公开(公告)号：WO2014074776A1

公开(公告)日：2014-05-15

申请号：PCT/US2013/069057

申请日：2013-11-08

申请人： AMKOR TECHNOLOGY, INC.

发明人： DO, Won Chul ,  PARK, Doo Hyun ,  PAEK, Jong Sik ,  LEE, Ji, Hun ,  SEO, Seong Min

IPC分类号： H01L23/02 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/4846 ,  H01L21/481 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/04 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0655 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/814 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： Provided are a semiconductor device including an interposer having a relatively thin thickness without a through silicon via and a method of manufacturing the same. The method of manufacturing a semiconductor device includes forming an interposer including a redistribution layer and a dielectric layer on a dummy substrate, connecting a semiconductor die to the redistribution layer facing an upper portion of the interposer, encapsulating the semiconductor die by using an encapsulation, removing the dummy substrate from the interposer, and connecting a bump to the redistribution layer facing a lower portion of the interposer.

摘要翻译： 提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件具有不具有通过硅通孔的相对较薄厚度的中介层。 制造半导体器件的方法包括在虚设衬底上形成包括再分配层和电介质层的插入件，将半导体管芯连接到面向插入件上部的再分配层，通过使用封装，去除 所述虚拟衬底从所述插入器连接，并且将凸块连接到面向所述插入件的下部的再分配层。

公开(公告)号：WO2014103855A1

公开(公告)日：2014-07-03

申请号：PCT/JP2013/084037

申请日：2013-12-19

申请人： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル ,  友廣 任志

发明人： 友廣　任志

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/4926 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/30 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/1511 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3512 ,  Y10T29/49131 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014

摘要： 　複数の接続パッド１３が形成された配線基板１０と、配線基板１０上に搭載された第１の半導体チップ２０と、第１の半導体チップ２０上に積層され、複数の電極３１を有する第２の半導体チップ３０と、第２の半導体チップ３０上に積層された補強板４０と、複数の接続パッド１３と複数の電極３１とを電気的に接続する複数のワイヤとを備え、第２の半導体チップ３０は、第１の半導体チップ２０に重なる積層領域３２と、第１の半導体チップ２０からオーバーハングするオーバーハング領域３３とを有し、電極３１は、オーバーハング領域３３に形成され、補強板４０は、第２の半導体チップ３０の積層領域３２とオーバーハング領域３３とに跨るように、第２の半導体チップ３０上に積層されている半導体装置１。

摘要翻译： 一种配备有电路板（10）的半导体器件（1），其上形成有多个连接焊盘（13），安装在电路板（10）上的第一半导体芯片（20），第二半导体芯片（30） 层叠在第一半导体芯片（20）上并具有层叠在第二半导体芯片（30）上的多个电极（31），加强板（40）以及将多个连接焊盘（13）和 所述多个电极（31）在一起，其中，所述第二半导体芯片（30）具有与所述第一半导体芯片（20）重叠的层叠区域（32）和从所述第一半导体芯片（20）突出的突出部（33） 所述电极（31）形成在所述突出部（33）中，所述加强板（40）层叠在所述第二半导体芯片（30）上，以跨越所述层叠区域（32）和所述各突出部（33） 的第二半导体芯片（30）。

公开(公告)号：WO2017161130A1

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：PCT/US2017/022733

申请日：2017-03-16

申请人： QUALCOMM INCORPORATED

发明人： HEALY, Christopher James ,  HOLMES, John Patrick ,  SOLIMANDO, Michael James ,  YUN, Sun ,  STONE, William Michael ,  PENDSE, Rajendra

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/295 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00015

摘要： Disclosed is a die packaging structure comprising a semiconductor die, an encapsulant layer disposed around the semiconductor die, wherein a backside surface of the semiconductor die is exposed, and a conductive layer coupled to the semiconductor die, the conductive layer comprising a plurality of conductive pillar bumps, wherein a bump density of the plurality of conductive pillar bumps is greater than 5%, wherein the encapsulant layer is further disposed between the plurality of conductive bumps, and wherein the encapsulant layer is disposed between the plurality of conductive bumps using a mold underfill (MUF) process. A method of forming the same is also disclosed.

摘要翻译： 公开了一种管芯封装结构，其包括半导体管芯，设置在半导体管芯周围的密封剂层，其中半导体管芯的背侧表面被暴露，以及耦合到半导体管芯的导电层， 所述导电层包括多个导电柱状凸块，其中所述多个导电柱状凸块的凸块密度大于5％，其中所述包封层进一步设置在所述多个导电凸块之间，并且其中所述包封层设置在所述多个导电柱状凸块之间 使用模具底部填充（MUF）工艺来形成多个导电凸块。 还公开了一种形成它的方法。

公开(公告)号：WO2012140156A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：PCT/EP2012/056709

申请日：2012-04-12

申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. ,  MARENCO, Norman

发明人： MARENCO, Norman

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/538 ,  H01L23/31 ,  H01L23/544 ,  H01L23/13 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2224/02377 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/03552 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/1163 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/82931 ,  H01L2224/82939 ,  H01L2224/82947 ,  H01L2224/82948 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

摘要： Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Kontaktierung für ein gehäustes Funktionselement, mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines mit einer Ausnehmung (10-2) versehenen Kunststoffsubstrats (10c), wobei in der Ausnehmung (10-2) des Kunststoffsubstrats (10c) das Funktionselement (12) platziert ist; und zumindest teilweises Umgeben des in der Ausnehmung (10-2) platzierten Funktionselements mit einem Vergusskunststoffmaterial (10d), um das in dem Kunststoffkörper zumindest teilweise eingebettete Funktionselement (12) zu erhalten, wobei in dem auf- oder eingebrachten Vergusskunststoffmaterial zumindest in einem Randbereich, der sich von der Oberfläche des Kunststoffkörpers (10) bis zu der zumindest einen Kontaktfläche (14, 16) erstreckt, ferner eine unter Einfluss elektromagnetischer Strahlung eine metallische Eigenschaft annehmende Materialkomponente vorhanden ist; Freilegen von zumindest einem Teilbereich der zumindest einen Kontaktfläche durch das Material des Kunststoffkörpers (10) hindurch; und Erzeugen einer Leiterbahnstruktur (26, 28), die sich von der zumindest einen Kontaktfläche des Funktionselements (12) zu einem zugeordneten Kontaktbereich (26-1) an der Oberfläche (10-1) des Kunststoffkörpers (10) erstreckt, durch lokales elektromagnetisches Bestrahlen der Oberfläche des mit der Materialkomponente versehenen Kunststoffkörpers im Bereich der zu erzeugenden Leiterbahnstruktur (26, 28).

摘要翻译： 本申请涉及一种用于制造用于包装的功能元件的电接触，其包括以下步骤：提供一种提供有凹部（10-2）塑料衬底（10C），其中，在塑料基材（10C）的凹部（10-2），该 功能元件（12）被放置; 并在位于功能元件与Vergusskunststoffmaterial（10D）的凹部（10-2）至少部分地围绕所述接收所述至少部分地嵌入在塑料体中功能元件（12），其中，在所述边缘区域中的至少施用或引入Vergusskunststoffmaterial 从塑料体（10）的表面延伸到所述至少一个接触表面（14，16），还包括一个金属属性接受材料部件是电磁辐射的影响下存在; 暴露至少穿过塑料体（10）穿过其中的材料中的所述至少一个接触区域的部分; 以及生成从所述功能元件（12）的至少一个接触表面延伸到塑料体（10）的表面（10-1）上的相关联的接触区域（26-1）的印刷导体结构（26，28），通过本地电磁辐射 设置有原料成分的塑料体的表面是在产生的印制导线结构（26，28）的范围内。