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公开(公告)号：CN103383915A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201310285295.7
申请日：2006-09-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 衡石·亚历山大·尹 , 威廉·蒂 , 耶兹迪·多尔迪 , 安德鲁·D·贝利三世
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/02 , H01L21/67 , H05H1/24
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/02063 , H01L21/67069 , H05H1/24 , H05H1/2406 , H05H1/48 , H05H2001/2418
摘要： 本发明披露了一种产生用于从基片去除金属氧化物的等离子的装置。该实施方式包括通电电极组件，它又包括：通电电极、第一介电层、以及被布置在该通电电极和该第一介电层之间的第一金属丝网。该实施方式还包括接地电极组件，它被布置在相对该通电电极组件一侧以形成腔，在该腔中产生该等离子，当该等离子存在于该腔中时，该第一介电层防护该第一金属丝网不受该等离子影响，该腔在一端具有出口以用于提供该等离子来去除该金属氧化物。
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公开(公告)号：CN101548030B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200780032492.0
申请日：2007-08-15
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/34
CPC分类号： H01L21/7685 , C23C18/1632 , C23C18/1651 , C23C18/1844 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/28518 , H01L21/288 , H01L21/32115 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76862 , H01L21/76867 , H01L21/76871 , H01L21/76879
摘要： 本发明的实施方式满足了在铜互连内沉积薄的和保形的阻挡层、以及铜层，使之具有良好的电子迁移性能并减小铜互连的应力诱发成孔的风险的需要。电子迁移和应力诱发成孔受阻挡层和铜层之间粘结的影响。功能化层沉积在阻挡层上，以使铜层沉积于该铜互连内。该功能化层与阻挡层和铜形成强键，以增强该两层之间的粘结属性。提供了一种示例性的制备基片的基片表面的方法，用于在铜互连的金属阻挡层上沉积功能化层，以帮助铜互连内铜层的沉积，从而提高铜互连的电子迁移性能。该方法包括沉积该金属阻挡层，以在该集成系统中内衬该铜互连结构，并氧化该金属阻挡层的表面。该方法还包括在该金属阻挡层的该氧化表面上沉积该功能化层，并在该功能化层在该金属阻挡层上被沉积后，在该铜互连结构内沉积该铜层。
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公开(公告)号：CN101529556B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200780040213.5
申请日：2007-08-28
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约翰·博伊德 , 耶兹迪·多尔迪 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 班杰明·W·莫琳 , 约翰·帕克斯 , 威廉·蒂 , 弗里茨·C·雷德克 , 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 艾伦·舍普 , 戴维·黑梅克
CPC分类号： H01L21/67184 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67745
摘要： 一种组合体系结构，包括与一个或多个衬底湿式处理模块耦合的实验室环境受控传输模块。该实验室环境受控传输模块和一个或多个衬底湿式处理模块管理第一周围环境，具有连接到该实验室环境受控传输模块和一个或多个等离子处理模块的真空传输模块。该真空传输模块与该一个或多个等离子体处理模块管理第二周围环境。与真空传输模块和一个或多个环境处理模块相耦合的受控环境传输模块管理第三周围环境。因此，该组合体系结构能够在第一、第二或第三周围环境下以及在相关的转换过程中可控地处理衬底。此外，实施例提供用于填充衬底沟槽的有效方法。
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公开(公告)号：CN101657886A
公开(公告)日：2010-02-24
申请号：CN200880012352.1
申请日：2008-04-11
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/288 , C23C18/1619 , C23C18/1632 , H01L21/76873
摘要： 揭露一种用于晶片无电镀覆的干进/干出系统。该系统包括用于晶片进入/退出和干燥操作的上部区域。在该上部区域中提供邻近头以执行该干燥操作。该系统还包括用于无电镀覆操作的下部区域。该下部区域包括无电镀覆装置，其通过流体上涌方法实现晶片的浸没。该系统的上部和下部区域由双壁室包围，其中该内壁是化学惰性塑料的而该外部壁是结构金属。该系统与流体处置系统接口，该流体处置系统向该系统提供必要的化学制品供应和控制。该系统是可控环境的。而且，该系统与环境可控的可管理传送模块(MTM)接口。
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公开(公告)号：CN101529556A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200780040213.5
申请日：2007-08-28
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约翰·博伊德 , 耶兹迪·多尔迪 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 班杰明·W·莫琳 , 约翰·帕克斯 , 威廉·蒂 , 弗里茨·C·雷德克 , 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 艾伦·舍普 , 戴维·默梅克
CPC分类号： H01L21/67184 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67745
摘要： 一种组合体系结构，包括与一个或多个衬底湿式处理模块耦合的实验室环境受控传输模块。该实验室环境受控传输模块和一个或多个衬底湿式处理模块管理第一周围环境，具有连接到该实验室环境受控传输模块和一个或多个等离子处理模块的真空传输模块。该真空传输模块与该一个或多个等离子体处理模块管理第二周围环境。与真空传输模块和一个或多个环境处理模块相耦合的受控环境传输模块管理第三周围环境。因此，该组合体系结构能够在第一、第二或第三周围环境下以及在相关的转换过程中可控地处理衬底。此外，实施例提供用于填充衬底沟槽的有效方法。
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公开(公告)号：CN101541439B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN200680031603.1
申请日：2006-08-31
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： C23C18/1651 , C23C18/1893 , H01L21/0206 , H01L21/02063 , H01L21/02068 , H01L21/02074 , H01L21/28518 , H01L21/288 , H01L21/32115 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L21/67161 , H01L21/67207 , H01L21/76814 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76862 , Y02P70/605
摘要： 一种在基片上形成铜的方法，包括将铜源溶液输入混合器，将还原溶液输入该混合器，混合该铜源溶液和该还原溶液以形成pH值大于大约6.5的镀液，以及将该镀液应用于基片，该基片包括催化层，其中将该镀液应用于基片包括形成催化层、在受控环境中保持该催化层以及在该催化层上形成铜。还公开了一种用于形成铜结构的系统。
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公开(公告)号：CN102347210B
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：CN201110044283.6
申请日：2007-08-28
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 约翰·博伊德 , 耶兹迪·多尔迪 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 班杰明·W·莫琳 , 约翰·帕克斯 , 威廉·蒂 , 弗里茨·C·雷德克 , 阿瑟·M·霍瓦尔德 , 艾伦·舍普 , 戴维·黑梅克 , 卡尔·伍兹 , 横硕·亚历山大·允 , 亚历山大·奥夫恰雷斯
CPC分类号： H01L21/67184 , H01L21/67017 , H01L21/67207 , H01L21/67745
摘要： 本发明公开在衬底上进行填隙的方法。公开了一种用于在受控环境下填充衬底特征的方法，包括如下方法操作：在组合工具的第一腔室内在所述衬底上蚀刻一特征；在所述组合工具的第二腔室内沉积阻挡层，设置所述阻挡层以防止铜扩散入所述特征的暴露面；并且用直接沉积在所述阻挡层上方的填隙材料填充所述特征。还公开一种无需在衬底上应用籽晶层而执行填隙工艺的方法。
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公开(公告)号：CN101558476B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN200780046332.1
申请日：2007-12-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/283 , H01L21/20
CPC分类号： H01L23/53238 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/76856 , H01L21/76862 , H01L21/76873 , H01L21/76874 , H01L2221/1089 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种互连结构，该结构包括电介质材料层，该电介质材料层具有至少一个开口以及在限定该开口的侧壁上的第一阻障层。含钌并含氧的第二阻障层覆盖在该第一阻障层上，该第二阻障层具有钌区、氧化钌区和钌富集区。该钌区被置于该第一阻障层和该氧化钌区之间，且该氧化钌区被置于该钌区和该钌富集区之间。
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公开(公告)号：CN101272881B
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN200680035902.2
申请日：2006-09-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 衡石·亚历山大·尹 , 威廉·蒂 , 耶兹迪·多尔迪 , 安德鲁·D·贝利三世
IPC分类号： B23K10/00
CPC分类号： H01L21/31116 , H01L21/02063 , H01L21/67069 , H05H1/24 , H05H1/2406 , H05H1/48 , H05H2001/2418
摘要： 本发明披露了一种产生用于从基片去除金属氧化物的等离子的装置。该实施方式包括通电电极组件，它又包括：通电电极、第一介电层、以及被布置在该通电电极和该第一介电层之间的第一金属丝网。该实施方式还包括接地电极组件，它被布置在相对该通电电极组件一侧以形成腔，在该腔中产生该等离子，当该等离子存在于该腔中时，该第一介电层防护该第一金属丝网不受该等离子影响，该腔在一端具有出口以用于提供该等离子来去除该金属氧化物。
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公开(公告)号：CN101663736B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200880012369.7
申请日：2008-04-11
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 威廉·蒂 , 约翰·M·博迪 , 弗里茨·C·雷德克 , 耶兹迪·多尔迪 , 约翰·帕克斯 , 蒂鲁吉拉伯利·阿鲁娜 , 亚历山大·奥夫恰茨 , 托德·巴力斯基 , 克林特·托马斯 , 雅各布·卫理 , 艾伦·M·舍普
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/3205
CPC分类号： C23C18/1628 , Y10T137/87652
摘要： 化学制剂流体处理系统限定为提供若干化学制剂至混合歧管的若干流体输入。该化学制剂流体处理系统包括若干流体再循环回路，用于独立预处理和控制该多个化学制剂每个的供应。该流体再循环回路每个限定为除气、加热和过滤该多个化学制剂成分的具体一个。该混合歧管限定为混合该多个化学制剂以形成该无电镀溶液。该混合歧管包括连接到供应管线的流体输出。该供应管线连接以将该无电镀溶液供应至无电镀室内的溶槽。
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