公开(公告)号：WO2016056656A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：PCT/JP2015/078804

申请日：2015-10-09

申请人： 石原ケミカル株式会社

发明人： 伊内　祥哉 ,  幡部　賢

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H05K3/34 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047

摘要： 　合金バンプを製造するために、基板１０の上に、該基板１０を露出する開口部１３を有するレジストパターン１２を形成し、開口部１３内における基板１０の上にアンダーバンプメタル１１を形成し、アンダーバンプメタル１１の上に、電気めっきにより第１めっき膜１４を形成し、第１めっき膜１４の上に、電気めっきにより第１めっき膜１４が含む金属成分を含まない第２めっき膜１５を形成し、レジストパターン１２を除去し、基板１１に熱処理を施して、第１めっき膜１４と第２めっき膜１５とを合金化することにより合金バンプ１６を形成する。

摘要翻译： 在本发明中，为了制造合金凸块，在基板10上形成具有露出基板10的开口13的抗蚀图案12， 在开口13内部的基板10上形成凸起下方的金属11; 通过电镀在凸块状金属11上形成第一镀膜14; 通过电镀在第一镀膜14上形成不包含第一镀膜14中所含的金属成分的第二镀膜15; 去除抗蚀图案12; 并且通过热处理基板10形成合金凸块16，从而使第一镀膜14和第二镀膜15合金化。

公开(公告)号：WO2013095670A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：PCT/US2011/067277

申请日：2011-12-23

申请人： INTEL CORPORATION ,  SIDHU, Rajen S. ,  DUDEK, Martha A. ,  MATAYABAS, JR., James C. ,  PHEN, Michelle S. ,  TAN, Wei

发明人： SIDHU, Rajen S. ,  DUDEK, Martha A. ,  MATAYABAS, JR., James C. ,  PHEN, Michelle S. ,  TAN, Wei

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： B23K35/025 ,  B23K35/362 ,  H01L21/4853 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/03828 ,  H01L2224/03829 ,  H01L2224/03849 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05794 ,  H01L2224/058 ,  H01L2224/05809 ,  H01L2224/05811 ,  H01L2224/05813 ,  H01L2224/05817 ,  H01L2224/05839 ,  H01L2224/05844 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/131 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3489 ,  H05K2203/041 ,  H05K2203/046 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01105 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01083

摘要： Flux formulations and solder attachment during the fabrication of electronic device assemblies are described. One flux formation includes a flux component and a metal particle component, the metal particle component being present in an amount of from 5 to 35 volume percent of the flux formulation. In one feature of certain embodiments, the metal particle component includes solder particles. Other embodiments are described and claimed.

摘要翻译： 描述了在制造电子器件组件期间的焊剂配方和焊料附着。 一种熔剂形成包括助熔剂组分和金属颗粒组分，金属颗粒组分的存在量为焊剂配方的5至35体积％。 在某些实施方案的一个特征中，金属颗粒组分包括焊料颗粒。 描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：WO2013058299A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：PCT/JP2012/076889

申请日：2012-10-18

申请人： 千住金属工業株式会社

发明人： 高口　彰 ,  佐藤　勇 ,  名内　孝

IPC分类号： H01L21/60 ,  H05K3/34

CPC分类号： B23K1/20 ,  B22D17/2023 ,  B23K3/0623 ,  B23K3/0638 ,  B23K3/085 ,  H01L24/11 ,  H01L24/741 ,  H01L2224/11312 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/742 ,  H05K3/3468 ,  H01L2924/00012

摘要： 　微細量のはんだバンプの形成が可能であり、且つ、余分な溶融はんだによるブリッジ発生のおそれのない、はんだバンプ形成方法を提供する。　基板８上に配置された開口付きマスクにノズル部１６を接した、溶融はんだ供給用インジェクションヘッド１１が、供給作業終了後、冷却用ユニット１３から、作動を停止したヒータユニット１２を介した伝熱により強制冷却される。冷却された、インジェクションヘッド１１内の溶融はんだ１５は、インジェクションヘッド１１上昇時にノズル部１６から垂れ落ちない。

摘要翻译： 提供了一种焊料凸点形成方法，其能够形成非常小的焊料凸块，而不会由于多余的熔融焊料而形成桥。 用于供应熔融焊料的注射头（11）在供应操作完成之后经由加热器单元（12）从冷却单元（13）传递热量而被强制冷却，所述喷射头具有接触的喷嘴部分（16） 具有安装在基板（8）上的孔的掩模，并且所述加热器单元已经停止操作。 当注射头（11）被抬起时，冷却的喷射头（11）内的熔融焊料（15）不会从喷嘴部分（16）滴落。

公开(公告)号：WO2014070926A1

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：PCT/US2013/067568

申请日：2013-10-30

申请人： QUALCOMM INCORPORATED

发明人： SUN, Yangyang ,  ZHAO, Lily ,  HAN, Michael

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L29/43 ,  B81B2207/093 ,  B81C1/00269 ,  B81C2203/019 ,  H01L21/768 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L29/84 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/03019 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13687 ,  H01L2224/13688 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： A conductive interconnect (340, 440, 540, 640) includes a conductive support layer (330, 430, 530, 630), a conductive material (320, 520, 620) on the conductive support layer (330, 430, 530, 630) and an inorganic collar (350, 450, 550, 650) partially surrounding the conductive material (320, 520, 620). The inorganic collar (350, 450, 550, 650) is also disposed on sidewalls of the conductive support layer (330, 430, 530, 630). A method of fabricating the conductive interconnect (340, 440, 540, 640) comprises fabricating a conductive material (320, 520, 620) on a seed layer (304, 504), forming an organic collar (310, 510) to partially surround the conductive material (320, 520, 620), etching the conductive seed layer (304, 504) to form the conductive support layer (330, 430, 530, 630) and heating to transition the organic collar (310, 510) into the inorganic collar (350, 450, 550, 650) that partially surrounds the conductive material (320, 520, 620) and is disposed on sidewalls of the conductive support layer (330, 430, 530, 630). The organic collar (310, 510) may be formed by depositing a photosensitive spin on dielectric material on the conductive material (320, 520, 620) and patterning the photosensitive spin on dielectric material. The conductive material (620) may be a single conductive material (320) or may comprise a stack of a first conductive layer (322) and a second conductive layer (324), separated by a barrier layer, in which case the heating step also causes a reflow of the second conductive layer (324) of the conductive material stack.

摘要翻译： 导电互连（340,440,540,640）包括导电支撑层（330,430,530,630），导电支撑层（330,430,530,630）上的导电材料（320,520,620） ）和部分地围绕导电材料（320,520,620）的无机套环（350,450,550,650）。 无机套环（350,450,550,650）也设置在导电支撑层（330,430,530,630）的侧壁上。 制造导电互连（340,440,540,640）的方法包括在种子层（304,504）上制造导电材料（320,520,620），形成有机套环（310,510）以部分地包围 所述导电材料（320,520,620）蚀刻所述导电种子层（304,504）以形成所述导电支撑层（330,430,530,630）并加热以将所述有机套环（310,510）转变成所述导电材料层 部分地围绕导电材料（320,520,620）并且设置在导电支撑层（330,430,530,630）的侧壁上的无机套环（350,450,550,650）。 可以通过在导电材料（320,520,620）上沉积介电材料上的光敏自旋并使电介质材料上的感光纺丝图案来形成有机套环（310,510）。 导电材料（620）可以是单个导电材料（320），或者可以包括由阻挡层隔开的第一导电层（322）和第二导电层（324）的堆叠，在这种情况下，加热步骤也 导致导电材料堆叠的第二导电层（324）的回流。

公开(公告)号：WO2009122467A1

公开(公告)日：2009-10-08

申请号：PCT/JP2008/002045

申请日：2008-07-30

申请人： ニホンハンダ株式会社 ,  増田涼子 ,  工藤康全 ,  一色実 ,  浅見英知 ,  山川君男 ,  峯勝利

发明人： 増田涼子 ,  工藤康全 ,  一色実 ,  浅見英知 ,  山川君男 ,  峯勝利

IPC分类号： B22F3/10 ,  B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  H01L21/60 ,  H01B1/22

CPC分类号： H01B1/22 ,  B22F1/0059 ,  B22F7/08 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/81411 ,  H01L2224/81424 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81455 ,  H01L2224/81464 ,  H01L2224/81469 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/3025 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0074 ,  B22F3/1021 ,  B22F2201/01 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： (A)平均粒径が０.１μｍより大きく５０μｍ以下であり非アミン系撥水性有機物で被覆された加熱焼結性金属粒子と、(B)揮発性分散媒とからなるペースト状金属粒子組成物を複数の金属製部材間に介在させ、還元性ガス中で７０°C以上４００°C以下での加熱により、該揮発性分散媒を揮散させ該金属粒子同士を焼結して複数の金属製部材同士を接合させることを特徴とする、金属製部材の接合方法。該接合方法を使用して得られる金属製部材接合体。電気回路接続用バンプの製造方法。

摘要翻译： 本发明提供了一种接合金属构件的方法，其特征在于包括一种糊状金属颗粒组合物，其包含（A）平均粒径大于0.1μm且不大于50μm的热可烧结金属颗粒，并被非胺 - 在（B）挥发性分散介质之间，在多个金属构件之间，在70℃以上且400℃以下的温度下在还原性气体中加热组合物，使挥发性分散介质蒸发， 从而烧结金属颗粒，从而使多个金属构件彼此接合。 还提供了使用接合方法制造的金属构件接合产品，以及用于制造电路连接用凸块的方法。

公开(公告)号：WO2007005592A2

公开(公告)日：2007-01-11

申请号：PCT/US2006/025548

申请日：2006-06-30

申请人： INTEL CORPORATION ,  HUA, Fay

发明人： HUA, Fay

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/486 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2224/11436 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1152 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13311 ,  H01L2224/13316 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13411 ,  H01L2224/13416 ,  H01L2224/13439 ,  H01L2224/13444 ,  H01L2224/13447 ,  H01L2224/13499 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83

摘要： A nano-sized metal particle composite includes a first metal that has a particle size of about 50 nanometer or smaller. A wire interconnect is in contact with a reflowed nanosolder and has the same metal or alloy composition as the reflowed nanosolder. A microelectronic package is also disclosed that uses the reflowed nanosolder composition. A method of assembling a microelectronic package includes preparing a wire interconnect template. A computing system includes a nanosolder composition coupled to a wire interconnect.

摘要翻译： 纳米尺寸的金属颗粒复合物包含粒径为约50纳米或更小的第一金属。 导线互连与回流纳米焊剂接触并具有与回流纳米焊剂相同的金属或合金组成。 还公开了使用回流纳米固体组合物的微电子封装。 组装微电子封装的方法包括准备导线互连模板。 计算系统包括耦合到导线互连的纳米焊料组合物。

公开(公告)号：WO2016035625A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：PCT/JP2015/073934

申请日：2015-08-26

申请人： 国立大学法人東北大学

发明人： 小柳　光正 ,  田中　徹 ,  福島　誉史 ,  李　康旭

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/288 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L24/11 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 【課題】金属柱を微細化すること。 【解決手段】延伸方向に延伸する金属柱１４と、前記延伸方向に交差する方向から前記金属柱を囲むポリマー層１６と、前記金属柱から前記ポリマー層を介し離間し、前記交差する方向に前記ポリマー層を囲むガイド１２と、を具備する半導体装置。金属粒子２２とポリマー２４とを含む混合物２０をガイド１２内に充填する工程と、前記ガイド側に前記ポリマーが凝集することにより前記ガイドに接するポリマー層１６が形成され、前記ガイドから前記ポリマー層を介し離間して前記金属粒子が凝集することにより、前記金属粒子から前記ガイドの延伸方向に延伸する金属柱１４が形成されるように、前記混合物を熱処理する工程と、を含む半導体装置の製造方法。

摘要翻译： [问题]使金属柱小型化。 [解决方案]一种半导体器件，其具有：在拉伸方向上延伸的金属柱14; 聚合物层16，其从与拉伸方向相交的方向包围金属柱; 以及引导件12，其与介于其间的聚合物层离开金属柱，并且在与拉伸方向相交的方向上包围聚合物层。 一种制造半导体器件的方法，包括：用包含金属颗粒22和聚合物24的混合物20填充引导件12的步骤; 以及使混合物进行热处理以使与导向件接触的聚合物层16通过在导向侧具有聚合物附聚物而形成的步骤和沿着拉伸方向延伸的金属柱14 通过使金属颗粒聚集在与聚合物层介于其间的与引导件分离的空间中，由金属颗粒形成引导件。

公开(公告)号：WO2015115665A1

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/JP2015/052999

申请日：2015-02-03

申请人： 国立大学法人大阪大学

发明人： 菅沼　克昭 ,  長尾　至成 ,  呉　哲ミン

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01L23/12 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L24/16 ,  H01L23/367 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/3737 ,  H01L23/42 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/00014

摘要： 　本発明の接合構造体（１００）は、基板（１１０）と、金属膜（１２０）と、半導体素子（１３０）とを備える。基板（１１０）、金属膜（１２０）、および、半導体素子（１３０）は、この順番に積層されている。前記金属膜（１２０）を構成する金属はストレスマイグレーションによって拡散したものであり、前記基板（１１０）と前記半導体素子（１３０）とが前記金属膜（１２０）を介して接合されている。

摘要翻译： 该接合结构（100）设置有基板（110），金属膜（120）和半导体元件（130）。 依次层叠基板（110），金属膜（120）和半导体元件（130）。 构成金属膜（120）的金属通过应力迁移而扩散，基板（110）和半导体元件（130）通过介于其间的金属膜（120）彼此接合。

公开(公告)号：WO2014029930A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/FR2013/051852

申请日：2013-07-31

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： ALIANE, Abdelkader ,  COPPARD, Romain ,  TALLAL, Jamal

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L31/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/563 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02175 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11515 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13187 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/819 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： Ce procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique comportant un premier composant (12) hybridé à un second composant (14) au moyen d'interconnexions électriques, consiste : à réaliser des premier et second composants (12, 14), le second composant (14) étant transparent à un rayonnement ultraviolet au moins au droit d'emplacements prévus pour les interconnexions; à former des éléments d'interconnexion (22) comprenant de l'oxyde de cuivre sur le second composant (14) aux emplacements prévus pour les interconnexions; à reporter les premier et second composants (12, 14) l'un sur l'autre; et à appliquer un rayonnement ultraviolet au travers le second composant (14) sur les éléments comprenant de l'oxyde de cuivre de manière à mettre en œuvre un recuit ultraviolet transformant l'oxyde de cuivre en cuivre.

摘要翻译： 用于制造包括通过电互连与第二部件（14）杂交的第一部件（12）的微电子器件的该工艺包括：产生第一和第二部件（12,14），第二部件（14）对于 紫外线辐射至少与提供给互连的位置一致; 在为所述互连提供的位置中形成在所述第二部件（14）上包含氧化铜的互连元件（22）; 将第一和第二部件（12,14）放置在另一个上; 以及通过所述第二部件（14）将紫外线辐射施加到包含氧化铜的元件上，以实现将所述氧化铜转化为铜的紫外线退火。

公开(公告)号：WO2014002949A1

公开(公告)日：2014-01-03

申请号：PCT/JP2013/067251

申请日：2013-06-24

申请人： イビデン株式会社

发明人： ▲樋▼口　直貴

IPC分类号： H01L21/52 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00 ,  H01L23/12

CPC分类号： H01L23/3736 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/11505 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13194 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29194 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81639 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/83026 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83097 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83639 ,  H01L2224/8484 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/37099

摘要： 　導体層を有する配線基板と、該導体層の表面に半導体素子を実装するための接合層を有する接合基板及びその製造方法を提供する。　接合基板は、基材の表面に導体層を有する配線基板と、該導体層の表面に半導体素子を実装するための接合層を有する接合基板であって、前記接合層は、銀または銀合金からなり、内部に略球形の独立気孔が分散してなる。気孔形状による任意の部分への応力集中が起らず、よりクラックが発生しにくい。また、気孔が略球体であるので、接合層を貫通するように流れる電流、熱流を遮りにくいので、電気抵抗、熱抵抗を小さくすることができる。

摘要翻译： 提供一种键合衬底，其具有导体层和用于将导电层的表面上安装半导体元件的接合层的布线基板及其制造方法。 键合衬底是具有布线衬底的键合衬底，该衬底在基体表面上具有导体层，以及用于将半导体元件安装在该导体层的表面上的接合层。 接合层由银或银合金形成，并且具有分散在其中的基本上球形的独立孔。 因此，由孔形状引起的应力集中不会发生在任何部分，并且不易发生裂纹。 此外，由于孔基本上是球形的，所以流过结合层的电流和热流不容易被阻塞; 因此，可以使电阻和耐热性变小。