QUARTZ GLASS SUBSTRATE AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION
    71.
    发明申请
    QUARTZ GLASS SUBSTRATE AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION 审中-公开
    QUARTZ玻璃基板及其生产工艺

    公开(公告)号:WO2008029571A1

    公开(公告)日:2008-03-13

    申请号:PCT/JP2007/065109

    申请日:2007-07-26

    Abstract: For a substrate having fine convexoconcave patterns on its surface, the dimensions of the convexoconcave patterns in a vertical direction of a quartz glass substrate are controlled to be uniform with extreme accuracy and over the entire substrate surface. The quartz glass substrate is made to have a fictive temperature distribution of at most 4O°C and a halogen concentration of less than 400 ppm, or a fictive temperature distribution of at most 4O°C, a halogen concentration of at least 400ppm and a halogen concentration distribution of at most 400ppm and the etching rate of the surface of the quartz glass substrate is made uniform, whereby the dimensions of the convexoconcave patterns in a vertical direction of the quartz glass substrate are controlled to be uniform with good accuracy and over the entire substrate surface.

    Abstract translation: 对于在其表面上具有细凹凸图案的基板,石英玻璃基板的垂直方向上的凸凹图案的尺寸被控制为具有极高的精度和整个基板表面的均匀。 使石英玻璃基板具有至多40℃的虚拟温度分布和小于400ppm的卤素浓度或至多40℃的假想温度分布,至少400ppm的卤素浓度和卤素 浓度分布至多为400ppm,并且石英玻璃基板的表面的蚀刻速率均匀,从而将石英玻璃基板的垂直方向的凸凹图案的尺寸控制为均匀,精度高,整个 基材表面。

    炭化珪素質多孔体及びその製造方法
    73.
    发明申请
    炭化珪素質多孔体及びその製造方法 审中-公开
    基于碳化硅的多孔物体及其制造方法

    公开(公告)号:WO2007097161A1

    公开(公告)日:2007-08-30

    申请号:PCT/JP2007/051505

    申请日:2007-01-30

    Abstract:  骨材となる炭化珪素粒子と金属珪素とを含み、且つ熱処理により分解・転化することで体積収縮し、気孔を形成する有機金属化合物粒子由来の骨材を含む炭化珪素質多孔体、および、炭化珪素粒子及び金属珪素を含む原料混合物に、熱処理により分解・転化することで体積収縮し、気孔を形成する有機金属化合物粒子を添加した後、所定形状に成形し、得られた成形体を仮焼及び/又は本焼成し、有機金属化合物粒子が分解・転化し、体積収縮して気孔を形成し、有機金属化合物粒子が分解・転化した物質が骨材として存在する多孔体を得る炭化珪素質多孔体の製造方法である。

    Abstract translation: 作为集合体的碳化硅粒子和硅金属的碳化硅系多孔物质,还含有通过热处理中的分解/转化而收缩的有机金属化合物粒子的聚集体,形成空隙。 还提供了一种生产碳化硅基多孔物体的方法,其包括在热处理中加入通过分解/转化收缩的有机金属化合物颗粒,从而在包含碳化硅颗粒和硅金属的原料混合物中形成空隙, 随后将所得混合物模塑成给定的形状,并使所得到的模制物煅烧和/或燃烧,使有机金属化合物颗粒发生分解/转化,收缩并形成空隙。 因此,获得了由有机金属化合物颗粒的分解/转化产生的物质作为聚集体存在的多孔物体。

    DEPOSITION OF LAYERS ON SUBSTRATES
    80.
    发明申请
    DEPOSITION OF LAYERS ON SUBSTRATES 审中-公开
    在基板上沉积层

    公开(公告)号:WO2004070089A2

    公开(公告)日:2004-08-19

    申请号:PCT/GB2004/000454

    申请日:2004-02-05

    Abstract: According to the invention we provide a process for filling or lining the pores of a porous silicon, silica or alumina substrate with a material which exhibits voltage-dependent index of refraction n comprising providing precursors for the deposited material as a precursor solution, forming a fine mist of droplets of precursor solution and applying the droplets to the porous substrate. The invention provides for the first time porous silicon, silica and alumina substrates having fill fraction at least 60%. Fill fractions of close to 100% can be achieved. When provided with top and bottom electrodes, filled porous silicon, silica and alumina wafers can be used as voltage-dependent photonic devices. The same process can be used for lining trenches in the surface of a silicon substrate, for instance for use in production of microelectronic devices such as random access memories.

    Abstract translation: 根据本发明,我们提供一种用多孔硅,二氧化硅或氧化铝衬底的孔填充或衬里的方法,该材料表现出电压依赖折射率n,包括提供沉积材料的前体作为前体溶液,形成细 前体溶液液滴雾化并将液滴施加到多孔基材上。 本发明首次提供具有至少60%的填充部分的多孔硅,二氧化硅和氧化铝基底。 可以实现接近100%的填充分数。 当设置有顶部和底部电极时,填充的多孔硅,二氧化硅和氧化铝晶片可以用作依赖于电压的光子器件。 相同的工艺可以用于在硅衬底的表面中衬衬沟槽,例如用于生产诸如随机存取存储器的微电子器件。

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