Abstract:
Es wird ein Mikrofonpackage vorgeschlagen, bei dem ein MEMS Mikrofonchip (MIC) auf einem Substrat (SUB) montiert und mit einer Abdeckung (ABD) gegen das Substrat abgedichtet ist. Die Membran (MMB) des Mikrofonchips ist mit einer Schalleintrittsöffnung (SEO) im Substrat über einen akustischen Kanal verbunden. Durch definierte Dimensionierung von insbesondere Querschnitt und Länge von Schalleintrittsöffnung und Kanal ist ein akustischer Tiefpass ausgebildet, dessen -3 dB Dämpfungspunkt deutlich unterhalb der Eigenresonanz von Mikrofonmembran und -package liegt.
Abstract:
Leiterplatte umfassend, einen Schaltungsträger (1), eine Deckschicht aus einem nicht leitenden Material (4), welches eine organische Substanz umfasst, angeordnet auf dem Schaltungsträger (1), eine erste Metallisierungsebene (5) zumindest teilweise angeordnet auf der Deckschicht (4), wobei die erste Metallisierungsebene (5) einen flexiblen Bereich (10) aufweist.
Abstract:
A chip (2, 3) is arranged on an upper side of a flexible support (1) and mechanically separate from the support. Electrical connections (8, 11) for the chip are executed with a planar connection technique. The chip can be separated from the support by means of an air gap or a base layer (7) made of a soft or compressible material.
Abstract:
Es wird ein Mikrofon in miniaturisierter Bauweise vorgeschlagen, welches auf einer ersten Oberfläche eines flachen Trägersubstrats einen elektroakustischen Wandler trägt, der über einer Ausnehmung des Trägersubstrats angeordnet ist. Auf der zweiten Oberfläche des Trägersubstrats wird die Ausnehmung von einer auf dem Trägersubstrat aufsitzenden und mit dessen Oberfläche dicht abschließenden Kappe überspannt, die zumindest eine metallische Schicht zur elektromagnetischen Abschirmung aufweist. Unter der Kappe können Halbleiterbauelemente angeordnet sein, die die Funktion des Mikrofons unterstützen oder gewährleisten.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein hochempfindliches MEMS-Mikrofon mit verbessertem Signalrauschverhältnis. Die Erfindung gibt in einer Ausführung ein piezoelektrisches Mikrofon mit einer vorzugsweise elektrisch an eine Membran (M1) gekoppelten Hilfsmembran (M2) an. In einer weiteren Ausführung ist eine Membran mit einem elektrischen Regelkreis zu Kompensation eines Membranhubs versehen.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Mikrofonmembran (M1), die zwei piezoelektrische Schichten (PS1, PS2) mit gleichsinnig gerichteten c-Achsen aufweist. In der mittleren Metallschicht ist eine erste elektrisch leitende Fläche (E11) ausgebildet, die mit einem ersten elektrischen Potential beaufschlagt ist. Die piezoelektrischen Schichten (PS1, PS2) sind jeweils zwischen der mittleren Metallschicht (ML2) und einer außenliegenden Metallschicht (ML1, ML3) angeordnet. In einer bevorzugten Variante weist die Membran (M1) bezüglich der Schichtenfolge und der Schichtendicke einen weitgehend symmetrischen Aufbau auf.
Abstract:
An SW component with a component system (1-3) mounted by the flip-chip technique onto a printed circuit board (5) and with a frame (4) surrounding the component structures (1-3), in which conductive tracks (6, 8) are interconnected on the printed circuit board (5) by this through connection (9-1, 9-2, 9-3) in such a way that components (9-1, 9-2) running in the direction of their extension are mutually staggered and interconnected via a connecting member (9-3).
Abstract:
In a process for producing contacts on SW components suitable for a flip-chip assembly, in which electrically conductive structures (3) on a substrate (1) are encapsulated by a cover (2), after the cover (2) has been produced, solderable layers (4) in contact with pads of the electrically conductive structures (3) are applied.
Abstract:
An encapsulation is disclosed for surface acoustic wave components, with a cap (13-16) which seals in the component structures (10-12) on a substrate (1) and takes the form of a covering on the substrate (1) provided in the areas of the component structures (10-12) with recesses which accomodate the said structures.
Abstract:
Es wird ein hermetisches Waferlevelpackage aus zwei vorzugsweise materialgleichen piezoelektrischen Wafern und ein Herstellungsverfahren dafür vorgestellt. Die elektrisch und mechanische Verbindung zwischen den beiden Wafern gelingt mit Rahmenstrukturen und Pillars, deren auf zwei Wafer verteilte Teilstrukturen mit Hilfe von Verbindungsschichten wafergebondet werden.