G03F7/265 ,  G03F7/36

Abstract: A process, and the delineation of typical materials to be used in that process, which enables the use of a precision radiation source to produce a microcircuit resist image accurate to a few micrometers or even fractions of a micrometer. In addition, the process provides for the dry development of this image, thus insuring the ability to create a finished resist structure exhibiting the same accuracy in dimensions. Specifically, there is provided a process in which a positive or negative resist polymer is irradiated using a precision radiation source such as an electron beam, masked ion beam, or focused ion beam to generate organic free radicals. After irradiation, the reactive resist polymer is exposed to oxygen or air to create peroxides or hydroperoxides. The peroxides or hydroperoxides are later thermally decomposed to generate organic free radicals which can be reacted with a silicon-containing organic molecule which contains at least one vinyl or other functional group capable of reacting with the organic free radical. The resulting copolymer resist then includes a latent image containing silicon, which can be dry developed using plasma or reactive ion etching techniques. In another embodiment of this process, an intermediary non-silicon-containing organic molecule is grafted to the active sites on the resist polymer. The organic molecule is then reacted with a silicon-containing compound, so that it becomes a grafting intermediary between the initial polymeric resist and the silicon-containing compound.

Abstract translation: 一种方法以及在该方法中使用的典型材料的描述，其使得能够使用精确的辐射源来产生精确到几微米甚至几微米的微电路抗蚀剂图像。 此外，该方法提供了该图像的干燥显影，从而确保了产生具有相同的尺寸精度的成品抗蚀剂结构的能力。 具体地，提供了使用电子束，掩蔽离子束或聚焦离子束等精密辐射源照射正或负的抗蚀剂聚合物以产生有机自由基的方法。 照射后，反应性抗蚀剂聚合物暴露于氧气或空气中以产生过氧化物或氢过氧化物。 过氧化物或氢过氧化物随后被热分解以产生有机自由基，其可以与含有至少一个能够与有机自由基反应的乙烯基或其它官能团的含硅有机分子反应。 所得到的共聚物抗蚀剂包括含有硅的潜像，其可以使用等离子体或反应离子蚀刻技术干燥显影。 在该方法的另一个实施方案中，将中间非含硅有机分子接枝到抗蚀剂聚合物上的活性位点。 然后将有机分子与含硅化合物反应，使其成为初始聚合物抗蚀剂和含硅化合物之间的接枝中间体。

公开(公告)号：WO2017031094A1

公开(公告)日：2017-02-23

申请号：PCT/US2016/047119

申请日：2016-08-16

Applicant: MACDERMID PRINTING SOLUTIONS, LLC

Inventor： BOUKAFTANE, Chouaib

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/36 ,  G03F7/20 ,  G03F7/32

Abstract: A method of producing a relief image printing element from a photocurable printing blank. The method includes the steps of a) providing a photocurable printing blank, the photocurable printing blank comprising (i) a backing or support layer; and (ii) one or more photocurable layers disposed on the backing or support layer. The one or more photocurable layers comprise a photocurable composition comprising (1) a binder; (2) one or more monomers; (3) a photoinitiator; and (4) an additive. The one or more photocurable layers are selectively imaged by exposing the layers to actinic radiation to selectively crosslink and cure portions of the one or more photocurable layers, and then developed to remove uncured portions of the one or more photocurable layers and reveal the relief image therein. The relief image comprises a plurality of relief printing dots, including relief printing dots that have a rounded top and relief printing dots that have a flat top.

Abstract translation: 一种从光固化印刷坯料制造浮雕图像印刷元件的方法。 该方法包括以下步骤：a）提供可光固化的印刷坯料，所述光固化印刷坯料包括（i）背衬或支撑层; 和（ii）设置在背衬或支撑层上的一个或多个光固化层。 所述一个或多个光固化层包括可光固化组合物，其包含（1）粘合剂; （2）一种或多种单体; （3）光引发剂; 和（4）添加剂。 通过将层暴露于光化辐射以选择性地交联和固化一个或多个可光固化层的部分，然后显影以除去一个或多个光固化层的未固化部分并在其中露出浮雕图像来选择性地成像一个或多个可光固化层 。 浮雕图像包括多个凸版印刷点，包括具有圆顶的浮雕印刷点和具有平坦顶部的凸版印刷点。

公开(公告)号：WO2016132784A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/JP2016/050972

申请日：2016-01-14

Applicant: JSR株式会社

Inventor： 土井　貴史 ,  西村　功

IPC: G03F7/36 ,  G03F7/039 ,  H01L21/312 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

CPC classification number: G03F7/039 ,  G03F7/36 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00

Abstract: 　本発明の課題は、レーザー光に対する樹脂膜の感度が高い、レーザーアブレーション法を用いた絶縁膜の製造方法を提供することにある。本発明の絶縁膜の製造方法は、式（Ａ１）で表される繰り返し構造単位を有するポリアリーレン（Ａ）および溶剤（Ｂ）を含有する樹脂組成物の樹脂膜を基板上に形成する工程１と、樹脂膜を加熱処理する工程２と、レーザーアブレーション法により、加熱後の樹脂膜にパターンを形成する工程３とを有する。 ［式（Ａ１）中、Ａｒは芳香族環であり；水酸基は前記芳香族環に結合する置換基であり；Ｒ 1 は前記芳香族環に結合する置換基であり、ハロゲン原子または炭素数１～１０のアルキル基であり、Ｒ 1 は、複数存在する場合、互いに同一でもよく異なっていてもよく；ａは１以上の整数であり、ｂは０以上の整数である。］

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种使用激光磨损方法制造绝缘膜的方法，其中树脂膜对激光具有高灵敏度。 根据本发明的绝缘膜的制造方法包括：步骤1，其中含有具有式（A1）表示的重复结构单元的聚亚芳基（A）和溶剂（B）的树脂组合物的树脂膜为 形成在基板上; 步骤2，其中对树脂膜进行热处理; 以及通过激光磨损法对加热后的树脂膜进行图案化的工序3。 （式（A1）中，Ar表示芳香环，羟基是与芳香环结合的取代基; R1表示与芳香环键合的取代基，该取代基为卤原子或碳原子数1〜10的烷基 ，如果有多个R1部分，则R1部分可以相同或不同，a表示1以上的整数，b表示0以上的整数。）

公开(公告)号：WO2015023571A1

公开(公告)日：2015-02-19

申请号：PCT/US2014/050499

申请日：2014-08-11

Applicant: MACDERMID PRINTING SOLUTIONS, LLC

Inventor： GOTSICK, Timothy

IPC: B41N1/00

CPC classification number: B29C35/0805 ,  B29C2035/0283 ,  B29C2035/0822 ,  B29C2035/0827 ,  B29C2035/0833 ,  B29C2035/0877 ,  B41N1/06 ,  G03F7/36

Abstract: An apparatus for thermally processing a relief image printing element and a method of using the same are described. The printing element comprises at least one photopolymer layer and is selectively exposed to actinic radiation to crosslink portions of the at least one photopolymer layer. The apparatus comprises: (a) means for supporting the printing element; (b) heating means for melting or softening non-crosslinked portions of the at least one photopolymer layer; (c) at least one rotatable roll that is capable of bringing a blotting material into contact with the at least one photopolymer layer to remove the melted or softened non-crosslinked portions of the at least one photopolymer layer,; and (d) an element arranged adjacent to the at least one rotatable roll for removing non-crosslinked photopolymer remaining on a surface of the at least one rotatable roll after step c). The apparatus may alternatively be operated without a blotting material.

Abstract translation: 描述了一种用于热处理浮雕图像打印元件的装置及其使用方法。 印刷元件包括至少一个光聚合物层，并且选择性地暴露于光化辐射以交联至少一个光聚合物层的部分。 该装置包括：（a）支撑打印元件的装置; （b）用于熔化或软化所述至少一个光聚合物层的非交联部分的加热装置; （c）至少一个可旋转辊，其能够使印迹材料与所述至少一个光聚合物层接触以去除所述至少一个光聚合物层的熔融或软化的非交联部分; 和（d）邻近所述至少一个可旋转辊设置的元件，用于去除在步骤c）之后残留在所述至少一个可旋转辊的表面上的未交联的光聚合物。 可替代地，该装置可在没有印迹材料的情况下操作。

公开(公告)号：WO2014121156A1

公开(公告)日：2014-08-07

申请号：PCT/US2014/014342

申请日：2014-02-01

Applicant: SOLAN, LLC ,  DAVIS, Mark, Alan

Inventor： DAVIS, Mark, Alan

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/66

CPC classification number: C23C16/26 ,  G03F7/36 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02376 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/76885 ,  H05K3/4007 ,  H05K2203/125

Abstract: A method for forming a graphite-based structure comprises patterning a substrate thereby forming a plurality of elements, each respective element in the plurality of elements separated from an adjacent element by a corresponding trench in a plurality of trenches on the substrate. A first element in the plurality of elements has a first surface. A first trench in the plurality of trenches separates the first element from an adjacent element in the plurality of elements, and the first trench has a second surface. The first surface and the second surface are separated by a first side wall of the first element. The method further comprises creating a graphene initiating layer on the first side wall of the first element. The method also comprises generating graphene using the graphene initiating layer thereby forming the graphite-based structure.

Abstract translation: 一种用于形成石墨基结构的方法，包括使衬底形成图案，从而形成多个元件，多个元件中的每个元件通过衬底上的多个沟槽中的相应沟槽与相邻元件分离。 多个元件中的第一元件具有第一表面。 多个沟槽中的第一沟槽将第一元件与多个元件中的相邻元件分开，并且第一沟槽具有第二表面。 第一表面和第二表面由第一元件的第一侧壁分开。 该方法还包括在第一元件的第一侧壁上创建石墨烯起始层。 该方法还包括使用石墨烯起始层产生石墨烯，从而形成基于石墨的结构。

公开(公告)号：WO2014104544A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/KR2013/008836

申请日：2013-10-02

Applicant: 제일모직 주식회사

Inventor： 신승욱 ,  김윤준 ,  김혜정 ,  조연진 ,  최유정

IPC: G03F1/00 ,  C07C63/15 ,  G03F7/26 ,  C07C15/40

CPC classification number: G03F7/004 ,  C07C63/15 ,  C07C63/26 ,  C07C65/32 ,  C07C65/34 ,  C07C65/40 ,  G03F1/00 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/09 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/162 ,  G03F7/26 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36 ,  G03F7/40

Abstract: 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 상기 화학식 1에서, A, A', L, L', X 및 n의 정의는 명세서에서 정의한 바와 같다.

Abstract translation: 本发明涉及一种由化学式1表示的硬掩模组合物的单体，涉及包含所述单体的硬掩模组合物，以及使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。 在上述化学式1中，A，A'，L，L'，X和n的定义与说明书中定义的相同。

公开(公告)号：WO2014104480A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/KR2013/002239

申请日：2013-03-19

Applicant: 제일모직 주식회사

Inventor： 박유정 ,  김혜정 ,  박요철 ,  윤용운 ,  이성재 ,  이철호 ,  조연진

IPC: C07C49/792 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/027 ,  C07C49/788 ,  C07C49/792 ,  C07C49/796 ,  C07C49/798 ,  C07C49/83 ,  C07C49/835 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/30 ,  G03F7/36

Abstract: 화학식 1로 표현되는 하드마스크 조성물용 모노머, 상기 모노머를 포함하는 하드마스크 조성물 및 상기 하드마스크 조성물을 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

Abstract translation: 本发明涉及由化学式1表示的硬掩模组合物单体，涉及包含所述单体的硬掩模组合物，以及使用所述硬掩模组合物形成图案的方法。

公开(公告)号：WO2013191203A1

公开(公告)日：2013-12-27

申请号：PCT/JP2013/066826

申请日：2013-06-19

Applicant: 日産化学工業株式会社

Inventor： 菅野　裕太 ,  高瀬　顕司 ,  中島　誠 ,  武田　諭 ,  若山　浩之

IPC: C07F7/18 ,  C08G77/28 ,  G03F7/11 ,  H01L21/027 ,  H01L21/312

CPC classification number: G03F7/0752 ,  C07F7/1804 ,  C07F7/1836 ,  C08G77/26 ,  C08G77/80 ,  C09D183/08 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  G03F7/30 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/36 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31133 ,  C08K5/09

Abstract: 【課題】　リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】　下記式（１－ａ）又は式（１－ｂ）で表されるシラン化合物。 シランとして加水分解性オルガノシラン、その加水分解物、及びその加水分解縮合物のうちの少なくとも１種を含み、該シランが式（１－ａ）又は式（１－ｂ）で表されるシラン化合物を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。レジスト下層膜形成組成物を半導体基板上に塗布し、焼成してレジスト下層膜を形成する工程、前記下層膜の上にレジスト用組成物を塗布しレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光する工程、露光後にレジスト膜を現像しパターン化されたレジスト膜を得る工程、パターン化されたレジスト膜に従いレジスト下層膜をエッチングする工程、及びパターン化されたレジスト膜とレジスト下層膜に従い半導体基板を加工する工程を含む半導体装置の製造方法。

Abstract translation: [问题]提供一种用于光刻的抗蚀剂下层膜形成组合物。 [溶液]由式（1-a）或式（1-b）表示的硅烷化合物。 一种用于光刻的抗蚀剂下层膜形成组合物，其含有选自可水解有机硅烷，其水解产物和水解缩合产物中的至少一种物质作为硅烷，所述硅烷含有式（1-a ）或式（1-b）。 一种制造半导体器件的方法，包括：将半导体衬底上施加抗蚀剂下层膜形成组合物并在其上烧结的步骤，从而形成抗蚀剂下层膜; 将抗蚀剂组合物涂布在下层膜上，从而形成抗蚀剂膜的步骤; 其中抗蚀剂膜暴露于光的步骤; 曝光后的抗蚀剂膜显影的步骤，从而获得图案化的抗蚀剂膜; 根据图案化的抗蚀剂膜蚀刻抗蚀剂下层膜的步骤; 以及其中根据图案化的抗蚀剂膜和抗蚀剂下层膜处理半导体衬底的步骤。