公开(公告)号：WO2014082809A1

公开(公告)日：2014-06-05

申请号：PCT/EP2013/072613

申请日：2013-10-29

申请人： EPCOS AG

发明人： FEICHTINGER, Thomas ,  RINNER, Franz

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/34 ,  H01L33/64

CPC分类号： H05K7/205 ,  H01L23/34 ,  H01L23/3675 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/02 ,  H01L24/32 ,  H01L25/16 ,  H01L25/167 ,  H01L33/64 ,  H01L33/641 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： Es wird eine Halbleitervorrichtung angegeben mit einem Halbleiterbauelement (7) auf einem Trägerkörper (14), der einen Keramikkörper (4) und eine in den Trägerkörper (14) integrierte Thermistorsensorstruktur (3) in direkter Verbindung mit dem Keramikkörper (4) aufweist, und mit einer Wärmesenke (1), auf der der Trägerkörper (14) montiert ist.

摘要翻译： 它是具有陶瓷体的支撑体（14）设置有半导体装置（7）的半导体装置（4）并进入所述支撑体（14）集成Thermistorsensorstruktur（3）中与陶瓷胚体（4），和直接接触 在其上的支撑体（14）被安装在散热装置（1）。

公开(公告)号：WO2013167609A1

公开(公告)日：2013-11-14

申请号：PCT/EP2013/059520

申请日：2013-05-07

申请人： HERAEUS MATERIALS TECHNOLOGY GMBH & CO. KG

发明人： MILKE, Eugen ,  PRENOSIL, Peter ,  THOMAS, Sven

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01B1/02

CPC分类号： H01L24/45 ,  B21F9/005 ,  B23K1/0016 ,  B32B15/01 ,  C22C9/00 ,  C22C21/00 ,  C22F1/04 ,  C22F1/08 ,  H01B1/023 ,  H01B1/026 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/4312 ,  H01L2224/43125 ,  H01L2224/43848 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45541 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45617 ,  H01L2224/45624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4823 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20303 ,  H01L2924/20304 ,  H01L2924/20305 ,  H01L2924/2076 ,  Y10T428/1275 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01205 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/20111 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01006

摘要： The invention relates to a wire, preferably a bonding wire for bonding in microelectronics, comprising a copper core (2) with a surface and coating layer (3) superimposed over the surface of the copper core (2), wherein the coating layer (3) comprises aluminium, wherein the ratio of the thickness of the coating layer (3) to the diameter of the copper core (2) is in the range of from 0.05 to 0.2 μm, wherein the ratio of the standard deviation of the diameter of the copper core (2) to the diameter of the copper core (2) is in the range of from 0.005 to 0.05 μm and wherein the ratio of the standard deviation of the thickness of the coating layer (3) to the thickness of the coating layer (3) is in the range of from 0.05 to 0.4 μm, wherein the wire has a diameter in the range of from 100 μιη to 600 μm. The invention further relates to a process for making a wire, to a wire obtainable by said process, to an electric device comprising at least two elements and at least aforementioned wire, to a propelled device comprising said electric device and to a process of connecting two elements through aforementioned wire by wedge bonding.

摘要翻译： 本发明涉及一种电线，优选用于在微电子学中结合的接合线，包括具有叠加在铜芯（2）的表面上的表面和涂层（3）的铜芯（2），其中涂层（3） ）包括铝，其中所述涂层（3）的厚度与所述铜芯（2）的直径的比率在0.05至0.2μm的范围内，其中所述直径的标准偏差 铜芯（2）与铜芯（2）的直径在0.005至0.05μm的范围内，并且其中涂层（3）的厚度的标准偏差与涂层的厚度之比 （3）的范围为0.05-0.4μm，其中线的直径在100μm到600μm之间。 本发明还涉及一种用于将线材制成的方法，可由所述方法获得的线材包括至少包括两个元件和至少前述的线材的电气设备，该电气设备包括所述电气设备的推进设备和连接两个 元素通过上述丝线通过楔形粘结。

公开(公告)号：WO2013136896A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：PCT/JP2013/053391

申请日：2013-02-13

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 梨子田　典弘

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/18

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/01 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/80 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/1623 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81048 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81091 ,  H01L2224/81095 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81359 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/35 ,  H01L2924/351 ,  H05K3/32 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/4015 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/01 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012

摘要： 　導電ポスト８と被接合部材である半導体チップ６や導電パターン付絶縁基板４を金属ナノ粒子を用いて金属粒子接合する場合に、導電ポスト８の先端の底面１２を凹状にすることで、強固な接合層を得ることができる。

摘要翻译： 在通过使用金属纳米粒子的金属粒子接合而将导电柱（8）和待结合的构件（即，具有导电图案的半导体芯片（6）或绝缘衬底（4））接合在一起的情况下， 可以通过使导电柱（8）的前端的底面（12）具有凹陷形状来获得层。

公开(公告)号：WO2017112047A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/US2016/056887

申请日：2016-10-13

申请人： INTEL CORPORATION

发明人： CHOUDHURY, Arnab ,  BEATTY, John ,  CHOUDHARY, Prakriti

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373

CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/4882 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/42 ,  H01L23/433 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27334 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29021 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29149 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29163 ,  H01L2224/29164 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29172 ,  H01L2224/29176 ,  H01L2224/2918 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29187 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83201 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/16153 ,  H01L2924/16251 ,  H01L2924/1659 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/00012

摘要： Methods, systems, and apparatuses that assist with cooling semiconductor packages, such as multi-chip packages (MCPs) are described. A semiconductor package includes a component on a substrate. The component can include one or more semiconductor dies. The package can also include a multi-reference integrated heat spreader (IHS) solution (also referred to as a smart IHS solution), where the smart IHS solution includes a smart IHS lid. The smart IHS lid includes a cavity formed in a central region of the smart lid. The smart IHS lid can be on the component, such that the cavity corresponds to the component. A first thermal interface material layer (TIM- layer 1) can be on the component. An individual IHS lid (IHS slug) can be on the TIM-layer 1. The IHS slug can be inserted into the cavity. Furthermore, an intermediate thermal interface material layer (TIM-1A layer) can be between the IHS slug and the cavity.

摘要翻译： 描述了辅助冷却诸如多芯片封装（MCP）之类的半导体封装的方法，系统和设备。 半导体封装包括衬底上的部件。 该组件可以包括一个或多个半导体管芯。 该套件还可以包括多参考集成散热器（IHS）解决方案（也称为智能IHS解决方案），其中智能IHS解决方案包括智能IHS盖。 智能IHS盖包括形成在智能盖的中心区域中的空腔。 智能IHS盖可以位于组件上，使得腔对应于组件。 第一热界面材料层（TIM-层1）可以在该部件上。 一个单独的IHS盖（IHS塞）可以在TIM层1上.IHS塞可以插入到腔中。 此外，中间热界面材料层（TIM-1A层）可以位于IHS段塞和腔之间。

公开(公告)号：WO2015088658A3

公开(公告)日：2015-08-06

申请号：PCT/US2014062172

申请日：2014-10-24

申请人： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

发明人： KELLER DAREN W

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/78 ,  H01L21/67253 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/67288 ,  H01L22/12 ,  H01L22/26 ,  H01L23/544 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54473 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48177 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/78753 ,  H01L2224/789 ,  H01L2224/78901 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2224/8585 ,  H01L2224/859 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12033 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An apparatus comprises a wire bonder system including a wire bonding device (210), a measuring device (215) and a rejection device (220). The wire bonding device (210) is configured to attach wire bond type electrical interconnect to an electronic assembly. A wire bond is formed between a first semiconductor device and a second electronic device to form at least a portion of the electronic assembly. The measuring device (215) is configured to perform a three dimensional measurement associated with a wire bond, and the rejection device (220) is configured to identify an electronic assembly for rejection according to the three dimensional wire bond measurement.

摘要翻译： 一种装置包括一种包括接线装置（210），测量装置（215）和拒收装置（220）的引线接合系统。 引线接合装置（210）被配置为将引线接合型电互连件附接到电子组件。 在第一半导体器件和第二电子器件之间形成引线接合以形成电子组件的至少一部分。 测量装置（215）被配置为执行与引线接合相关联的三维测量，并且拒绝装置（220）被配置为根据三维线接合测量来识别用于拒绝的电子组件。

公开(公告)号：WO2015101789A1

公开(公告)日：2015-07-09

申请号：PCT/GB2014/053859

申请日：2014-12-31

申请人： DIAMOND MICROWAVE DEVICES LIMITED

发明人： LANG, Richard ,  GILL, Jonathan ,  GOTCH, Damian ,  HILTON, Richard

IPC分类号： H03F1/56 ,  H03F3/195

CPC分类号： H03F1/565 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/645 ,  H01L23/647 ,  H01L23/66 ,  H01L24/17 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L2223/6611 ,  H01L2223/6627 ,  H01L2223/6655 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19031 ,  H01L2924/19032 ,  H01L2924/19033 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/386 ,  H01P3/026 ,  H01P3/08 ,  H01P3/081 ,  H03F3/193 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/255 ,  H03F2200/451 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： Some embodiments of the present invention provided an impedance-transforming arrangement comprising a plurality of microwave power transistors (41), and at least one intermediate impedance-transforming or matching device (30). The matching device comprises a plurality of elongate microwave transmission lines (31) provided in or on at least one dielectric substrate (32), extending across or through the dielectric substrate. The microwave transmission lines are coupled at one end to the gate pads (47) of the transistor and at the input ends to a signal input terminal for the transmission line. The transmission lines are substantially directly coupled to one another by means of resistive elements (35) providing a current flow path between the two transmission lines in order to reduce any residual tendency to instability caused by manufacturing variations or misalignment in the assembly process.

摘要翻译： 本发明的一些实施例提供了包括多个微波功率晶体管（41）和至少一个中间阻抗变换或匹配装置（30）的阻抗变换装置。 匹配装置包括设置在至少一个电介质基板（32）中或之上的多个细长的微波传输线（31），延伸穿过或穿过电介质基板。 微波传输线在一端耦合到晶体管的栅极焊盘（47），并且在输入端耦合到传输线的信号输入端。 传输线通过在两个传输线之间提供电流流动路径的电阻元件（35）基本上彼此直接耦合，以便减少由组装过程中的制造变化或未对准引起的不稳定性的任何残余倾向。

公开(公告)号：WO2015083661A1

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：PCT/JP2014/081726

申请日：2014-12-01

申请人： 国立大学法人広島大学

发明人： 松木　一弘 ,  末次　憲一郎

IPC分类号： B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L21/52 ,  H05K3/34

CPC分类号： B23K35/264 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/26 ,  C22C12/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/3226 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3457 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 　高い融点を有し、かつ、優れた機械的特性を示し、ひいては耐熱信頼性の高い接合部を形成し得るはんだ材料を提供する。Ｂｉ－Ｃｕ合金とＢｉ－Ｇｅ合金とを、Ｂｉ－Ｃｕ合金およびＢｉ－Ｇｅ合金の合計に対してＢｉ－Ｃｕ合金を３０～７０重量％の割合で用いて第１合金とし、該第１合金とＢｉ－Ａｇ合金とを、第１合金およびＢｉ－Ａｇ合金の合計に対してＢｉ－Ａｇ合金を５～８０重量％の割合で用いて得られる第２合金をはんだ合金として含むはんだ材料において、前記Ｂｉ－Ｃｕ合金は０．２～０．８重量％のＣｕと残部のＢｉとから成り、前記Ｂｉ－Ｇｅ合金は０．７～１．３重量％のＧｅと残部のＢｉとから成り、前記Ｂｉ－Ａｇ合金は２．２～２０．３重量％のＡｇと残部のＢｉとから成るものとする。

摘要翻译： 提供了具有高熔点并且表现出优异的机械特性的焊料材料，并且还可以形成具有高耐热可靠性的接合部分。 焊料材料含有作为焊料合金的第一合金，其使用Bi-Cu合金和Bi-Ge合金，其比例相对于Bi的总和为Bi-Cu合金的30-70重量％ -Cu合金和Bi-Ge合金，以及第二合金，其使用所述第一合金和Bi-Ag合金以相对于所述Bi-Ag合金的比例使得所述Bi-Ag合金为5-80重量％ 总共有Bi-Ag合金和第一种合金。 Bi-Cu合金包含0.2-0.8重量％的Cu，余量为Bi，Bi-Ge合金包含0.7-1.3重量％的Ge，余量为Bi，Bi-Ag合金包含2.2-20.3重量％ 的Ag，其余为Bi。

公开(公告)号：WO2012067992A3

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/US2011060553

申请日：2011-11-14

申请人： TESSERA INC ,  HABA BELGACEM

发明人： HABA BELGACEM

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/03 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/03001 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0311 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05576 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16221 ,  H01L2224/29018 ,  H01L2224/29026 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

摘要： An assembly 100 and method of making same are provided. The assembly 100 can include a first component 105 including a dielectric region 120 having an exposed surface 122, a conductive pad 134 at the surface 122 defined by a conductive element 132 having at least a portion extending in an oscillating or spiral path along the surface 122, and a an electrically conductive bonding material 140 joined to the conductive pad 134 and bridging an exposed portion 137 of the dielectric surface 122 between adjacent segments 136, 138. The conductive pad 134 can permit electrical interconnection of the first component 105 with a second component 107 having a terminal 108 joined to the pad 134 through the electrically conductive bonding material 140. The path of the conductive element 132 may or may not overlap or cross itself.

摘要翻译： 提供组件100及其制造方法。 组件100可以包括第一部件105，其包括具有暴露表面122的电介质区域120，在由导电元件132限定的表面122处的导电焊盘134，导电元件132具有沿着表面122的振荡或螺旋路径延伸的至少一部分 以及连接到导电焊盘134并桥接相邻段136,138之间的电介质表面122的暴露部分137的导电接合材料140.导电焊盘134可以允许第一部件105与第二部件 107具有通过导电接合材料140接合到焊盘134的端子108.导电元件132的路径可以或可以不与其自身重叠或交叉。

公开(公告)号：WO2011152204A1

公开(公告)日：2011-12-08

申请号：PCT/JP2011/061322

申请日：2011-05-17

申请人： 住友電気工業株式会社 ,  初川 聡

发明人： 初川　聡

IPC分类号： G01N25/72 ,  G01R31/26 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L22/10 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L23/24 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 　複数のＳｉＣ半導体チップを実装基板上に実装し（Ｓ１）、実装基板上のＳｉＣ半導体チップに電圧を印加する（Ｓ２）。電圧を印加した状態で、サーモグラフィ、赤外線顕微鏡等の熱映像装置を用いて実装基板表面の温度分布画像を取得し（Ｓ３）、画像解析を行うことによって不良チップの有無を判定する（Ｓ５）。実装基板に不良チップが含まれる場合（Ｓ５：ＹＥＳ）、当該不良チップの配線を切断することにより、不良チップを排除する（Ｓ７）。これにより、小容量チップを用いた半導体装置の製造方法が提供される。

摘要翻译： 公开了一种制造半导体器件的方法，其中在步骤（S1）中，多个SiC半导体芯片安装在安装基板上，在步骤（S2）中，向SiC半导体芯片施加电压 安装基板。 在步骤（S3）中，在施加电压的状态下，使用诸如红外显微镜的热像仪和热成像装置获得安装基板表面的温度分布图像，并且在步骤（S5）中，是否 是否通过分析图像来确定故障芯片。 在步骤（S7）中，在安装基板中包含故障芯片的情况下（S5：是），通过切断故障芯片的布线来拒绝故障芯片。 因此，提供了使用小容量芯片制造半导体芯片的方法。

公开(公告)号：WO2016205563A1

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：PCT/US2016/037931

申请日：2016-06-16

申请人： QUALCOMM INCORPORATED

发明人： KESER, Lizabeth Ann ,  RAE, David Fraser ,  GUPTA, Piyush

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76802 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/43 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/85 ,  H01L24/89 ,  H01L24/96 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02371 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08245 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/8538 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06579 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/151 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/182 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247

摘要： An integrated circuit (IC) package that includes a first die, a wire bond coupled to the first die, a first encapsulation layer that at least partially encapsulates the first die and the wire bond, a second die, a redistribution portion coupled to the second die, and a second encapsulation layer that at least partially encapsulates the second die. In some implementations, the wire bond is coupled to the redistribution portion. In some implementations, the integrated circuit (IC) package further includes a package interconnect that is at least partially encapsulated by the second encapsulation layer. In some implementations, the integrated circuit (IC) package further includes a via that is at least partially encapsulated by the second encapsulation layer. In some implementations, the integrated circuit (IC) package has a height of about 500 microns (μm) or less.

摘要翻译： 一种集成电路（IC）封装，其包括第一管芯，耦合到所述第一管芯的引线接合，至少部分地封装所述第一管芯和所述引线接合的第一封装层，第二管芯，耦合到所述第二管芯的再分配部分 并且至少部分地封装第二管芯的第二封装层。 在一些实施方式中，引线接合耦合到再分配部分。 在一些实现中，集成电路（IC）封装进一步包括由第二封装层至少部分封装的封装互连。 在一些实现中，集成电路（IC）封装还包括至少部分地由第二封装层封装的通孔。 在一些实现中，集成电路（IC）封装具有约500微米（μm）或更小的高度。