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公开(公告)号:CN102136488A
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN201010573443.1
申请日:2010-11-29
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/02595 , H01L21/8234 , H01L27/12 , H01L27/1218 , H01L27/1251 , H01L27/1277 , H01L27/1281 , H01L27/1285 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法,所述OLED显示器包括:基底主体;绝缘层图案,形成在所述基底主体上,并包括第一厚度层和比所述第一厚度层薄的第二厚度层;金属催化剂,分散在所述绝缘层图案的第一厚度层上;多晶半导体层,形成在所述绝缘层图案上,并分为第一晶体区域和第二晶体区域,所述第一晶体区域与所述第一厚度层对应并与所述第二厚度层的与所述第一厚度层相邻的一部分对应,所述第二晶体区域与所述第二厚度层的剩余部分对应。所述多晶半导体层的第一晶体区域是通过所述金属催化剂结晶的,所述多晶半导体层的第二晶体区域通过固相结晶形成。
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公开(公告)号:CN101866853A
公开(公告)日:2010-10-20
申请号:CN201010128599.9
申请日:2010-03-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor: 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑胤谟 , 梁泰勋 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·迈丹丘克 , 白原奉 , 郑在琓
IPC: H01L21/324 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明公开一种基板处理设备,其通过均匀地加热基板,在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。
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公开(公告)号:CN101826548B
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201010123974.0
申请日:2010-02-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/3265 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括:基底,具有薄膜晶体管区域和电容器区域;缓冲层,设置在所述基底上;栅极绝缘层,设置在基底上;下电容器电极,设置在电容器区域中的栅极绝缘层上;层间绝缘层,设置在基底上;上电容器电极,设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极,其中,缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有这样的表面,在这些表面中形成形状与半导体层的晶界的形状相同的突起。所得电容器具有增加的表面面积,因此增大了电容。
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公开(公告)号:CN101942640A
公开(公告)日:2011-01-12
申请号:CN201010224415.9
申请日:2010-07-07
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor: 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 梁泰勋 , 郑胤谟 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 伊凡·马伊达楚克 , 李东炫 , 李吉远 , 白原奉 , 朴钟力 , 崔宝京 , 郑在琓
IPC: C23C14/24 , C23C16/448 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45525 , C23C16/4481 , C23C16/45544 , C23C16/52 , Y10T137/6416
Abstract: 本发明公开一种用于沉积装置的罐和一种利用该罐的沉积装置和方法,所述罐在原料通过原子层沉积被沉积在基板上时能够保持包含在供应到沉积室的反应气体中的原料的预定量,该罐包括:主体、被配置为存储原料的原料存储器、设置在所述主体的外侧的加热器以及被配置为控制所述原料从所述原料存储器供应到所述主体的第一供给控制器。
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公开(公告)号:CN102214677A
公开(公告)日:2011-10-12
申请号:CN201110094630.6
申请日:2011-04-07
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/41733 , H01L21/26513 , H01L27/1214 , H01L27/3262 , H01L29/66765
Abstract: 描述的技术总体涉及一种薄膜晶体管和一种包括该薄膜晶体管的显示装置,该薄膜晶体管包括栅电极、半导体层和源/漏电极,其中,源/漏电极设置在形成有半导体层的区域的范围内。因此,当前实施例可以提供这样一种薄膜晶体管,在该薄膜晶体管中,因为阈值电压的变化量小,所以可靠性优异。
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公开(公告)号:CN102074569A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN201010542442.0
申请日:2010-11-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L27/32 , G09G3/32 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L51/56 , H01L27/1214 , H01L27/1251 , H01L27/1274 , H01L27/3262 , H01L2227/323
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括多条扫描线、多条数据线和设置在扫描线与数据线交叉的区域中的多个像素,其中,多个像素中的每个像素包括:开关晶体管,包括第一栅电极、设置在第一栅电极上方的第一半导体层、设置在第一栅电极和第一半导体层之间的第一栅极绝缘层、以及第一源电极和第一漏电极;驱动晶体管,包括第二半导体层、设置在第二半导体层上方的第二栅电极、设置在第二栅电极和第二半导体层之间的第二栅极绝缘层、以及第二源电极和第二漏电极;有机发光二极管,与驱动晶体管的第二源电极和第二漏电极中的一个电极电连接,其中,第一半导体层和第二半导体层由相同的材料通过同一工艺形成。
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公开(公告)号:CN101866853B
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201010128599.9
申请日:2010-03-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor: 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑胤谟 , 梁泰勋 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·迈丹丘克 , 白原奉 , 郑在琓
IPC: H01L21/324 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明公开一种基板处理设备,其通过均匀地加热基板,在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。
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公开(公告)号:CN102280445A
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201110122884.4
申请日:2011-05-05
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L27/1288 , H01L27/1248 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括:基板;半导体层,形成在基板上;有机绝缘层,形成在半导体层上;多条导线,形成在有机绝缘层上。有机绝缘层具有开口槽,所述开口槽形成在所述多条导线之间。
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公开(公告)号:CN102222608A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110087389.4
申请日:2011-04-06
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L21/02672 , C30B1/023 , C30B29/06 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L27/1277 , H01L29/04 , H01L29/66757
Abstract: 本发明公开了一种使硅层晶化的方法、一种薄膜晶体管和一种有机发光显示装置。在基底上的缓冲层上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成密度为大约1011原子/cm2至大约1015原子/cm2的催化剂金属层。随着催化剂金属层的催化剂金属扩散到非晶硅层中,在非晶硅层和缓冲层之间的界面上形成具有锥形形状的晶化晶种。对非晶硅层进行热处理,从而随着由晶化晶种长成硅晶体,形成多晶硅层。
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公开(公告)号:CN101826548A
公开(公告)日:2010-09-08
申请号:CN201010123974.0
申请日:2010-02-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/3265 , H01L2227/323
Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。所述OLED显示装置包括:基底,具有薄膜晶体管区域和电容器区域;缓冲层,设置在所述基底上;栅极绝缘层,设置在基底上;下电容器电极,设置在电容器区域中的栅极绝缘层上;层间绝缘层,设置在基底上;上电容器电极,设置在层间绝缘层上并且面对下电容器电极,其中,缓冲层、栅极绝缘层、层间绝缘层、下电容器电极和上电容器电极中的每个的区域具有这样的表面,在这些表面中形成形状与半导体层的晶界的形状相同的突起。所得电容器具有增加的表面面积,因此增大了电容。
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