公开(公告)号：WO2012116157A2

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：PCT/US2012/026284

申请日：2012-02-23

Applicant: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED ,  TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH ,  TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED ,  LANGE, Bernhard ,  PUCHERT, Thies

Inventor： LANGE, Bernhard ,  PUCHERT, Thies

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/60 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L23/5389 ,  H01L23/3677 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2105 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/10253 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/185 ,  H05K2201/066 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: A semiconductor device is described comprising a semiconductor die 2 that is embedded in a package, wherein the die has a front side 28 comprising a plurality of pads to be bonded to terminals of the package, and wherein a backside 16 of the die is coupled to a backside surface 29 of the package by a thermal bridge.

Abstract translation: 描述半导体器件，其包括嵌入在封装中的半导体管芯2，其中管芯具有包括多个待焊接到封装的端子的焊盘的正面28，并且其中a 芯片的背面16通过热桥与封装的背面29相连。

公开(公告)号：WO2013167553A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/EP2013/059421

申请日：2013-05-06

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： HUET, Stéphanie ,  AIT-MANI, Abdenacer ,  DI CIOCCIO, Léa

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1469 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/19 ,  H01L24/80 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1465 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14692 ,  H01L2224/03845 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/80201 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

Abstract: Procédé de réalisation d'au moins un détecteur infrarouge photosensible par assemblage d'un premier composant (100, 230) électronique comportant une pluralité de photodiodes (110) sensibles au rayonnement infrarouge et d'un deuxième composant (400) électronique comprenant au moins un circuit électronique de lecture de la pluralité de photodiodes, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend : l'obtention sur chacun des premier (100, 230) et deuxième (400) composants d'une face de liaison (192, 492) formée au moins partiellement par une couche (210, 405) à base d'oxyde de silicium (Si02); une étape de collage du premier composant (100, 230) et du deuxième composant (400) par leurs faces de liaison (192, 492), réalisant ainsi le collage direct des deux composants (100, 230, 400). Ce procédé permet de simplifier l'hybridation de composants hétérogènes pour réaliser un détecteur infrarouge. L'invention porte également sur un détecteur infrarouge et sur un ensemble pour la réalisation d'un tel détecteur.

Abstract translation: 本发明涉及通过组装包括对红外辐射敏感的多个光电二极管（110）的第一电子部件（100,230）和第二电子部件（400）来生产至少一个光敏红外检测器的方法，所述第二电子部件包括至少一个电子部件 该电路用于读取多个光电二极管，其特征在于它包括：在第一（100,230）和第二（400）部件中的每一个上产生至少部分形成的连接表面（192,492） 通过含有氧化硅（SiO 2）的层（210,405）; 以及通过其连接表面（192,492）粘附第一部件（100,230）和第二部件（400）的步骤，使得能够直接粘合两个部件（100,230,400）。 该方法能够简化用于生产红外检测器的异质组件的杂交。 本发明还涉及红外检测器和用于生产这种检测器的组件。

公开(公告)号：WO2011126973A2

公开(公告)日：2011-10-13

申请号：PCT/US2011/031079

申请日：2011-04-04

Applicant: INTEL CORPORATION ,  NALLA, Ravi K. ,  DELANEY, Drew

Inventor： NALLA, Ravi K. ,  DELANEY, Drew

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/221 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1815 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4682 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods of forming a microelectronic packaging structure and associated structures formed thereby are described. Those methods may include forming a cavity in a carrier material, attaching a die in the cavity, wherein a backside of the die comprises a metal filled DBF, forming a dielectric material adjacent the die and on a bottom side of the carrier material, forming a coreless substrate by building up layers on the dielectric material, and removing the carrier material from the coreless substrate.

Abstract translation: 描述了形成微电子封装结构的方法及由此形成的相关结构。 这些方法可以包括在载体材料中形成空腔，将模具附接在空腔中，其中模具的背面包括填充金属的DBF，在模具附近形成介电材料并在载体材料的底侧上形成 通过在电介质材料上建立层，以及从无芯基板去除载体材料，从而形成无芯基板。

公开(公告)号：WO2016179159A1

公开(公告)日：2016-11-10

申请号：PCT/US2016/030543

申请日：2016-05-03

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： WE, Hong Bok ,  KIM, Dong Wook ,  LEE, Jae Sik

IPC: H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5381 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L24/27 ,  H01L24/33 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2205 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1533

Abstract: A semiconductor package according to some examples of the disclosure may include a substrate having a bridge embedded in the substrate, a first and second die coupled to the substrate, and a plurality of electrically conductive bridge interconnects in the substrate coupling the bridge to the first and second die. The plurality of electrically conductive bridge interconnects may have a first bridge contact layer directly coupled to the bridge, a first solder layer on the first bridge contact layer, a second bridge contact layer on the first solder layer, a second solder layer on the second bridge contact layer, and a die contact directly coupled to one of the first and second die where the plurality of electrically conductive bridge interconnects are embedded in the substrate.

Abstract translation: 根据本公开的一些示例的半导体封装可以包括具有嵌入在衬底中的桥的衬底，耦合到衬底的第一和第二裸片以及耦合到第一和第二衬底的衬底中的多个导电桥互连 第二次死亡 多个导电桥互连可以具有直接耦合到桥的第一桥接触层，第一桥接触层上的第一焊料层，第一焊料层上的第二桥接触层，第二桥上的第二焊料层 接触层和直接耦合到所述第一和第二管芯中的一个的管芯接触，其中所述多个导电桥互连件嵌入在所述衬底中。

公开(公告)号：WO2012140156A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/EP2012/056709

申请日：2012-04-12

Applicant: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  MARENCO, Norman

Inventor： MARENCO, Norman

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/544 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03552 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/1163 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82931 ,  H01L2224/82939 ,  H01L2224/82947 ,  H01L2224/82948 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung für ein gehäustes Funktionselement, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines mit einer Ausnehmung (10-2) versehenen Kunststoffsubstrats (10c), wobei in der Ausnehmung (10-2) des Kunststoffsubstrats (10c) das Funktionselement (12) platziert ist; und zumindest teilweises Umgeben des in der Ausnehmung (10-2) platzierten Funktionselements mit einem Vergusskunststoffmaterial (10d), um das in dem Kunststoffkörper zumindest teilweise eingebettete Funktionselement (12) zu erhalten, wobei in dem auf- oder eingebrachten Vergusskunststoffmaterial zumindest in einem Randbereich, der sich von der Oberfläche des Kunststoffkörpers (10) bis zu der zumindest einen Kontaktfläche (14, 16) erstreckt, ferner eine unter Einfluss elektromagnetischer Strahlung eine metallische Eigenschaft annehmende Materialkomponente vorhanden ist; Freilegen von zumindest einem Teilbereich der zumindest einen Kontaktfläche durch das Material des Kunststoffkörpers (10) hindurch; und Erzeugen einer Leiterbahnstruktur (26, 28), die sich von der zumindest einen Kontaktfläche des Funktionselements (12) zu einem zugeordneten Kontaktbereich (26-1) an der Oberfläche (10-1) des Kunststoffkörpers (10) erstreckt, durch lokales elektromagnetisches Bestrahlen der Oberfläche des mit der Materialkomponente versehenen Kunststoffkörpers im Bereich der zu erzeugenden Leiterbahnstruktur (26, 28).

Abstract translation: 本申请涉及一种用于制造用于包装的功能元件的电接触，其包括以下步骤：提供一种提供有凹部（10-2）塑料衬底（10C），其中，在塑料基材（10C）的凹部（10-2），该 功能元件（12）被放置; 并在位于功能元件与Vergusskunststoffmaterial（10D）的凹部（10-2）至少部分地围绕所述接收所述至少部分地嵌入在塑料体中功能元件（12），其中，在所述边缘区域中的至少施用或引入Vergusskunststoffmaterial 从塑料体（10）的表面延伸到所述至少一个接触表面（14，16），还包括一个金属属性接受材料部件是电磁辐射的影响下存在; 暴露至少穿过塑料体（10）穿过其中的材料中的所述至少一个接触区域的部分; 以及生成从所述功能元件（12）的至少一个接触表面延伸到塑料体（10）的表面（10-1）上的相关联的接触区域（26-1）的印刷导体结构（26，28），通过本地电磁辐射 设置有原料成分的塑料体的表面是在产生的印制导线结构（26，28）的范围内。

公开(公告)号：WO2012040735A2

公开(公告)日：2012-03-29

申请号：PCT/US2011053325

申请日：2011-09-26

Applicant: INTEL CORP ,  NALLA RAVI K ,  MANUSHAROW MATHEW J ,  MALATKAR PRAMOD

Inventor： NALLA RAVI K ,  MANUSHAROW MATHEW J ,  MALATKAR PRAMOD

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/12 ,  H01L23/485

CPC classification number: H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/93 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/21 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/211 ,  H01L2224/22 ,  H01L2224/2201 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/251 ,  H01L2224/25105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/93 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/82 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods of forming a microelectronic packaging structure and associated structures formed thereby are described. Those methods may include a die embedded in a coreless substrate, wherein a mold compound surrounds the die, and wherein the die comprises TSV connections on a first side and C4 pads on a second side of the die, a dielectric material on a first side and on a second side of the mold compound; and interconnect structures coupled to the C4 pads and to the TSV pads. Embodiments further include forming packaging structures wherein multiple dies are fully embedded within a BBUL package without PoP lands.

Abstract translation: 描述了形成微电子封装结构和由此形成的相关结构的方法。 这些方法可以包括嵌入无芯基板中的管芯，其中模制化合物围绕管芯，并且其中管芯包括第一侧上的TSV连接和管芯第二侧上的C4焊盘，第一侧上的电介质材料以及 在模塑料的第二侧上; 以及耦合到C4焊盘和TSV焊盘的互连结构。 实施例还包括形成封装结构，其中多个管芯完全嵌入在没有PoP焊盘的BBUL封装内。

公开(公告)号：WO2011126973A3

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：PCT/US2011031079

申请日：2011-04-04

Applicant: INTEL CORP ,  NALLA RAVI K ,  DELANEY DREW

Inventor： NALLA RAVI K ,  DELANEY DREW

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/221 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1815 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4682 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods of forming a microelectronic packaging structure and associated structures formed thereby are described. Those methods may include forming a cavity in a carrier material, attaching a die in the cavity, wherein a backside of the die comprises a metal filled DBF, forming a dielectric material adjacent the die and on a bottom side of the carrier material, forming a coreless substrate by building up layers on the dielectric material, and removing the carrier material from the coreless substrate.

Abstract translation: 描述了形成微电子封装结构的方法及由此形成的相关结构。 这些方法可以包括在载体材料中形成空腔，将模具附接在空腔中，其中模具的背面包括填充金属的DBF，在模具附近形成介电材料并在载体材料的底侧上形成 通过在电介质材料上建立层，以及从无芯基板去除载体材料，从而形成无芯基板。

公开(公告)号：WO2011090568A2

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：PCT/US2010059197

申请日：2010-12-07

Applicant: INTEL CORP ,  GUZEK JOHN

Inventor： GUZEK JOHN

IPC: H01L23/485

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/82 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/2105 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/8234 ,  H01L2224/8236 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/00

Abstract: Methods of forming a microelectronic packaging structure and associated structures formed thereby are described. Those methods may include forming a cavity in a plating material to hold a die, attaching the die in the cavity, forming a dielectric material adjacent the die, forming vias in the dielectric material adjacent the die, forming PoP lands in the vias, forming interconnects in the vias, and then removing the plating material to expose the PoP lands and die, wherein the die is disposed above the PoP lands.

Abstract translation: 描述了形成微电子封装结构的方法及由此形成的相关结构。 这些方法可以包括在电镀材料中形成一个空腔以保持模具，将模具连接到空腔中，形成与模具相邻的电介质材料，在邻近模具的电介质材料中形成通孔，在通孔中形成PoP焊盘，形成互连 在通孔中，然后移除电镀材料以暴露PoP焊盘和裸片，其中，模具设置在PoP焊盘上方。

公开(公告)号：WO2014139674A1

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：PCT/EP2014/000653

申请日：2014-03-12

Applicant: SCHWEIZER ELECTRONIC AG

Inventor： GOTTWALD, Thomas ,  NEUMANN, Alexander

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/072 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/75 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32013 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/7625 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82007 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82105 ,  H01L2224/83048 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/832 ,  H01L2224/8388 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4608 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/274 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/2929

Abstract: Elektronisches Bauteil (36) mit mindestens einem in einer Schichtabfolge eingebetteten elektronischen Bauelement (14), wobei das elektronische Bauelement (14) in einer Ausnehmung einer elektrisch leitenden zentralen Schicht (16) angeordnet ist und beiderseits unmittelbar an jeweils eine Harzschicht (12, 20) anschließt.

Abstract translation: 与至少一种包埋在层中的一个序列的电子部件（14），其中，所述电子元件（14）被布置在导电中心层（16）的凹部和在两侧直接向相应的树脂层的电子组件（36）（12，20） 紧随其后。

公开(公告)号：WO2013106173A1

公开(公告)日：2013-07-18

申请号：PCT/US2012/070477

申请日：2012-12-19

Applicant: INVENSAS CORPORATION

Inventor： HABA, Belgacem ,  BANG, Kyong-mo

IPC: H01L25/10 ,  H01L23/538 ,  H01L25/065 ,  H01L23/34

CPC classification number: H01L25/0655 ,  B81C1/00301 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/367 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012

Abstract: A microelectronic assembly (8) includes a first microelectronic package (10A) having a substrate (12) with first (14) and second (16) surfaces and substrate contacts (24). The first package further includes first and second microelectronic elements (40) having element contacts electrically connected with the substrate contacts (24) and spaced apart from one another on the first surface to provide an interconnect area between the first and second microelectronic elements. A plurality of package terminals (74) at the second surface are interconnected with the substrate contacts for connecting the package with an external component. A plurality of stack terminals (28) are exposed at the first surface in the interconnect area for connecting the package with a component overlying the first surface of the substrate. The assembly further includes a second microelectronic package (10B) overlying the first microelectronic package and having terminals (62) joined to the stack terminals of the first microelectronic package.

Abstract translation: 微电子组件（8）包括具有第一（14）和第二（16）表面的衬底（12）和衬底触点（24）的第一微电子封装（10A）。 第一封装还包括第一和第二微电子元件（40），元件触点与衬底触点（24）电连接并且在第一表面上彼此间隔开，以在第一和第二微电子元件之间提供互连区域。 在第二表面处的多个封装端子（74）与用于将封装件与外部部件连接的基板触点互连。 多个堆叠端子（28）在互连区域的第一表面处露出，用于将封装与覆盖在基板的第一表面上的部件连接。 组件还包括覆盖在第一微电子封装上并具有连接到第一微电子封装的堆叠端子的端子（62）的第二微电子封装（10B）。