利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

18 条记录 (耗时 0.025 秒)

    悬架电路基板、硬盘用悬架及硬盘驱动器
    2.
    发明授权
    悬架电路基板、硬盘用悬架及硬盘驱动器 失效 复审申请

    公开(公告)号：CN102652338B

    公开(公告)日：2016-05-04

    申请号：CN201080057145.5

    申请日：2010-12-02

    申请人： 大日本印刷株式会社

    发明人： 毒岛伸一 ,  三浦阳一 ,  平田贤郎 ,  山冈天平

    IPC分类号： G11B5/60 ,  G11B21/21 ,  H05K1/02

    CPC分类号： G11B5/4833 ,  G11B5/486 ,  H05K1/0271 ,  H05K1/056

    摘要： 悬架电路基板（1）具备：金属支撑基板（12）；第一绝缘层（11），配置于金属支撑基板（12）上，由绝缘材料构成；导体层（10），配置于第一绝缘层（11）上，构成布线；以及第二绝缘层（13），配置于第一绝缘层（11）及导体层（10）上，由绝缘材料构成。悬架电路基板（1）构成为，当在导体层（10）中与第一绝缘开口部（11o）相对应的位置在厚度方向上施加负荷时，在以与第一绝缘开口部（11o）的周缘相对应的位置产生于导体层（10）的应力作为第一应力（F1）且以与金属支撑基板开口部（12o）的周缘相对应的位置产生于导体层（10）的应力作为第二应力（F2）的情况下，成为F1＜F2。

    相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法
    6.
    发明公开
    相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN111913344A

    公开(公告)日：2020-11-10

    申请号：CN202010891721.1

    申请日：2014-08-21

    申请人： 大日本印刷株式会社

    发明人： 安达俊 ,  三浦阳一 ,  高见泽秀吉 ,  早野胜也 ,  大川洋平 ,  渡边浩司 ,  谷绚子

    IPC分类号： G03F1/32

    摘要： 一种相移掩模及使用其的图案形成体的制造方法，是应用ArF准分子激光曝光光的半色调型的相移掩模，该相移掩模具有透明基板和半透光膜图案，该半透光膜图案形成于所述透明基板上且仅包含Si及N或者仅包含Si、N以及O，该半透光膜图案在ArF准分子激光曝光光的波长下的消光系数为0.2～0.45的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的折射率为2.3～2.7的范围内，在ArF准分子激光曝光光的波长下的透光率为15％～38％的范围内，膜厚为57nm～67nm的范围内，该半透光膜图案具有被晶片解析的主图案和辅助所述主图案的解析而不被晶片解析的辅助图案，所述辅助图案为凸状图案且具有60nm以下的宽度或深度。

    掩模坯料、相位位移掩模及其制造方法
    8.
    发明授权
    掩模坯料、相位位移掩模及其制造方法 有权

    公开(公告)号：CN106133599B

    公开(公告)日：2019-09-03

    申请号：CN201580015667.1

    申请日：2015-01-29

    申请人： 大日本印刷株式会社

    发明人： 渡边浩司 ,  早野胜也 ,  高见泽秀吉 ,  大川洋平 ,  安达俊 ,  谷绚子 ,  三浦阳一

    IPC分类号： G03F1/32

    摘要： 本发明提供一种掩模坯料，其具有透明基板、形成于所述透明基板上的半透明层、形成于所述半透明层上的中间层、和形成于所述中间层上的遮光层，所述遮光层由不含过渡金属的单一金属材料构成，所述遮光层的膜厚为40nm以下，层叠有所述半透明层、所述中间层、所述遮光层的3种层的层叠体相对于曝光光的光学密度，为作为遮光区域发挥功能的值以上；因此，其可用于制造即使遮光图案膜减薄仍具有高遮光性，可减小EMF偏差值，图案加工性、耐光性、耐药品性优异，适合于晶圆上的半间距40nm以下的光刻技术的半色调型相位位移掩模。