公开(公告)号：WO2014183981A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/EP2014/058609

申请日：2014-04-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH ,  OSRAM GMBH

Inventor： HORN, Markus ,  SCHWARZ, Thomas ,  BREIDENASSEL, Andreas ,  AUEN, Karsten ,  STOJETZ, Bernhard

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02208 ,  H01L2924/19107 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02272 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02296 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/4018 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/405

Abstract: Ein Laserbauelement weist ein Gehäuse (400) auf, in dem ein erster Trägerblock (301) angeordnet ist. An einer Längsseite (330) des ersten Trägerblocks (301) ist ein erster Laserchip (101) mit einer Abstrahlrichtung (131) angeordnet. Der erste Laserchip ist elektrisch leitend mit einem am ersten Trägerblock angeordneten ersten Kontaktbereich (310) und einem am ersten Trägerblock (301) angeordneten zweiten Kontaktbereich (320) verbunden. Zwischen dem ersten Kontaktbereich (310) und einem ersten Kontaktstift (401) des Gehäuses (400) sowie dem zweiten Kontaktbereich (320) und einem zweiten Kontaktstift (402) des Gehäuses besteht je eine elektrisch leitende Verbindung. Eine lineare Anordnung von Laserchips (101) ist elektrisch in Reihe geschaltet auf jedem Trägerblock (301,302). Die vorgefertigten Module auf einem Trägerblock können auf ihre Funktion getestet werden bevor sie in dem Gehäuse befestigt und kontaktiert werden (358). Zwischen jedem Laserchip (101) und Trägerblock (301,302) kann sich eine keramische Wärmesenke (201,202) befinden.

Abstract translation: 一种激光装置具有壳体（400），其中，第一支撑块（301）被布置。 在第一支撑块（301）的一个纵向侧（330）是具有发射方向（131）被布置在第一激光器芯片（101）。 第一激光芯片电传导地连接到布置在所述第一接触区域（310）和设置在第一支撑块上的第一支撑块（301）第二接触部分（320）。 第一接触区域（310）和所述壳体的第一接触销（401）（400）和所述第二接触区域（320）和所述外壳的第二接触销（402）之间的是相应的导电连接。 激光芯片（101）的线性阵列被电连接在每个载波块（301,302）上串联。 一个支撑块上的预制模块可以为它的功能被测试它被安装在所述壳体和触头（358）之前。 各激光芯片（101）和支撑块（301,302）的陶瓷散热器（201,202）之间可位于其中。

公开(公告)号：WO2023036851A2

公开(公告)日：2023-03-16

申请号：PCT/EP2022/074924

申请日：2022-09-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： SEIDENFADEN, Jan ,  SORG, Joerg Erich ,  HORN, Markus

IPC: H01S5/022

Abstract: Die Erfindung betrifft eine optoelektronische Leuchtvorrichtung umfassend einen Träger, zumindest ein auf einer Oberseite des Trägers angeordnetes Licht emittierendes Halbleiterelement, das dazu ausgebildet ist Licht mit einer Wellenlänge kleiner als 550 nm zu emittieren, eine für das von dem Halbleiterelement emittierte Licht im wesentlichen transparente Vergussmasse, die das Licht emittierende Halbleiterelement auf dem Träger einkapselt, einen Rahmen, der auf der Oberseite des Trägers angeordnet ist, der das Licht emittierende Halbleiterelement in eine Richtung senkrecht zur Oberseite des Trägers überragt, und der die Vergussmasse in wenigstens eine Raumrichtung begrenzt, und ein für das von dem Halbleiterelement emittierte Licht im wesentlichen transparentes Abdeckelement, das in eine Emissionsrichtung der optoelektronischen Leuchtvorrichtung gesehen auf der Vergussmasse schwebend angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2017102863A1

公开(公告)日：2017-06-22

申请号：PCT/EP2016/081036

申请日：2016-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER, Christoph ,  ENZMANN, Roland ,  HORN, Markus ,  SEIDENFADEN, Jan

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/83234 ,  H01L2933/0033

Abstract: Die Erfindung betrifft einen Träger für ein optoelektronisches Bauelement, umfassend: einen Grundkörper, wobei der Grundkörper eine erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung umfasst, wobei auf einer ersten Seite des Grundkörpers eine erste Lötschicht zum Löten eines optoelektronischen Bauelements an den Grundkörper angeordnet ist, wobei die erste elektrisch leitfähige Heizschichtanordnung von der ersten Lötschicht elektrisch isoliert und mit der ersten Lötschicht thermisch verbunden ist. Die Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zum Herstellen eines Trägers für ein optoelektronisches Bauelement. Die Erfindung betrifft des Weiteren einen Wafer und ein Lötverfahren.

Abstract translation:

本发明涉及一种Tr的AUML亨特˚F导航用途为r的光电装置，包括：求＆OUML;主体，其中，所述求＆OUML;包括通断Heizschichtanordnung，其中在所述基＆OUML的第一侧上;主体，第一导电＆AUML 用于终止光电子器件的第一焊料层设置在基体上，第一导电发热层组件与第一焊料层电绝缘并热焊接到第一焊料层。 本发明还涉及一种用于制造光电子器件的载体的方法。 本发明还涉及一种晶片和一种工艺

公开(公告)号：WO2017050636A1

公开(公告)日：2017-03-30

申请号：PCT/EP2016/071847

申请日：2016-09-15

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WALTER, Christoph ,  ENZMANN, Roland ,  HORN, Markus ,  SEIDENFADEN, Jan

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/62 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0075 ,  H01S5/02268 ,  H01S5/02272

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (100) umfasst Schritte zum Bereitstellen eines Trägers (200) mit einer Oberseite (201), zum Anlegen eines gegenüber einem Montagebereich (210) der Oberseite (201) vertieften Bereichs (220) an der Oberseite (201) des Trägers (200), wobei zwischen dem Montagebereich (210) und dem vertieften Bereich (220) eine Stufe (230) ausgebildet wird, zum Anordnen einer sich über den Montagebereich (210) und den vertieften Bereich (220) erstreckenden Metallisierung (250) an der Oberseite (201) des Trägers (200), zum Anlegen einer Trennspur (270) in der Metallisierung (250), wobei die Metallisierung (250) in dem Montagebereich (210) zumindest abschnittsweise vollständig durchtrennt wird und in dem vertieften Bereich (220) zumindest nicht vollständig durchtrennt wird, und zum Anordnen eines optoelektronischen Halbleiterchips (110) über dem Montagebereich (210) der Oberseite (201), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (110) an der Trennspur (270) ausgerichtet wird.

Abstract translation: 制造的光电子装置（100）的方法，包括提供载体（200）具有顶（201），用于在顶部施加一个相对于上表面的安装部（210），（201）凹部（220）的步骤（201 ）所述载体（200），（安装部210）与凹槽区（220）之间的是形成一个步骤（230）（用于布置自己（经由所述安装部210）和延伸的金属化凹陷部分220）（250 ）在所述载体（200），用于在所述安装部（210）在金属化（250）施加一分离的轨道（270），金属化（250）的顶部（201）至少部分地完全切断，并（在凹进区域 220）至少不完全切断，以及（用于光电子半导体芯片110）（经由布置的顶部（201），的安装部210），其中所述光电子半导体芯片（110） 与分离轨道（270）对齐。

公开(公告)号：WO2014191419A1

公开(公告)日：2014-12-04

申请号：PCT/EP2014/060973

申请日：2014-05-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HORN, Markus ,  AUEN, Karsten

IPC: F21V5/00 ,  G02B3/00 ,  H01S5/40 ,  F21Y105/00

CPC classification number: H01S5/4025 ,  F21K9/64 ,  F21S4/28 ,  F21Y2105/10 ,  F21Y2115/10 ,  F21Y2115/30 ,  H01S5/02216 ,  H01S5/02288 ,  H01S5/02296

Abstract: Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement (1) mit einem Träger (2) mit wenigstens zwei Strahlungsquellen (3,4), die ausgebildet sind, um eine elektromagnetische Strahlung zu erzeugen, wobei das Gehäuse (5) einen Deckel (7) aufweist, der aus einem Material besteht, das für die elektromagnetische Strahlung der Strahlungsquellen undurchlässig ist, wobei im Deckel wenigstens zwei Öffnungen (9) vorgesehen sind, wobei jede Öffnung (9) mit einem optischen Element (10) verschlossen ist, wobei das optische Element (10) aus einem Material besteht, das für die elektromagnetische Strahlung der jeweiligen Strahlungsquelle durchlässig ist.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（1）与支撑件（2）与适于产生电磁辐射的至少两个辐射源（3,4），其中，所述壳体（5）具有一个盖（7） 由不透的辐射源的电磁辐射的材料，其中至少两个开口中的盖提供（9），每个开口（9）的光学元件（10）被关闭，其中所述光学元件（10） 由可透过每个辐射源的电磁辐射的材料制成。

公开(公告)号：WO2017064283A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：PCT/EP2016/074772

申请日：2016-10-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： AUEN, Karsten ,  HORN, Markus ,  ENZMANN, Roland

IPC: H01L25/075 ,  H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01S5/022 ,  H01S5/40 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/486 ,  H01L33/54 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/005 ,  H01S5/005 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02292 ,  H01S5/4025

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Anordnung (10) aufweisend ein Konversionselement (30), ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (25) und einen Träger mit einer Trägerebene (80), wobei auf der Trägerebene (80) das Konversionselement (30) angeordnet ist, wobei das optoelektronische Halbleiterbauelement (25) ausgebildet ist, im Betrieb eine erste elektromagnetische Strahlung (135) mit einer ersten Strahlrichtung und einer ersten Wellenlänge aus einem ersten Spektralbereich abzustrahlen, wobei die erste elektromagnetische Strahlung (135) auf das Konversionselement (30) gerichtet ist, wobei das Konversionselement (30) ausgebildet ist, zumindest teilweise die erste elektromagnetische Strahlung (135) in eine zweite elektromagnetische Strahlung (145) mit einer zweiten Wellenlänge aus einem zweiten Spektralbereich zu konvertieren, und wobei die erste Strahlrichtung des optoelektronischen Halbleiterbauelements (25) geneigt zu der Trägerebene (80) ausgerichtet ist.

Abstract translation:

本发明涉及一种包括一个转换元件（30），光电子半导体器件（25）和一个带Tr的AUML一个Tr的AUML亨特的装置（10）; gerebene（80），其特征在于，在所述载体BEAR（gerebene 80）的转换元件（30）布置，其特征在于，所述光电子半导体器件（25）形成，在使用中，具有第一波束方向和第一光谱范围的第一波长BEAR辐射长度，第一电磁辐射（135），其中所述第一电磁辐射 （135）被引导至所述转换元件（30），其中，在形成所述转换元件（30），至少部分地，第一电磁辐射（135）向第二电磁辐射（145）具有第二波长的BEAR长度从第二光谱范围转换 ，并且其中所述光电子半导体器件（25）的第一光束方向倾斜于所述轨道（80）纵向 是的。

公开(公告)号：WO2014180682A1

公开(公告)日：2014-11-13

申请号：PCT/EP2014/058483

申请日：2014-04-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HORN, Markus ,  ROZYNSKI, Andreas ,  AUEN, Karsten ,  HANEDER, Stephan ,  DOBBERTIN, Thomas

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024 ,  H01S5/40 ,  H01S5/323

CPC classification number: H01S5/02292 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/0222 ,  H01S5/02236 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02476 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/4025 ,  H01S5/4087

Abstract: Laserdiodenvorrichtung, umfassend einen Träger (1) mit einer Trägeroberseite (11), zumindest einen Laserdiodenchip (4), welcher an der Trägeroberseite (11) angeordnet ist, wobei der Laserdiodenchip (4) im Betrieb elektromagnetische Strahlung durch eine Abstrahlfläche (5) emittiert, wobei die Abstrahlfläche (5) senkrecht zur Trägeroberseite (11) verläuft, und zumindest ein optisches Element (6), das die vom Laserdiodenchip (4) abgestrahlte elektromagnetische Strahlung zumindest teilweise senkrecht zur Trägeroberseite (11) umlenkt. Laserdiodenchip und optisches Element können auf einer gemeinsamen Montageplatte (3) aus Kupfer angeordnet sein, die einen guten Wärmetransport zum Träger ermöglicht. Durch Verwendung mehrerer Laserdiodenchips mit geringfügig voneinander abweichender Wellenlänge können Speckles reduziert werden. Mittels einer Verzögerungsplatte (8) zwischen dem Laserdiodenchip und dem optischen Element kann die Polarisation beeinflusst werden. Ein Polarisationswürfel ermöglicht es, die umgelenkten Lichtstrahlenbündel als unterschiedlich polarisierte Lichtstrahlenbündel vollständig miteinander zu überdecken.

Abstract translation: 激光二极管设备，包括，（4）设置在所述载体上的至少一个激光二极管芯片的支撑件（1）与载体顶部（11）（11）设置，其中，所述激光二极管芯片（4）的辐射表面（5）在操作期间发射电磁辐射， 其中辐射表面（5）垂直于载体顶部（11），和至少一个光学元件（6），由激光二极管芯片（4）的电磁辐射至少部分地垂直于载体顶部发射的光（11）挠曲。 激光二极管芯片和光学元件可以设置在（3）由铜制成的共同的安装板，从而使良好的热传递到支撑件。 通过使用多个激光二极管芯片与稍微发散波长斑点可被减少。 由激光二极管芯片及上述光学元件之间的相位差板（8）的装置，所述偏振可以被影响。 偏振立方体使得能够彼此完全覆盖偏转光束作为不同地偏振的偏振光束。

公开(公告)号：WO2014135339A1

公开(公告)日：2014-09-12

申请号：PCT/EP2014/052541

申请日：2014-02-10

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HORN, Markus

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02268 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/02469 ,  H01S5/02476

Abstract: Es wird eine Halbleiterlaseranordnung angegeben mit den folgenden Elementen: - ein Halbleiterlaserchip (1), wobei der Halbleiterlaserchip (1) eine Montageseite (12) zur Montage auf einem Träger (2) oder einer Wärmesenke, eine der Montageseite (12) abgewandte Oberseite (10) und einen aktiven Bereich (11) aufweist, der im Betrieb Licht entlang einer Abstrahlrichtung abstrahlt, - ein erstes Wärmeleitelement (3) lateral neben dem Halbleiterlaserchip (1) und - ein zweites Wärmeleitelement (4), das auf der Oberseite (10) des Halbleiterlaserchips (1) und einer Oberseite (30) des ersten Wärmeleitelements (3) angeordnet ist.

Abstract translation: 它是设置有下述元件的半导体激光器阵列： - 用于安装在支承件（2）或散热片，安装侧（12）顶部的一个（半导体激光器芯片（1）中，从半导体激光芯片（1）的安装侧（12）背向10 有）和有源区（11），其在操作期间沿着发射辐射光， - 第一导热元件（3）侧旁的半导体激光芯片（1）和 - 第二导热元件（4），其（在其上侧10） 设置在半导体激光器芯片（1）和所述第一热传导构件（3）的顶部（30）。

公开(公告)号：WO2022069128A2

公开(公告)日：2022-04-07

申请号：PCT/EP2021/073913

申请日：2021-08-30

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HORN, Markus ,  SORG, Joerg

IPC: H01S5/40 ,  H01S5/10 ,  H01S5/0237 ,  H01S5/028 ,  H01S5/02326 ,  H01S5/0234 ,  H01S5/0287 ,  H01S5/1039 ,  H01S5/4043 ,  H01S5/405 ,  H01S5/4087

Abstract: Es wird eine optoelektronische Laservorrichtung beschrieben, die umfasst: einen ersten Satz von kantenemittierenden Laserdioden, wobei der erste Satz von kantenemittierenden Laserdioden eine oder mehrere erste Laserdioden (21a, 21d, 21f) aufweist, die an einer Seitenfläche (23) jeweils einen ersten Lichtaustrittsbereich (25) für Laserlicht aufweisen, einen zweiten Satz von kantenemittierenden Laserdioden, wobei der zweite Satz von kantenemittierenden Laserdioden eine oder mehrere zweite Laserdioden (21b, 21d, 21e) aufweist, die an einer Seitenfläche (23) jeweils einen zweiten Lichtaustrittsbereich (25) für Laserlicht aufweisen, wobei die Seitenflächen (25) der ersten und zweiten Laserdioden (21a - 21f) zumindest im Wesentlichen in derselben Ebene liegen, wobei eine jeweilige zweite Laserdiode (21b, 21d, 21f) einer jeweiligen ersten Laserdiode (21a, 21d, 21e) zugeordnet ist, und wobei die Lichtaustrittsbereiche (25) der ersten und der zugeordneten zweiten Laserdiode (21a-21f) in einem Abstand zueinander angeordnet sind, welcher kleiner ist als 10 µm, bevorzugt kleiner als 5 µm, weiter bevorzugt kleiner als 3 µm, noch weiter bevorzugt kleiner als 2 µm.

公开(公告)号：WO2018041943A1

公开(公告)日：2018-03-08

申请号：PCT/EP2017/071860

申请日：2017-08-31

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN, Roland ,  HORN, Markus ,  SEIDENFADEN, Jan

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/48 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird eine Anordnung mit einem Gehäuse vorgeschlagen, in dem ein strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement angeordnet ist, wobei das Gehäuse wenigstens eine für die Strahlung des Bauelementes transparente Wand aufweist, wobei in die Wand diffraktive optische Elemente integriert sind, wobei die Elemente stoffeinheitlich und einteilig mit der Wand ausgebildet sind.

Abstract translation: 所以建议与其中发射辐射的光电子器件被布置的布置的壳体，其具有在壳体的至少一个为透明的构件壁的辐射，所述衍射光学元件被集成在所述壁，其中所述元件织物均匀地和一体地形成的 墙被形成。