Abstract:
Die Erfindung betrifft ein induktives Bauelement (1) zur Bildung eines magnetischen Kreises, das mindestens eine Drahtwicklung (3) und mindestens eine Kühlvorrichtung (20) zum Kühlen der Drahtwicklung aufweist. Das induktive Bauelement ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlvorrichtung mindestens einen Verbundwerkstoff mit mindestens einem Polymerwerkstoff und mindestens einem thermisch leitfähigen Füllstoff aufweist. Mit Hilfe der Kühlvorrichtung kann eine Wärme effizient abgeleitet werden, die in der Drahtwicklung im Betrieb des induktiven Bauelements entsteht. Für eine Hochfrequenzanwendung wird insbesondere eine Drahtwicklung mit einer Hochfrequenzlitze und ein Kern mit einem hochfrequenztauglichen Kernmaterial für das induktive Bauelement verwendet. Dadurch ist ein miniaturisiertes induktives Bauelement zugänglich, das auch bei einem hohen Leistungsdurchsatz eine hohe Güte Q und damit niedrige elektrische Verluste aufweist. Das induktive Bauelement wird in einem sogenannten elektronischen Vorschaltgerät (EVG) im Beleuchtungsbereich eingesetzt.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein induktives Bauelement (1) zur Bildung eines magnetisches Kreises, aufweisend mindestens eine Drahtwicklung (3) und mindestens einen Kern (4) mit einem ferromagnetischen Kernmaterial, wobei der Kern zur Unterbrechung des magnetischen Kreises einen Spalt (7, 8) und mindestens einen weiteren Spalt (8, 7) aufweist. Das induktive Bauelement ist dadurch gekennzeichnet, dass die Spalte jeweils eine Spaltweite von mindestens 1,0 mm aufweisen. Der Kern besteht beispielsweise aus zwei Teilen, die an den Spalten (7, 8) einander gegenüber liegend angeordnet und durch die Spaltweiten voneinander beabstandet sind. Vorteilhaft ist das Bauelement symmetrisch mit im Wesentlichen gleichen Spaltweiten der Spalte. Mit der Verwendung einer Drahtwicklung aus einer Hochfrequenzlitze und einem Kern aus einem hochfrequenztauglichen Kernmaterial ist ein miniaturisiertes induktives Bauelement zugänglich, das auch bei einem hohen Leistungsdurchsatz eine hohe Güte Q und damit niedrige elektrische Verluste aufweist. Zur Erhöhung der Güte verfügt das induktive Bauelement zusätzlich über eine Kühlvorrichtung zum Kühlen der Drahtwicklung. Die Vorrichtung weist dabei ein Verbundmaterial mit einem Polymerwerkstoff und einem thermisch leitfähigen Füllstoff auf. Das induktive Bauelement wird in einem sogenannten elektronischen Vorschaltgerät (EVG) im Beleuchtungsbereich eingesetzt.
Abstract:
A self-supporting contacting structure is directly produced on a component that does not have a housing by applying a layer made of nonconducting material and a layer made of an electrically conductive material to the component and to a support and by subsequently removing these layers from said support.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung (1) auf einem Substrat (2) mit mindestens einem auf dem Substrat angeordneten Halbleiterbauelement (3) mit mindestens einer elektrischen Kontaktfläche(31) und mindestens einer auf dem Substrat angeordneten Verbindungsleitung (4) zur elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche des Halbleiterbauelements. Die Schaltungsanordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Verbindungsleitung 4 ein Bestandteil 51 eines diskreten, passiven elektrischen Bauelements (5) ist, das auf dem Substrat angeordnet ist. In einem Prozessschritt werden die elektrische Kontaktierung der Kontaktfläche des Halbleiterbauelements und der Bestandteil des diskreten, passiven elektrischen Bauelements erzeugt. Dazu wird insbesondere eine Folie aus elektrisch isolierendem Material unter Vakuum auf dem Leistungshalbleiter und dem Substrat aufgetragen und nachfolgend die Kontaktfläche des Leistungshalbleiters freigelegt. Im Weiteren wird die Verbindungsleitung erzeugt, wobei die elektrische Kontaktierung der Kontaktfläche des Halbleiterbauelements und der Bestandteil des diskreten, passiven elektrischen Bauelements erzeugt werden.
Abstract:
Direkt auf einem ungehäusten Bauelement wird eine freitragende Kontaktierstruktur erzeugt, indem eine Schicht aus isolierendem Material und eine Schicht aus elektrisch leitendem Material auf das Bauelement sowie einen Träger aufgebracht und vom Träger wieder abgelöst werden.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Anordnung (1) mindestens eines elektrischen Bauelements (2) und mindestens einer Kühlvorrichtung (3) zum Ableiten von Wärme vom Bauelement, wobei die Kühlvorrichtung mindestens eine Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung mit mindestens einem Verdampfer (31) aufweist und der Verdampfer eine Verdampf eroberfläche (311) zum Verdampfen eines Kühlfluids (34) in einen mit der Verdampferoberfläche des Verdampfers in Kontakt stehenden Dampf räum (312) der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung aufweist. Die Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Verdampf eroberfläche von einer elektrischen Verbindungsleitung (6) zur elektrischen Kontaktierung einer elektrischen Kontaktfläche (21) des Bauelements gebildet ist und ein Mittel (37) zum Einstellen einer Siedetemperatur des Kühlfluids vorhanden ist. Daneben wird auch ein Verfahren zum Betreiben eine Anordnung mit folgenden Verfahrensschritten angegeben: a) Ermitteln einer Zustandsgröße der Anordnung und b) Einstellen der Siedetemperatur des Kühlfluids der Kühlvorrichtung. Das Bauelement ist insbesondere ein Leistungshalbleiterbauelement. Die Verbindungsleitung wird zur effizienten Kühlung des Leistungshalbleiterbauelements und eines damit ausgestatteten Moduls (20) verwendet. Unabhängig von der Betriebsphase wird Wärme vom Bauelement effizient abgeleitet. Anwendung findet die Erfindung in der planaren, großflächigen Kontaktierungstechnologie .
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Anordnung (1) mindestens eines steuerbaren elektrischen Bauelements (2) auf einem Substrat, wobei das Substrat mindestens eine thermische Kontaktfläche (52) mit einem thermisch leitfähigen Material aufweist, das Bauelement mindestens eine thermische Kontaktfläche (21) aufweist, an der im Betrieb des Bauelements eine bestimmte Wärmemenge auftritt, das Bauelement derart auf dem Substrat angeordnet ist, dass die thermische Kontaktfläche des Bauelements dem Substrat abgekehrt ist, mindestens eine thermische Verbindungsleitung (3) zum Übertragen der bestimmten Wärmemenge von der thermischen Kontaktfläche des Bauelements auf die thermische Kontaktfläche des Substrats vorhanden ist und die thermische Verbindungsleitung eine auf der Anordnung abgeschiedene Metallisierungsschicht (30) aufweist. Zum Herstellen der Anordnung werden folgende Verfahrensschritte durchgeführt: a) Anordnen des Bauelements auf dem Substrat derart, dass die thermische Kontaktfläche des Bauelements dem Substrat abgekehrt ist, b) Erzeugen einer elektrischen Isolationsschicht (4) auf dem Bauelement derart, dass die thermische Kontaktfläche des Bauelements und die thermische Kontaktfläche des Substrats frei zugänglich sind, und Abscheiden mindestens einer Metallisierungsschicht auf der thermischen Kontaktfläche des Bauelements, der thermischen Kontaktfläche des Substrats und der Isolationsschicht zum Herstellen der thermischen Verbindungsleitung zwischen den thermischen Kontaktflächen. Das Bauelement ist ein Leistungshalbleiterbauelement. Die Metallisierungsschicht weist galvanisch abgeschiedenes Kupfer auf. Die resultierende thermische Verbindungsleitung weist einen effizienten Wärmeableitpfad (33) auf.
Abstract:
The invention relates to a circuit arrangement (1) placed on a substrate (2) and comprising at least one semiconductor component (3) arranged on the substrate and having at least one electrical contact surface (31) and at least one connection line (4) also arranged on the substrate and used to electrically contact the contact surface of the semiconductor component. Said circuit arrangement is characterised in that the connection line (4) forms part (51) of a discrete, passive electrical component (5) arranged on the substrate (2). The electrical contacting of the contact surface (31) of the semiconductor component is carried out during a step of the process and the part (51) of the discrete, passive electrical component (5) is produced. To this end, especially a film consisting of an electrically insulating material is applied to the semiconductor component (3) embodied as a power semiconductor and to the substrate (2) under a vacuum, and the contact surface of the power semiconductor is then bared. Furthermore, the connection line (4) is produced, whereby the electrical contacting of the contact surface (31) of the semiconductor component is carried out and the part (51) of the discrete, passive electrical component is produced.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Anordnung (1) mindestens eines elektrischen Bauelements (2) und mindestens einer Kühlvorrichtung (3) zum Ableiten von Wärme vom Bauelement, wobei die Kühlvorrichtung mindestens eine Zwei-Phasen- Kühlvorrichtung mit mindestens einem Verdampfer (31) aufweist und der Verdampfer eine strukturierte Verdampferoberfläche (311) zum Verdampfen eines Kühlfluids (34) aufweist. Die Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass die strukturierte Verdampf eroberfläche von einer elektrischen Verbindungsleitung (6) zur elektrischen Kontaktierung einer elektrischen Kontaktfläche (21) des Bauelements gebildet ist. Insbesondere ist ein Verflüssiger (32) mit einer strukturierten Verflüssigeroberfläche (321) zum Verflüssigen des Kühlfluids vorhanden. Neben der Anordnung wird ein Verfahren zum Herstellen der Anordnung mit folgenden Verfahrensschritten angegeben: a) Bereitstellen eines elektrischen Bauelements mit einer elektrischen Kontaktfläche und b) Erzeugen der elektrischen Verbindungsleitung mit der Verdampf eroberfläche auf der Kontaktfläche des Bauelements. Das Bauelement ist insbesondere ein Leistungshalbleiterbauelement. Die Verbindungsleitung wird zur effizienten Kühlung des Leistungshalbleiterbauelements und eines damit ausgestatteten Moduls (20) verwendet. Es findet eine effiziente Wärmespreizung und eine selektive Kühlung lokal heißer Stellen statt. Dadurch ist eine isotherme Entwärmung mit einer geringen thermischen Belastung des Leistungshalbleiterbauelements bzw. des Moduls möglich. Dies gelingt insbesondere durch die Ausgestaltung der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung als Siedebadkühlung. Anwendung findet die Erfindung in der planaren, großflächigen Kontaktierungstechnologie .