Abstract:
In some embodiments, to increase the height-to-pitch ratio of a solder connection that connects different structures with one or more solder balls, only a portion (510) of a solder ball's (140) surface is melted when the connection is formed on one structure (110) and/or when the connection is being attached to another structure (HOB). The structure (110) may be an integrated circuit, an interposer, a rigid or flexible wiring substrate, a printed circuit board, some other packaging substrate, or an integrated circuit package. In some embodiments, solder balls (140.1, 140.2) are joined by an intermediate solder ball (140i), upon melting of the latter only. Any of the solder balls (140, 140i) may have a non-solder central core (140C) coated by solder shell (140S). Some of the molten or softened solder may be squeezed out, to form a "squeeze-out" region (520, 520A, 520B, 520.1, 520.2). In some embodiments, a solder connection (210) such as discussed above, on a structure (110A), may be surrounded by a dielectric layer (1210), and may be recessed in a hole (1230) in that layer (1210), to help in aligning a post (1240) of a structure (HOB) with the connection (210) during attachment of the structures (110A, HOB). The dielectric layer (1210) may be formed by moulding. The dielectric layer may comprise a number of layers (1210.1, 1210.2), "shaved" (partially removed) to expose the solder connection (210). Alternatively, the recessed solder connections (210) may be formed using a sublimating or vapourisable material (1250), placed on top of the solder (210) before formation of the dielectric layer (1210) or coating solder balls (140); in the latter case, the solder (140C) sinks within the dielectric material (1210) upon removal of the material (1250) and subsequent reflow. In some embodiments, the solder connections (210) may also be formed in openings (2220) in a dielectric layer (2210) (photoimageable polymer or inorganic) by solder paste printing and/or solder ball jet placement followed by reflow to let the solder sink to the bottom of the openings (2220), with possible repetition of the process and possible use of different solders in the different steps. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may be used for bonding one or more structures (HOB, HOC) (e.g. an integrated circuit die or wafer, a packaging substrate or a package) to a structure (110A) (a wiring substrate) on which a die (HOB) is flip-chip connected. The solder connections (210, 210.1, 210.2) may differ from each other, in particular in height, which can be used for attaching a structure (HOB) with posts (1240) of different heights or for attaching two structures (HOB, HOC) in the case of a stepped form of the dielectric layer, one of the structures (HOC) being possibly placed higher than the other structure (HOB). In some embodiments, the structure (HOA) may be removed after bonding to the structures (HOB, HOC) and a redistribution layer (3210) may be formed to provide connecting lines (3220) connecting the solder connections (210) to contact pads (120R) and possibly interconnecting between the solder connections (210) and/or between the contact pads (120R).
Abstract:
Leiterplattenelement (1) mit wenigstens einem zwischen einer Unterlage (4) und einer Decklage (6) eingebetteten Bauelement (2), das mit Hilfe eines Klebefolienabschnitts (3) auf der Unterlage (4) angeklebt ist.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein Halbleitermodul (1) mit mindestens einem Trägerkörper (11), einem auf einem Oberflächenabschnitt (111) des Trägerkörpers angeordneten Halbleiterbauelement (12) mit einer Kontaktfläche (121), die dem Oberflächenabschnitt des Trägerkörpers abgewandt ist, mindestens einem auf dem Oberflächenabschnitt des Trägerkörpers angeordneten weiteren Halbleiterbauelement (13) mit einer weiteren Kontaktfläche (131), die dem Oberflächenabschnitt des Trägerkörpers abgewandt ist, wobei die Halbleiterbauelemente nebeneinander auf dem Oberflächenabschnitt angeordnet sind, die Kontaktfläche des Halbleiterbauelements und die weitere Kontaktfläche des weiteren Halbleiterbauelements planar kontaktiert sind und ein Abstand (15) zwischen den Halbleiterbauelementen entlang des Oberflächenabschnitts größer ist als eine laterale Abmessung (123, 133) zumindest eines der Halbleiterbauelemente. Durch die planare Kontaktierung resultiert beispielsweise eine flache Verbindungsleitung zwischen den Kontaktflächen der Halbleiterbauelemente. Eine flache Verbindungsleitung zeichnet sich im Gegensatz zu einer vergleichbaren Verbindungsleitung in Form eines Bonddrahtes durch eine geringere Induktivität aus. Zudem weist die flache Verbindungsleitung eine im Vergleich zum Bonddraht geringere Abstandsabhängigkeit der Induktivität auf. Der Abstand zwischen den Halbleiterbauelementen kann relativ groß gewählt werden. Durch den relativ großen Abstand der Halbleiterbauelemente resultiert im Betrieb eine Wärme- bzw. Temperaturspreizung. Dies führt zu einer im Vergleich zum Stand der Technik geringeren thermischen Belastung des Halbleitermoduls. Das Halbleitermodul ist insbesondere ein Leistungshalbleitermodul mit Leistungshalbleiterbauelementen.
Abstract:
The invention relates to a bonding film (1, 21), a semiconductor component (20) comprising a bonding film (1, 21), and a method for the production thereof. Said bonding film (1, 21) is used for contacting semiconductor chips (2), the planar dimensions of the bonding film (1, 21) being greater than the semiconductor chip (2). The bonding film (1, 21) is provided with peripheral terminal faces (10) in the border region (17) located outside the semiconductor chip (2), said peripheral terminal faces (10) being connected to terminal contact faces (5) via wiring cables (8, 9). The arrangement and size of said terminal contact faces (5) correspond to an arrangement and size of contact areas (6) of the semiconductor chip (2), the terminal contact faces (5) being in a bonding connection to said contact areas (6) of the semiconductor chip (2). An inventive semiconductor component (20) comprises two bonding films (1, 21). An upper bonding film (1) covers the top faces (16) and peripheral faces of the semiconductor chip (2) while a lower bonding film (21) contacts and covers the rear face (15) of the semiconductor chip (2).
Abstract:
An apparatus incorporating small-feature size and large-feature-size components. The apparatus comprise a strap including a substrate with an integrated circuit contained therein. The integrated circuit coupling to a first conductor disposed on the substrate. The first conductor is made of a thermosetting or a thermoplastic material including conductive fillers. A large-scale component having a second conductor is electrically coupled to the first conductor to electrically couple the large-scale component to the integrated circuit. The large-scale component includes a second substrate.
Abstract:
Die Erfindung betrifft eine Bondfolie (1, 21) und ein Halbleiterbauteil (20) mit Bondfolie (1, 21), sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Dabei dient die Bondfolie (1, 21) zum Kontaktieren von Halbleiterchips (2), wobei die Bondfolie (1, 21) in ihrer flächigen Erstreckung größer als der Halbleiterchip (2) ist. Im Randbereich (17), der außerhalb des Halbleiterchips (2) angeordnet ist, weist die Bondfolie (1, 21) Randanschlussflächen (10) auf, die über Verdrahtungsleitungen (8, 9) mit Kontaktanschlussflächen (5) in Verbindung stehen. Diese Kontaktanschlussflächen (5) entsprechen in Anordnung und Größe einer Anordnung und Größe von Kontaktflächen (6) des Halbleiterchips (2) und stehen mit diesen stoffschlüssig in Verbindung. Ein Halbleiterbauteil (20) weist zwei Bondfolien (1, 21) auf, wobei eine obere Bondfolie (1) die Oberseiten (16) und Randseiten des Halbleiterchips (2) bedeckt und eine untere Bondfolie (21) die Rückseite (15) des Halbleiterchips (2) kontaktiert und abdeckt.
Abstract:
The invention relates to a device comprising a cooling fin that is provided with an insulation layer, on which a component is situated. The component comprises an electric contact surface. The cooling fin comprising the insulating layer and the component is provided with a layer of electrically insulating material. The electric contact surface of the component is not covered by the layer of electrically insulating material. A layer of electrically conductive material is applied to the layer of electrically insulating material and to the exposed electric contact surface of the component.
Abstract:
Die Erfindung offenbart ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungsmoduls umfassend ein oder mehrere auf einem Substrat (1) angeordnete leistungselektronische Bauelemente (2) mit einer oder mehreren Kontaktflächen (210), bei dem die Kontaktierung der Kontaktflächen (210) und die Ausbildung einer oder mehrerer elektrischer Verbindungen zwischen den Kontaktflächen (210) des Leistungsbauelements (2) und Kontaktflächen (112) des Substrats (1) und/oder zwischen Kontaktflächen (210) von Leistungsbauelementen (2) folgende Schritte umfasst: Auflaminieren einer Folie (3) aus elektrisch isolierendem Kunststoffmaterial auf eine von Substrat (1) und Bauelementen (2) gebildete Oberfläche (20) unter Vakuum, so dass die Folie (3) die Oberfläche (20) einschließlich Substrat (1) und Bauelementen (2) mit der oder den Kontaktflächen (210, 112) eng anliegend bedeckt und auf dieser Oberfläche (20) haftet, Freilegen jeder zu kontaktierenden Kontaktfläche (210, 112) auf der Oberfläche (20) durch Öffnen jeweiliger Fenster (31) in der Folie (3), flächiges Kontaktieren jeder freigelegten Kontaktfläche (210, 112) mit einer Schicht (4, 6) aus elektrisch leitendem Material, und Erzeugen mindestens einer Leiterbahn in und/oder auf der Schicht (4, 6) aus dem elektrisch leitenden Material. Ferner wird ein entsprechendes Leistungsmodul angegeben.
Abstract:
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauelement (C) mit folgenden Merkmalen: - ein Schaltungsabschnitt (CK), in den eine elektronische Schaltung integriert ist und der eine Oberfläche (OF) aufweist, auf der folgende Komponenten angeordnet sind: - eine elektrisch leitenden Kontaktierungsfläche (K) zum Herstellen einer elektrischen Verbindung zur integrierten elektronischen Schaltung; - eine ebenfalls elektrisch leitende Verteilungsfläche (V), welche zumindest teilweise über die Kontaktierungsfläche (K) hinausragend aufgebracht ist.
Abstract:
Bei der Herstellung eines Bauelement-Moduls sind ein oder mehrere elektronische Bauelemente (10) zwischen einem Substrat (1) und einer Dielektrikumsschicht (13) in einer Vertiefung (3) des Substrats so positioniert, daß die Anschlüsse (11) des Bauelementes nach oben in Richtung zur Dielektrikumsschicht zeigen. Die Kontaktierung erfolgt über eine auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht angeordnete Leiterbahnstruktur (16), welche über Durchgangslöcher einerseits zu den Anschlüssen (11) des Bauelementes (10) und andererseits zu Außenanschlüssen (6) auf Polymerhöckern (2) kontaktiert sind, wobei letztere an der Unterseite des Substrats (1) oder auf der Oberseite der Dielektrikumsschicht angeformt sein können.