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公开(公告)号：CN102933333B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201280001565.0
申请日：2012-05-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： B22D11/045 , C01B33/02 , C03B19/02
摘要： 铸模（13）具有用于接受熔融金属（2）的凹部（21）。凹部（21）由用于与熔融金属（2）接触而使熔融金属（2）向凝固物变化的内壁面（29）构成，并且朝向凝固物的拉拔方向（D1）开口。第1轮廓线（23p）和第2轮廓线（25p）的曲线在开始点（43）及（45）的位置具有尖点。宽度方向（D2）上的从第1轮廓线（23p）到第2轮廓线（25p）的距离，随着从拉拔方向（D1）的上游侧向下游侧前进而连续地增加。确定凹部（21）处的内壁面（29）的形状，以使铸造棒（3）能够以通过第1结束点（33）或第2结束点（35）并与铸模（13）的截面垂直的轴为中心，沿顺时针方向或逆时针方向旋转移位。
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公开(公告)号：CN103282143A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201180062928.7
申请日：2011-12-20
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： B22D11/045 , B22D11/07 , C23C14/30 , C23C14/564 , C30B11/001
摘要： 本发明的铸造方法包括：通过一边在铸模（25）内使原料凝固一边从铸模（25）将原料沿水平方向连续地拉拔来铸造原料的铸造棒（31）的工序；向铸造棒（31）与铸模（25）之间的间隙导入气体的工序；和对铸模（25）内的铸造棒（31）的上表面进行加热的工序。具体地讲，能够从在铸模（25）的壁面（25a、25b）设置的孔（33）向间隙导入气体。铸造棒（31）的原料例如是伴随从液相向固相的相变而体积增加的材料。
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公开(公告)号：CN101675545B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200880014815.8
申请日：2008-07-18
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01M10/0525 , H01M4/0421 , H01M4/131 , H01M4/134 , H01M4/1391 , H01M4/1395 , H01M4/386 , H01M4/387 , H01M4/485 , H01M10/446
摘要： 由正极集电体，与正极集电体相接设置在正极活性物质层，设置在正极活性物质层的未设置正极集电体的一侧的隔膜，设置在隔膜层的未设置正极活性物质层的一侧、具有与正极活性物质层对向的对向部和不与正极活性物质层对向的非对向部，含有采用薄膜形成法在对向部和非对向部制作的锂、以硅或锡为主成分的负极活性物质层，设置在负极活性物质层的未设置隔膜层的一侧的负极集电体构成锂离子二次电池。由此防止负极的变形，伴随负极变形的循环特性的降低。
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公开(公告)号：CN102933333A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201280001565.0
申请日：2012-05-09
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： B22D11/045 , C01B33/02 , C03B19/02
摘要： 铸模（13）具有用于接受熔融金属（2）的凹部（21）。凹部（21）由用于与熔融金属（2）接触而使熔融金属（2）向凝固物变化的内壁面（29）构成，并且朝向凝固物的拉拔方向（D1）开口。第1轮廓线（23p）和第2轮廓线（25p）的曲线在开始点（43）及（45）的位置具有尖点。宽度方向（D2）上的从第1轮廓线（23p）到第2轮廓线（25p）的距离，随着从拉拔方向（D1）的上游侧向下游侧前进而连续地增加。确定凹部（21）处的内壁面（29）的形状，以使铸造棒（3）能够以通过第1结束点（33）或第2结束点（35）并与铸模（13）的截面垂直的轴为中心，沿顺时针方向或逆时针方向旋转移位。
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公开(公告)号：CN102272346A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080003995.7
申请日：2010-04-02
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/14 , C23C14/30 , F27B14/04 , F27B14/10 , F27B14/14 , F27B14/18 , F27D11/08
CPC分类号： C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/246 , C23C14/30 , C23C14/562 , F27B14/02 , F27B14/04
摘要： 本发明提供通过维持坩埚中的成膜材料的熔液状态并且倾动坩埚，能够从坩埚将大致总量的成膜材料排出并防止坩埚的开裂破损的薄膜的制造装置。该装置具有：为保持成膜材料(3)而具有上部具备开口部的收容部的成膜源9；通过对收容部中的成膜材料照射电子束(6)而将成膜材料熔融形成熔液，并且使成膜材料蒸发的电子枪(5)；通过使成膜源(9)从成膜时的姿势倾动到不能够在收容部内保持熔液的倾斜姿势而从收容部排出熔液的倾动机构(8)；用于收容成膜源和倾动机构并在内部在基板上形成薄膜的真空槽(22)；和将真空槽内排气的真空泵(34)，倾动成膜源(9)的轨迹或电子束(6)的轨道被控制以使得在将成膜源(9)从成膜时的姿势倾动到倾斜姿势的期间继续地对收容部中的熔液照射电子束(6)。
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公开(公告)号：CN101356669B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200780001184.1
申请日：2007-10-11
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H01M4/139 , H01M4/0471 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/582 , H01M4/5825 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , H01M2004/025 , H01M2004/027 , Y02T10/7011
摘要： 本发明涉及一种非水电解质二次电池用负极的制造方法，其包括如下3个步骤：A)在集电体上沉积负极活性物质以制作负极；B)对该负极进行热处理；C)在B)步骤之后，将锂赋予给负极活性物质。
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公开(公告)号：CN1551712A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410044664.4
申请日：2004-05-19
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： H05K3/361 , H01L24/81 , H01L2224/81801 , H01L2924/12042 , H05K3/321 , H05K3/3452 , H05K3/363 , H05K2201/09909 , H05K2201/2036 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及电子电路的连接结构，其构成中包括电路基板(10)和柔性基板(20)，其中，在上述电路基板(10)的表面上形成了由多个导体图形构成的第1连接接合区(12)，上述柔性基板(20)包含与电路基板(10)的第1连接接合区(12)对峙地配置的第2连接接合区(24)和以包围第2连接接合区(24)的外周部的至少一部分的方式形成的绝缘层(26)，利用接合材料(30)接合第1连接接合区(12)与第2连接接合区(24)，而且，将绝缘层26的厚度形成得比第1连接接合区(12)与第2连接接合区(24)的合计的厚度厚。由此，可得到即使使连接接合区微细化、焊锡等的接合材料也不会流出而导致短路的电子电路的连接结构及其连接方法。
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公开(公告)号：CN103380231A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201280009593.7
申请日：2012-04-25
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： C23C14/56
CPC分类号： C23C16/458 , B65G13/00 , C23C14/50 , C23C14/541 , C23C14/562 , C23C16/4581 , C23C16/463 , C23C16/466 , C23C16/545
摘要： 基板输送辊6A构成为在真空中输送基板，具有第1壳体11、内块12以及轴10。第1壳体11具有用于支撑基板的圆筒形的外周面，能与基板同步地旋转。内块12配置在第1壳体11的内部，被禁止与基板同步地旋转。轴10贯通并且支撑内块12。在第1壳体11的内周面与内块12之间形成有间隙部15。在间隙部15，从内块12向第1壳体11的所述内周面导入气体。
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公开(公告)号：CN102245800A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149376.6
申请日：2009-12-10
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： C23C14/042 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/243 , C23C14/541 , C23C14/562
摘要： 本发明确保通过气体冷却带来的充分的冷却能力并且防止真空槽内的真空度的恶化。在真空中设置基板(21)，与基板(21)的非成膜面接近地配置冷却体(1)，一边将冷却用气体导入到基板(21)和冷却体(1)之间，一边在基板(21)的成膜面上沉积成膜材料来形成薄膜。此时，导入与所述成膜材料反应的气体作为冷却用气体。
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公开(公告)号：CN101253824B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200680031925.6
申请日：2006-09-27
申请人： 松下电器产业株式会社
摘要： 在由阳连接器(25)的第一端子与第一电路基板(10)所围绕的区域部设置第一片状基板(15)，在由阴连接器(45)的第二端子与第二电路基板(30)所围绕的区域部设置第二片状基板(35)，通过使阳连接器(25)与阴连接器(45)嵌合，从而由第一片状基板(15)的第一无源元件与第二片状基板(35)的第二无源元件构成滤波电路。
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