公开(公告)号：WO2013165323A2

公开(公告)日：2013-11-07

申请号：PCT/TH2013000016

申请日：2013-04-05

申请人： MEKTEC MFG CORP THAILAND LTD ,  CHULALONGKORN UNIVERSITY

发明人： JITJONGRUCK SATHID ,  SOMWANGTHANAROJ ANONGNAT

IPC分类号： H01L21/98

CPC分类号： H01L23/3142 ,  H01L21/563 ,  H01L23/295 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16113 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17151 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2224/81024 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81095 ,  H01L2224/81097 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： A method of forming an assembly of a substrate and a flip-chip having solder balls thereon, the method having steps of: placing the flip chip with the solder balls in contact with the substrate to form a first interim assembly at a first predetermined temperature; providing an encapsulant to the first interim assembly to form a second interim assembly at a second predetermined temperature that is lower than a melting temperature of the solder balls and higher than the first predetermined temperature; and subjecting the second interim assembly to an environment of a third predetermined temperature that is sufficient to melt the solder balls. An encapsulant for use in forming an assembly of a substrate and a flip-chip having solder balls thereon, the encapsulant consisting essentially of: an epoxy resin; an anhydride curing agent; a fluxing agent having a hydroxyl (-OH) group; and an inorganic filler.

摘要翻译： 一种在其上形成衬底和具有焊球的倒装芯片的组件的方法，所述方法具有以下步骤：将具有焊球的所述倒装芯片与所述衬底接触以在第一预定温度下形成第一临时组件; 向所述第一临时组件提供密封剂以在低于所述焊球的熔化温度并高于所述第一预定温度的第二预定温度下形成第二临时组件; 以及使所述第二临时组件经受足以熔化所述焊球的第三预定温度的环境。 一种用于形成衬底的组件和其上具有焊球的倒装芯片的密封剂，所述密封剂基本上由以下组成：环氧树脂; 酸酐固化剂; 具有羟基（-OH）基团的助熔剂; 和无机填料。

公开(公告)号：WO2013136896A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/JP2013/053391

申请日：2013-02-13

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 梨子田　典弘

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/01 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1623 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81091 ,  H01L2224/81095 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81359 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/32 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012

摘要： 　導電ポスト８と被接合部材である半導体チップ６や導電パターン付絶縁基板４を金属ナノ粒子を用いて金属粒子接合する場合に、導電ポスト８の先端の底面１２を凹状にすることで、強固な接合層を得ることができる。

摘要翻译： 在通过使用金属纳米粒子的金属粒子接合而将导电柱（8）和待结合的构件（即，具有导电图案的半导体芯片（6）或绝缘衬底（4））接合在一起的情况下， 可以通过使导电柱（8）的前端的底面（12）具有凹陷形状来获得层。