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公开(公告)号：CN106024862B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610479524.2
申请日：2016-06-28
Applicant: 上海大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/165 , H01L29/205 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种带有电极的金刚石薄膜/GaN异质结的制备方法。属于半导体器件材料制造工艺技术领域。本发明是在n型GaN衬底上采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法制备一层p型纳米金刚石(p‑NCD)薄膜，从而制备出一个p‑NCD/n‑GaN的异质结结构器件。本发明的目的是提供一种低成本、高质量的p‑NCD/n‑GaN异质结制备方法。其特点在于，采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法首次在n型GaN上制备了p型纳米金刚石薄膜(p‑NCD)形成异质结。所得到的器件具有制备方法简单，成本小，很好的整流特性，适用于高频电子器件，等优点。
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公开(公告)号：CN109811303A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201910060964.8
申请日：2019-01-23
Applicant: 上海大学
Abstract: 本发明公开了一种基于类金刚石薄膜中间层的纳米金刚石薄膜制备方法，利用离子束复合中频溅射法在单晶硅衬底上预先沉积一层类金刚石薄膜作为中间层；随后在类金刚石薄膜中间层上利用微波等离子体气相沉积法，外加负偏压辅助沉积得到纳米金刚石薄膜。本发明利用类金刚石薄膜产生高浓度的碳源，增加碳的过饱和度，从而提高了纳米金刚石薄膜的形核密度；在偏压形核过程中引入大量的原子氢，增加刻蚀效率，对降低纳米金刚石薄膜的晶粒尺寸，提高异质外延纳米金刚石薄膜的形核密度，以及制备高质量纳米金刚石薄膜有很大意义。
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公开(公告)号：CN109461668A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201811040713.5
申请日：2018-09-07
Applicant: 上海大学
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明涉及一种金电极与碲锌镉晶片接触电阻率的测试方法。本发明利用探测器用碲锌镉晶体材料尺寸要求，采用环体材料的线型电极制备不同间距的传输环，并结合化学沉积金电极的灵活性及与碲锌镉良好的欧姆接触特性，有效避免样品台面和电极接触的余量引入寄生电阻，同时仍然可利用简易的线性传输模型计算模型进行数据处理，而且测得的接触电阻率更全面地反映体材料各个面的表面状态对接触电阻率的影响。
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公开(公告)号：CN108689611A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810554306.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 上海大学
IPC: C03C17/34
CPC classification number: C03C17/3464 , C03C17/3476 , C03C2217/288 , C03C2217/289 , C03C2218/111
Abstract: 本发明涉及一种片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法，该方法是将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中，调节溶液pH=0.2‑1.0，将洗干净FTO垂直紧靠杯壁放入溶液中，将溶液放入到恒温磁力搅拌器中，在80‑90℃反应0.5‑2小时，将FTO取出，得到SnS纳米片薄膜，洗净、烘干；之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到反应釜中，在180℃反应10‑12h，反应物冷却，洗净、烘干；通过氮气退火得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。本发明制备方法绿色环保且操作简单，所用前躯体材料成本低廉，制备的薄膜呈片状颗粒，且分布均匀，有利于提高其光电特性。
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公开(公告)号：CN108550634A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810212660.4
申请日：2018-03-15
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/101 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1876 , H01L31/022408 , H01L31/101 , H01L31/1884
Abstract: 本发明公开了一种采用氧化锌导电电极的碲锌镉辐射探测器及其制备方法，该辐射探测器采用电极-半导体-电极三明治器件结构，即依次由氧化锌基导电氧化物薄膜电极、碲锌镉和氧化锌基导电氧化物薄膜电极三部分层叠组装的结构。本发明采用氧化锌基导电氧化物薄膜电极代替传统的金属电极。与传统碲锌镉辐射探测器相比，氧化锌基导电氧化物薄膜电极导电性能良好，在碲锌镉表面的附着力远高于金属，接触电阻更低，可靠性更高，大大提高了探测器的稳定性和使用寿命。本探测器可广泛应用于核医学，航空航天以及安全防护等众多辐射监测领域。对于公共安全、军事、核工业、核医学、科学研究以及航空航天等领域辐射监控、安全防护方面具有重要意义。
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公开(公告)号：CN107807001A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711001184.3
申请日：2017-10-24
Applicant: 上海大学 , 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
IPC: G01M99/00
Abstract: 本发明公开了一种过滤性能测试系统及方法。所述测试系统包括：源腔，用以提供源气体；缓冲腔，用以使所述源气体与载气充分混合形成含污染物的测试气体；载气源，用以向缓冲腔提供载气；水汽发生腔，用以提供含水分的洁净测试气体；气体检测模块，用以检测自待测试过滤装置的气体吸入端、气体呼出端输入/输出的测试气体中的污染物浓度；所述缓冲腔的气体入口与源腔的气体出口、载气源的气体出口连通，所述待测试过滤装置的气体呼出端与水汽发生腔的水汽出口连通，其气体吸入端与缓冲腔的气体出口连通。本发明的测试系统及方法具有多种工作模式，能高仿真地模拟过滤装置的真实工况，从而能准确的测试过滤装置的实际性能，具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN105742508B
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201610221077.0
申请日：2016-04-12
Applicant: 上海大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种四氨基锌酞菁有机空穴传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法，首先采用微波法制备四硝基锌酞菁，再将其还原得到四氨基锌酞菁，以此衍生物作为有机空穴传输层，旋涂在涂覆有钙钛矿的TiO2膜上，制备了钙钛矿太阳能电池。本发明合成了一种酞菁衍生物染料—四氨基酞菁锌，作为钙钛矿TiO2太阳能电池有机空穴传输层，采用微波合成能大大缩减反应时间，提高反应产率，并且减少环境污染，并制备了基于该有机材料空穴传输层的绿色、环保、高效的钙钛矿太阳能电池。
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公开(公告)号：CN107173302A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710396301.4
申请日：2017-05-31
Applicant: 上海大学
IPC: A01K63/06
CPC classification number: A01K63/065
Abstract: 本发明公开了一种恒温鱼缸的自控温加热装置，主要包括电加热体、鱼缸水温传感器、温控器和电源，其中电加热体的电源通过温控装置与电源相连通，温控装置通过固定组件固定于水面以上，感温装置通过绝缘片与温控装置固定，感温装置置于鱼缸水面以下。其中所述的感温装置为TiNi基形状记忆合金弹簧。本发明装置能够有效节约加热所需的电能，且在完全脱离人工操作的条件下，将鱼缸水温控制在鱼类最适宜生存的温度区间内，温控稳定性高，智能化程度高。
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公开(公告)号：CN107170853A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201710318230.6
申请日：2017-05-08
Applicant: 上海大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0336 , H01L31/18 , H01L21/02
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/109 , H01L21/02389 , H01L21/02562 , H01L21/02631 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器的制备方法，其步骤为：(1)将商用CdZnTe多晶体研磨成粉末作为升华源；(2)镀有氮化镓(GaN)的单晶硅片作为衬底，再用氮气吹干，放入近空间升华反应室内；(3 将升华室内气压抽至5pa以下；开卤素灯将升华源和衬底加热到600℃、550℃；生长20min，冷却至室温，取出，即得到GaN/CdZnTe薄膜；(4)用蒸镀法向上述GaN/CdZnTe薄膜表面蒸镀金属电极，再将金属电极放在N2氛围下退火，使GaN/CdZnTe与金属电极之间形成更好的欧姆接触，即制得复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器。该方法使用的GaN衬底可以保证复合结构的GaN/CdZnTe薄膜紫外光探测器在高温、强辐射环境下的使用，对紫外光也具有有良好的稳定性和光响应特性。
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公开(公告)号：CN105253910B
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201510589741.2
申请日：2015-09-17
Applicant: 上海大学
IPC: C01G19/00
Abstract: 本发明公开了一种低成本、高质量的一步合成大尺寸SnS纳米片的制备方法，该方法是通过：依次将磁力搅拌子；一定量的反应物前驱体氯化亚锡、硫粉；油胺；加入到四颈烧瓶并固定在恒温磁力搅拌器上，装好装置打开转子搅拌并通入Ar气，气流可稍大。升温到70℃时等30分钟后将温度升为180℃，同时减小Ar气流，30分钟后再升温至300℃，最后降温至50℃，关闭加热和磁力搅拌，取出样品用甲苯和无水乙醇作为清洗剂清洗数次后收集下层沉淀物，即大尺寸SnS纳米片。本发明的优点在于：制备方法简单，成本较低，前驱体材料储量丰富，适合批量合成。纳米片的直径较大形貌较好，大量减少载流子在晶界区域的复合，为制备厚度均匀太阳电池器件的吸收层提供一定的帮助。
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