公开(公告)号：WO2014171439A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/JP2014/060682

申请日：2014-04-15

Applicant: 住友電気工業株式会社

Inventor： 熊野　哲弥 ,  吉本　晋

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10341 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/10355 ,  H01L2924/10356 ,  H01L2924/10357 ,  H01L2924/10358 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05124

Abstract: 　はんだ付半導体デバイス（１）は、基板（１０）と、基板（１０）上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）と、ＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）上に配置されたショットキー電極（４０）と、ショットキー電極（４０）上に配置されたパッド電極（５０）と、を含む半導体デバイス（１Ｄ）を含み、パッド電極（５０）は少なくともＰｔ層を含む複層構造を有し、半導体デバイス（１Ｄ）のパッド電極（５０）上に配置された融点が２００℃以上２３０℃以下のはんだ（６０）をさらに含む。これにより、ショットキー電極と、その上に配置されたパッド電極と、その上に配置されたはんだとを含むはんだ付半導体デバイスについて、半導体デバイスの特性を低下させることなくそのはんだによる実装が可能なはんだ付半導体デバイスが提供される。

Abstract translation: 焊料附着的半导体器件（1）包括半导体器件（1D），其包括：衬底（10）; 设置在所述基板（10）上的至少一个III族氮化物半导体层（20）。 设置在所述III族氮化物半导体层上的肖特基电极; 以及设置在肖特基电极（40）上的焊盘电极（50），所述焊盘电极（50）具有至少包含Pt层的多层结构。 焊料附着的半导体器件还包括设置在半导体器件（1D）的焊盘电极（50）上并具有200-230℃的熔点的焊料（60）。 因此，提供了可以使用焊料安装而不会劣化半导体器件特性的焊料附着半导体器件，所述焊料附着半导体器件包括肖特基电极，设置在电极上的焊盘电极和设置在焊盘电极上的焊料 。