公开(公告)号：WO2016180849A1

公开(公告)日：2016-11-17

申请号：PCT/EP2016/060493

申请日：2016-05-11

申请人： RFHIC CORPORATION

发明人： FRANCIS, Daniel

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/7624 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344

摘要： A method of fabricating a semiconductor-on-diamond composite substrate, the method comprising: (i) starting with a native semiconductor wafer comprising a native silicon carbidesubstrate on which a compound semiconductor is disposed; (ii) bonding a silicon carbide carrier substrate to the compound semiconductor; (iii) removing the native silicon carbide substrate; (iv) forming a nucleation layer over the compound semiconductor; (v) growing polycrystalline chemical vapour deposited (CVD) diamond on the nucleation layer to form a composite diamond-compound semiconductor-silicon carbide wafer, and (vi) removing the silicon carbide carrier substrate y laser lift-off to achieve a layered structure comprising the compound semiconductor bonded to the polycrystalline CVD diamond via the nucleation layer, wherein in step (ii) the silicon carbide carrier substrate is bonded to the compound semiconductor via a laser absorption material which absorbs laser light, wherein the laser has a coherence length shorter than a thickness of the silicon carbide carrier substrate.

摘要翻译： 一种制造金刚石半导体复合衬底的方法，所述方法包括：（i）从其上配置有化合物半导体的天然硅碳化硅衬底的天然半导体晶片开始; （ii）将碳化硅载体衬底结合到化合物半导体; （iii）去除天然碳化硅衬底; （iv）在化合物半导体上形成成核层; （v）在成核层上生长多晶化学气相沉积（CVD）金刚石以形成复合金刚石 - 化合物半导体 - 碳化硅晶片，和（vi）去除碳化硅载体衬底y激光剥离以实现分层结构，包括 通过成核层与多晶CVD金刚石结合的化合物半导体，其中在步骤（ii）中，碳化硅载体衬底通过吸收激光的激光吸收材料与化合物半导体结合，其中激光的相干长度短于 碳化硅载体基板的厚度。

公开(公告)号：WO2019143854A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：PCT/US2019/014070

申请日：2019-01-17

申请人： VIASAT, INC.

发明人： SUN, Shih, Peng ,  BUER, Kenneth, V ,  LYONS, Michael, R ,  ENGLISH, Gary, P ,  CHEN, Qiang, R ,  DARAPU, Ramanamurthy, V ,  MATHEWS, Douglas, J ,  BERKHEIMER, Mark, S ,  DRAKE, Brandon, C ,  PYON, Jay, C

IPC分类号： H01L23/66 ,  H03F3/213 ,  H03F3/195 ,  H03F3/21 ,  H03F1/52

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L2223/665 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/19105 ,  H03F3/195 ,  H03F3/211 ,  H03F3/213 ,  H03F2200/222 ,  H03F2200/387 ,  H03F2200/451

摘要： A packaged semiconductor chip includes a power amplifier die including a semiconductor substrate, and an input contact pad, an output contact pad, first and second direct-current (DC) contact pads, one or more transistors having an input coupled to the input contact pad, and an input bias coupling path electrically coupling the first DC contact pad to the second DC contact pad and the input contact pad implemented on the semiconductor substrate. The chip further includes a lead frame having one or more radio-frequency input pins electrically coupled to the input contact pad, one or more radio-frequency output pins electrically coupled to the output contact pad, and first and second input bias pins electrically coupled to the first and second DC contact pads, respectively.

公开(公告)号：WO2018111485A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/US2017/061851

申请日：2017-11-15

申请人： GENERAL ELECTRIC COMPANY

发明人： GOWDA, Arun, Virupaksha ,  FILLION, Raymond, Albert ,  MCCONNELEE, Paul, Alan

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L23/00 ,  H01L25/07 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/5228 ,  H01L21/486 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： An electronics package includes an insulating substrate, a semiconductor device having a top surface coupled to a first side of the insulating substrate, and a pass-through structure coupled to the first side of the insulating substrate. The pass-through structure includes an insulating core, a resistor disposed proximate a top surface of the insulating core, and at least one through- hole structure forming at least one conductive pathway through a thickness of the insulating core, A patterned metallization layer is formed on a second side of the insulating substrate. The patterned metallization layer is electrically coupled to at least one first conductive pad of the semiconductor device and electrically couples at least one second conductive pad of the semiconductor device to a through-hole structure of the at least one through-hole structure through the resistor.

公开(公告)号：WO2012000114A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：PCT/CA2011/050399

申请日：2011-06-29

申请人： COOLEDGE LIGHTNING INC. ,  TISCHLER, Michael ,  SCHICK, Philippe ,  ASHDOWN, Ian ,  SHEEN, Calvin Wade ,  JUNGWIRTH, Paul

发明人： TISCHLER, Michael ,  SCHICK, Philippe ,  ASHDOWN, Ian ,  SHEEN, Calvin Wade ,  JUNGWIRTH, Paul

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L23/488 ,  H01L29/40

CPC分类号： F21K9/66 ,  F21K9/20 ,  F21K9/275 ,  F21K9/278 ,  F21K9/64 ,  F21K9/65 ,  F21V3/02 ,  F21V9/30 ,  F21V23/003 ,  F21V23/02 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0468 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/381 ,  H02S30/00 ,  H05B33/0854 ,  H05B37/0218 ,  H05B37/0227 ,  H05B37/0245 ,  H05K1/189 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： In accordance with certain embodiments, a semiconductor die is adhered directly to a yielding substrate with a pressure-activated adhesive notwithstanding any nonplanarity of the surface of the semiconductor die or non-coplanarity of the semiconductor die contacts.

摘要翻译： 根据某些实施例，尽管半导体管芯的表面具有任何非平面性或半导​​体管芯接触件的非共面性，半导体管芯也用压力激活的粘合剂直接粘附到屈服基底上。

公开(公告)号：WO2015036032A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/EP2013/069003

申请日：2013-09-13

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： WIMPLINGER, Markus

IPC分类号： B81C3/00 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L24/83 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/036 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10251 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/10371 ,  H01L2924/10372 ,  H01L2924/10373 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/10377 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/10831 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0103

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer aus einer Grundschicht und einer Schutzschicht bestehenden Bondschicht auf ein Substrat mit folgenden Verfahrensschritten: Aufbringen eines oxidierbaren Grundmaterials als Grundschicht auf eine Bondseite des Substrats, zumindest teilweises Bedecken der Grundschicht mit einem in dem Grundmaterial zumindest teilweise lösbaren Schutzmaterial als Schutzschicht. Weiterhin betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Substrat.

摘要翻译： 本发明涉及一种方法，用于施加由基本层和包括以下步骤在基底上的保护层粘结层的一个基团：在所述基板的接合侧上沉积可氧化的基体材料作为基体层至少部分地覆盖有至少部分可溶于基体层中的基体材料的保护材料为 保护层。 本发明还涉及一种相应的底物。

公开(公告)号：WO2012000114A8

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/CA2011050399

申请日：2011-06-29

申请人： COOLEDGE LIGHTING INC ,  TISCHLER MICHAEL ,  SCHICK PHILIPPE ,  ASHDOWN IAN ,  SHEEN CALVIN WADE ,  JUNGWIRTH PAUL

发明人： TISCHLER MICHAEL ,  SCHICK PHILIPPE ,  ASHDOWN IAN ,  SHEEN CALVIN WADE ,  JUNGWIRTH PAUL

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L23/488 ,  H01L29/40

CPC分类号： F21K9/66 ,  F21K9/20 ,  F21K9/275 ,  F21K9/278 ,  F21K9/64 ,  F21K9/65 ,  F21V3/02 ,  F21V9/16 ,  F21V23/003 ,  F21V23/02 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0468 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/381 ,  H02S30/00 ,  H05B33/0854 ,  H05B37/0218 ,  H05B37/0227 ,  H05B37/0245 ,  H05K1/189 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： In accordance with certain embodiments, a semiconductor die is adhered directly to a yielding substrate with a pressure-activated adhesive notwithstanding any nonplanarity of the surface of the semiconductor die or non-coplanarity of the semiconductor die contacts.

摘要翻译： 根据某些实施例，尽管半导体管芯的表面有任何不平坦性或半导体管芯接触的非共面性，但半导体管芯利用压力激活的粘合剂直接粘附到屈服衬底。

公开(公告)号：WO2010061004A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/EP2009/066058

申请日：2009-11-30

申请人： THIN MATERIALS AG ,  RICHTER, Franz

发明人： RICHTER, Franz

IPC分类号： H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B32B37/1018 ,  B32B37/12 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/10326 ,  H01L2924/10327 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Fläche (1a) und einer zweiten Fläche (7a) mittels einer Zwischenschicht (3), umfassend die Schritte: a) Bereitstellen eines ersten Gegenstandes (1) mit der ersten Fläche (1a), b) Bereitstellen von fließfähigem, verfestigbarem Material für die Zwischenschicht (3), c) Bereitstellen eines zweiten Gegenstandes (7) mit der zweiten Fläche (7a), d) Auftragen des Materials für die Zwischenschicht auf die erste Fläche (1a), so dass eine die Fläche umlaufende Aufwölbung (3a) entsteht, e) Anlegen eines Vakuums um den ersten Gegenstand (1) und den zweiten Gegenstand (2), f) Kontaktieren der zweiten Fläche (7a) des zweiten Gegenstandes (7) mit der umlaufenden Aufwölbung, so dass ein abgeschlossener Hohlraum (5) entsteht, g) Erhöhen des Umgebungsdruckes, so dass der Hohlraum (5) aufgehoben wird, ohne dass es zu einem Gaseinstrom in ihn kommt und h) Erhöhen der Viskosität des Materials für die Zwischenschicht.

摘要翻译： 本发明涉及由中间层（3）的装置接合的第一表面（1a）和第二表面（7a）的，包括以下步骤的方法：a）提供第一制品（1）与所述第一表面（1a）中，b）中 用于中间层（3）提供可流动的，可固化材料，c）提供第二物品（7）与第二表面（7a）中，d）将所述材料用于中间层的第一表面（1a）中，使得 表面环状凸起（3A）形成，E）将真空施加到所述第一对象（1）和（2）中，f）使所述第二物品（7）的与周向凸起的第二表面（7a）的第二个目的，使得 一个封闭的腔（5）中产生，克）提高环境压力，从而使所述腔（5）被释放，在不它和h使Gaseinstrom）增加材料的粘度为中间层。

公开(公告)号：WO2014171439A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/JP2014/060682

申请日：2014-04-15

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 熊野　哲弥 ,  吉本　晋

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10341 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/10355 ,  H01L2924/10356 ,  H01L2924/10357 ,  H01L2924/10358 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05124

摘要： 　はんだ付半導体デバイス（１）は、基板（１０）と、基板（１０）上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）と、ＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）上に配置されたショットキー電極（４０）と、ショットキー電極（４０）上に配置されたパッド電極（５０）と、を含む半導体デバイス（１Ｄ）を含み、パッド電極（５０）は少なくともＰｔ層を含む複層構造を有し、半導体デバイス（１Ｄ）のパッド電極（５０）上に配置された融点が２００℃以上２３０℃以下のはんだ（６０）をさらに含む。これにより、ショットキー電極と、その上に配置されたパッド電極と、その上に配置されたはんだとを含むはんだ付半導体デバイスについて、半導体デバイスの特性を低下させることなくそのはんだによる実装が可能なはんだ付半導体デバイスが提供される。

摘要翻译： 焊料附着的半导体器件（1）包括半导体器件（1D），其包括：衬底（10）; 设置在所述基板（10）上的至少一个III族氮化物半导体层（20）。 设置在所述III族氮化物半导体层上的肖特基电极; 以及设置在肖特基电极（40）上的焊盘电极（50），所述焊盘电极（50）具有至少包含Pt层的多层结构。 焊料附着的半导体器件还包括设置在半导体器件（1D）的焊盘电极（50）上并具有200-230℃的熔点的焊料（60）。 因此，提供了可以使用焊料安装而不会劣化半导体器件特性的焊料附着半导体器件，所述焊料附着半导体器件包括肖特基电极，设置在电极上的焊盘电极和设置在焊盘电极上的焊料 。

公开(公告)号：WO2014165034A1

公开(公告)日：2014-10-09

申请号：PCT/US2014/024191

申请日：2014-03-12

申请人： TRANSPHORM INC.

发明人： LAL, Rakesh K.

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7787 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/535 ,  H01L24/48 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/085 ,  H01L27/0883 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/404 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： A III-N enhancement-mode transistor includes a III-N structure including a conductive channel, source and drain contacts, and a gate electrode between the source and drain contacts. An insulator layer is over the III-N structure, with a recess formed through the insulator layer in a gate region of the transistor, with the gate electrode at least partially in the recess. The transistor further includes a field plate having a portion between the gate electrode and the drain contact, the field plate being electrically connected to the source contact. The gate electrode includes an extending portion that is outside the recess and extends towards the drain contact. The separation between the conductive channel and the extending portion of the gate electrode is greater than the separation between the conductive channel and the portion of the field plate that is between the gate electrode and the drain contact.

摘要翻译： III-N增强型晶体管包括III-N结构，其包括导电沟道，源极和漏极接触以及源极和漏极接触之间的栅电极。 绝缘体层在III-N结构之上，在晶体管的栅极区中通过绝缘体层形成凹槽，栅电极至少部分地在凹槽中。 晶体管还包括具有在栅电极和漏极接触之间的部分的场板，场板电连接到源触点。 栅极电极包括在凹部外部并朝向漏极接触部延伸的延伸部分。 导电沟道和栅电极的延伸部分之间的间隔大于导电通道与栅极电极与漏极接触之间的场板部分之间的间隔。

公开(公告)号：WO2013089242A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：PCT/JP2012/082555

申请日：2012-12-14

申请人： ローム株式会社

发明人： 笹川　将

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49531 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48139 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/2076

摘要： 【課題】トランスファモールドの小型化を実現するパワーモジュール半導体装置を提供する。 【解決手段】基板１０の第１の辺に配置された低圧側ゲート端子電極ＧＬ４・ＧＬ５・ＧＬ６と、低圧側ゲート端子電極に隣接して配置された低圧側ソース端子電極ＳＬ４・ＳＬ５・ＳＬ６と、第１の辺に配置され、低圧側ゲート端子電極および低圧側ソース端子電極と離隔して配置された高圧側ゲート端子電極ＧＬ１・ＧＬ２・ＧＬ３と、第１の辺に配置され、かつ高圧側ゲート端子電極に隣接して配置された高圧側ソース端子電極ＳＬ１・ＳＬ２・ＳＬ３と、第１の辺と別の第２の辺に配置された出力端子電極ＵＬ・ＶＬ・ＷＬと、第１の辺および第２の辺と異なる第３の辺に配置された電源電圧供給端子電極ＰＬと、第３の辺に配置され、かつ電源電圧供給端子電極と離隔して配置された接地電位端子電極ＮＬとを備える。

摘要翻译： [目的]提供了一种用于减小传递模塑的尺寸的功率模块半导体器件。 [解决方案]本发明包括：设置在基板（10）的第一侧的低压侧栅极电极（GL4，GL5和GL6）; 邻近低压侧栅极端子设置的低压侧源极端子电极（SL4，SL5，SL6） 配置在远离低压侧栅极端子电极和低压侧端子电极的第一侧的高压侧栅极端子电极（GL1，GL2，GL3） 设置在与高压侧源极端子相邻的第一侧的高压侧端子电极（SL1，SL2，SL3） 输出端子电极（UL，VL和WL），其设置在第一侧以外的第二侧; 设置在与第一侧和第二侧不同的第三侧的电源电压端子电极（PL）; 以及配置在远离电源电压端子电极的第三侧的接地电位端子电极（NL）。