公开(公告)号：WO2012000114A1

公开(公告)日：2012-01-05

申请号：PCT/CA2011/050399

申请日：2011-06-29

申请人： COOLEDGE LIGHTNING INC. ,  TISCHLER, Michael ,  SCHICK, Philippe ,  ASHDOWN, Ian ,  SHEEN, Calvin Wade ,  JUNGWIRTH, Paul

发明人： TISCHLER, Michael ,  SCHICK, Philippe ,  ASHDOWN, Ian ,  SHEEN, Calvin Wade ,  JUNGWIRTH, Paul

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L23/488 ,  H01L29/40

CPC分类号： F21K9/66 ,  F21K9/20 ,  F21K9/275 ,  F21K9/278 ,  F21K9/64 ,  F21K9/65 ,  F21V3/02 ,  F21V9/30 ,  F21V23/003 ,  F21V23/02 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0468 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/381 ,  H02S30/00 ,  H05B33/0854 ,  H05B37/0218 ,  H05B37/0227 ,  H05B37/0245 ,  H05K1/189 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： In accordance with certain embodiments, a semiconductor die is adhered directly to a yielding substrate with a pressure-activated adhesive notwithstanding any nonplanarity of the surface of the semiconductor die or non-coplanarity of the semiconductor die contacts.

摘要翻译： 根据某些实施例，尽管半导体管芯的表面具有任何非平面性或半导​​体管芯接触件的非共面性，半导体管芯也用压力激活的粘合剂直接粘附到屈服基底上。

公开(公告)号：WO2012136267A1

公开(公告)日：2012-10-11

申请号：PCT/EP2011/055470

申请日：2011-04-08

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH ,  PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

发明人： PLACH, Thomas ,  HINGERL, Kurt ,  WIMPLINGER, Markus ,  FLÖTGEN, Christoph

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1082 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/20106

摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Oberflächenschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), wobei die Oberflächenschicht (6) zumindest überwiegend aus einem nativen Oxidmaterial besteht, - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten. - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in einer Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats enthaltenen zweiten Edukt.

摘要翻译： 本发明涉及粘合的第一接触表面（3）的第一基板（1）具有第二接触表面（4）的第二基板（2）包括以下步骤的方法，尤其是以下序列： - 形成的贮存器（5）在一个 第一接触表面（3），其中，所述表面层（6）至少主要由天然氧化物材料，对表面层（6） - 至少部分地填充（5）具有第一反应物或起始材料的第一组贮存器。 - 第一接触表面（3）与所述第二接触表面（4）接触，以形成键预连接， - 在形成第一和第二接触表面之间的永久粘结的（3，4），至少部分地由与第一反应物的反应增强 第二反应物的第二基底的在反应层中的（7）中含有。

公开(公告)号：WO2014171439A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/JP2014/060682

申请日：2014-04-15

申请人： 住友電気工業株式会社

发明人： 熊野　哲弥 ,  吉本　晋

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10341 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/10355 ,  H01L2924/10356 ,  H01L2924/10357 ,  H01L2924/10358 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05124

摘要： 　はんだ付半導体デバイス（１）は、基板（１０）と、基板（１０）上に配置された少なくとも１層のＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）と、ＩＩＩ族窒化物半導体層（２０）上に配置されたショットキー電極（４０）と、ショットキー電極（４０）上に配置されたパッド電極（５０）と、を含む半導体デバイス（１Ｄ）を含み、パッド電極（５０）は少なくともＰｔ層を含む複層構造を有し、半導体デバイス（１Ｄ）のパッド電極（５０）上に配置された融点が２００℃以上２３０℃以下のはんだ（６０）をさらに含む。これにより、ショットキー電極と、その上に配置されたパッド電極と、その上に配置されたはんだとを含むはんだ付半導体デバイスについて、半導体デバイスの特性を低下させることなくそのはんだによる実装が可能なはんだ付半導体デバイスが提供される。

摘要翻译： 焊料附着的半导体器件（1）包括半导体器件（1D），其包括：衬底（10）; 设置在所述基板（10）上的至少一个III族氮化物半导体层（20）。 设置在所述III族氮化物半导体层上的肖特基电极; 以及设置在肖特基电极（40）上的焊盘电极（50），所述焊盘电极（50）具有至少包含Pt层的多层结构。 焊料附着的半导体器件还包括设置在半导体器件（1D）的焊盘电极（50）上并具有200-230℃的熔点的焊料（60）。 因此，提供了可以使用焊料安装而不会劣化半导体器件特性的焊料附着半导体器件，所述焊料附着半导体器件包括肖特基电极，设置在电极上的焊盘电极和设置在焊盘电极上的焊料 。

公开(公告)号：WO2015036032A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：PCT/EP2013/069003

申请日：2013-09-13

申请人： EV GROUP E. THALLNER GMBH

发明人： WIMPLINGER, Markus

IPC分类号： B81C3/00 ,  H01L23/10

CPC分类号： H01L24/83 ,  B81C3/001 ,  B81C2203/036 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29116 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29123 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29157 ,  H01L2224/2916 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29169 ,  H01L2224/29171 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32507 ,  H01L2224/8302 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2924/01003 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/01037 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/10251 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1026 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/10371 ,  H01L2924/10372 ,  H01L2924/10373 ,  H01L2924/10375 ,  H01L2924/10376 ,  H01L2924/10377 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/10831 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/0103

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen einer aus einer Grundschicht und einer Schutzschicht bestehenden Bondschicht auf ein Substrat mit folgenden Verfahrensschritten: Aufbringen eines oxidierbaren Grundmaterials als Grundschicht auf eine Bondseite des Substrats, zumindest teilweises Bedecken der Grundschicht mit einem in dem Grundmaterial zumindest teilweise lösbaren Schutzmaterial als Schutzschicht. Weiterhin betrifft die Erfindung ein korrespondierendes Substrat.

摘要翻译： 本发明涉及一种方法，用于施加由基本层和包括以下步骤在基底上的保护层粘结层的一个基团：在所述基板的接合侧上沉积可氧化的基体材料作为基体层至少部分地覆盖有至少部分可溶于基体层中的基体材料的保护材料为 保护层。 本发明还涉及一种相应的底物。

公开(公告)号：WO2012000114A8

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/CA2011050399

申请日：2011-06-29

申请人： COOLEDGE LIGHTING INC ,  TISCHLER MICHAEL ,  SCHICK PHILIPPE ,  ASHDOWN IAN ,  SHEEN CALVIN WADE ,  JUNGWIRTH PAUL

发明人： TISCHLER MICHAEL ,  SCHICK PHILIPPE ,  ASHDOWN IAN ,  SHEEN CALVIN WADE ,  JUNGWIRTH PAUL

IPC分类号： H01L29/02 ,  H01L23/488 ,  H01L29/40

CPC分类号： F21K9/66 ,  F21K9/20 ,  F21K9/275 ,  F21K9/278 ,  F21K9/64 ,  F21K9/65 ,  F21V3/02 ,  F21V9/16 ,  F21V23/003 ,  F21V23/02 ,  F21V29/74 ,  F21Y2115/10 ,  G02F1/133603 ,  H01L23/367 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5387 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0753 ,  H01L27/156 ,  H01L31/0468 ,  H01L33/0025 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  H01L33/28 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32 ,  H01L33/36 ,  H01L33/483 ,  H01L33/486 ,  H01L33/502 ,  H01L33/505 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L51/0097 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2225/107 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/381 ,  H02S30/00 ,  H05B33/0854 ,  H05B37/0218 ,  H05B37/0227 ,  H05B37/0245 ,  H05K1/189 ,  H05K3/323 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2201/10106 ,  H05K2203/302 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

摘要： In accordance with certain embodiments, a semiconductor die is adhered directly to a yielding substrate with a pressure-activated adhesive notwithstanding any nonplanarity of the surface of the semiconductor die or non-coplanarity of the semiconductor die contacts.

摘要翻译： 根据某些实施例，尽管半导体管芯的表面有任何不平坦性或半导体管芯接触的非共面性，但半导体管芯利用压力激活的粘合剂直接粘附到屈服衬底。

公开(公告)号：WO2010061004A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：PCT/EP2009/066058

申请日：2009-11-30

申请人： THIN MATERIALS AG ,  RICHTER, Franz

发明人： RICHTER, Franz

IPC分类号： H01L21/68 ,  B32B37/10 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  B32B37/1018 ,  B32B37/12 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/67132 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10321 ,  H01L2924/10322 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10324 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/10326 ,  H01L2924/10327 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Fläche (1a) und einer zweiten Fläche (7a) mittels einer Zwischenschicht (3), umfassend die Schritte: a) Bereitstellen eines ersten Gegenstandes (1) mit der ersten Fläche (1a), b) Bereitstellen von fließfähigem, verfestigbarem Material für die Zwischenschicht (3), c) Bereitstellen eines zweiten Gegenstandes (7) mit der zweiten Fläche (7a), d) Auftragen des Materials für die Zwischenschicht auf die erste Fläche (1a), so dass eine die Fläche umlaufende Aufwölbung (3a) entsteht, e) Anlegen eines Vakuums um den ersten Gegenstand (1) und den zweiten Gegenstand (2), f) Kontaktieren der zweiten Fläche (7a) des zweiten Gegenstandes (7) mit der umlaufenden Aufwölbung, so dass ein abgeschlossener Hohlraum (5) entsteht, g) Erhöhen des Umgebungsdruckes, so dass der Hohlraum (5) aufgehoben wird, ohne dass es zu einem Gaseinstrom in ihn kommt und h) Erhöhen der Viskosität des Materials für die Zwischenschicht.

摘要翻译： 本发明涉及由中间层（3）的装置接合的第一表面（1a）和第二表面（7a）的，包括以下步骤的方法：a）提供第一制品（1）与所述第一表面（1a）中，b）中 用于中间层（3）提供可流动的，可固化材料，c）提供第二物品（7）与第二表面（7a）中，d）将所述材料用于中间层的第一表面（1a）中，使得 表面环状凸起（3A）形成，E）将真空施加到所述第一对象（1）和（2）中，f）使所述第二物品（7）的与周向凸起的第二表面（7a）的第二个目的，使得 一个封闭的腔（5）中产生，克）提高环境压力，从而使所述腔（5）被释放，在不它和h使Gaseinstrom）增加材料的粘度为中间层。