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公开(公告)号:CN114200244A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202210146277.X
申请日:2022-02-17
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司
摘要: 本发明实施例提供一种用于电力二次设备的环境应力试验系统,属于电力技术领域。所述用于电力二次设备的环境应力试验系统包括环境试验室,以及在所述环境试验室内设置的环境模拟系统、电气控制设备、故障模拟系统,所述环境模拟系统用于生成所述电力二次设备所处环境的综合环境参数,所述电气控制设备用于控制所述环境模拟系统生成所述综合环境参数,并对所述电力二次设备进行综合环境应力试验,所述故障模拟系统,配合所述环境模拟系统,用于模拟所述电力二次设备试验的电网各类故障和异常运行工况。通过环境模拟系统形成多种不同环境影响因素的共同作用,模拟户外电网真实运行环境。
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公开(公告)号:CN114065674A
公开(公告)日:2022-02-18
申请号:CN202210046994.5
申请日:2022-01-17
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC分类号: G06F30/33
摘要: 本发明实施例提供一种CMOS器件的EOS失效率的预测方法和装置,属于集成电路技术领域。预测方法包括:确定CMOS器件的基础EOS失效率;确定在CMOS器件的全部工艺环节中影响EOS失效率的影响因子;获取针对每一影响因子进行EOS失效率评价的评价结果,并基于该评价结果确定示出影响因子对EOS失效率的影响程度的权重值,其中权重值越大表示影响因子对EOS失效率的影响程度越大;基于基础EOS失效率和各个影响因子对应的权重值,建立针对EOS失效率的预测模型,以得到CMOS器件的EOS失效率的预测值。本发明从CMOS器件各个工艺环节系统性分析,综合考虑影响其EOS失效率的每个影响因素,所得到的EOS失效率的预测值更为精准,从而能够对EOS可靠性预测提供准确的预测依据。
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公开(公告)号:CN114019220A
公开(公告)日:2022-02-08
申请号:CN202210014419.7
申请日:2022-01-07
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
摘要: 本发明实施例提供一种电流检测器及电路,电流检测器包括:外壳及至少一组磁体,所述磁体位于所述外壳内,每组磁体包括:第一磁芯、第二磁芯、第一激励线圈、第二激励线圈及感应线圈;所述第一磁芯和第二磁芯对称耦合;所述第一激励线圈缠绕所述第一磁芯,用于产生第一激励磁场;所述第二激励线圈缠绕所述第二磁芯,用于产生第二激励磁场;所述第一激励线圈和第二激励线圈为反向串连连接;所述感应线圈缠绕于所述第一磁芯和第二磁芯的耦合中轴,用于感应待测导体产生感应磁场。所述电流检测器测量灵敏度高、抗干扰能力强,并且结构简单、加工难度较低,成本较低。
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公开(公告)号:CN112311395B
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202011287801.2
申请日:2020-11-17
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 国网上海市电力公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H03M1/10
摘要: 本发明实施例提供一种电荷型SAR ADC的校准方法,属于芯片设计领域。所述电荷型SAR ADC包括:分段的DAC阵列、以及比较器,其中所述分段的DAC阵列包括MSB电容阵列和LSB电容阵列,所述MSB电容阵列和所述LSB电容阵列之间通过比例电容连接,所述方法包括:触发所述比较器执行一次信号采样和一次状态转换后,获取所述比较器的输出;以及根据所述比较器的输出来调整校准电容的大小以执行校准,其中所述校准电容与所述比例电容并列、或者所述校准电容并联于所述LSB电容阵列中。其能够实现电荷型SAR ADC的自动校准。
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公开(公告)号:CN113782528A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202111330860.8
申请日:2021-11-11
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 西安电子科技大学 , 国网江苏省电力有限公司常州供电分公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H01L27/02 , H01L27/092 , H01L23/552 , H01L21/8238
摘要: 本发明提供一种半导体器件、集成电路产品以及制造方法,属于半导体器件技术领域。所述半导体器件包括:基体;第一掺杂区,形成于所述基体,所述第一掺杂区是第一MOS的源区和漏区的掺杂区;第二掺杂区,形成于所述基体,所述第二掺杂区与所述源区的距离小于所述第二掺杂区与所述漏区的距离,所述第二掺杂区与所述源区的导电类型相反;互连层,具有导电性,与所述第二掺杂区和所述源区有接触。本发明可为半导体器件提供抗电磁干扰能力。
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公开(公告)号:CN113746770A
公开(公告)日:2021-12-03
申请号:CN202111044240.8
申请日:2021-09-07
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: H04L27/26
摘要: 本发明公开了一种线性调频通信系统及其信道估计方法、装置、介质和芯片,其中方法包括以下步骤:根据当前导频符号的信道估计值提前解调下一个导频符号的前后数据符号以获得下一个导频符号的前后数据符号的内容;根据下一个导频符号的内容和下一个导频符号的前后数据符号的内容,调整下一个导频符号的起始位置,从起始位置对下一个导频符号进行信道估计以获得下一个导频符号的信道估计值。由此,基于下一个导频符号的内容以及前后数据符号的内容对下一个导频符号的起始位置进行调整,并根据调整后的起始位置进行信道估计,能够有效提高信道估计性能以及线性调频信号的解调性能。
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公开(公告)号:CN113707558A
公开(公告)日:2021-11-26
申请号:CN202111257655.3
申请日:2021-10-27
申请人: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/40 , G03F1/00
摘要: 本申请涉及半导体集成电路技术领域,具体地涉及一种用于制备高压LDMOS器件的方法及器件,包括提供第二导电类型的衬底;在衬底的中形成第一导电类型的漂移区与第二导电类型的体区;在漂移区上生长场氧化物;形成覆盖于漂移区的一部分和体区的一部分的栅介质层;在栅介质层上形成栅电极;在体区表面形成源区;以及在漂移区表面形成漏区;其中,使用局部线性掺杂工艺对第一选定区域注入第一导电类型离子,使用掩膜版调节漂移区的离子掺杂浓度,以使得漂移区中的第一子区域和第二子区域中的离子掺杂浓度降低从而第一子区域和第二子区域的离子掺杂浓度相对于漂移区中的第一子区域和第二子区域之外的其他子区域的离子掺杂浓度呈现非线性特征。
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公开(公告)号:CN113609511A
公开(公告)日:2021-11-05
申请号:CN202111164095.7
申请日:2021-09-30
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国家电网有限公司
IPC分类号: G06F21/60
摘要: 本公开实施例公开了一种数据处理和密钥保护方法、装置、设备、存储介质和程序。其中,所述数据处理方法,用于消除数据串中的全零窗口,包括:数据获取步骤,获取输入的密钥数据;数据随机化步骤,对所述密钥数据进行随机化处理,得到随机化数据;全零窗口消除步骤,将随机化数据减去预设非零序列,得到全零窗口消除数据,从而消除全零窗口。
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公开(公告)号:CN113253796A
公开(公告)日:2021-08-13
申请号:CN202110744854.0
申请日:2021-07-01
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司
IPC分类号: G06F1/12
摘要: 本发明涉及芯片领域,提供一种异步输入信号的同步方法及装置、中央处理器、芯片。所述异步输入信号的同步方法用于双核锁步系统,所述双核锁步系统包括第一内核和第二内核,所述方法包括:将异步输入信号同时输入第一同步器和第二同步器;对所述第一同步器的输出信号和所述第二同步器的输出信号进行校验。本发明采用两个同步器进行对比检测,根据两个同步器的输出信号的对比校验结果信息可捕捉到任意一个同步器出现的故障,保障双核锁步系统的安全性和可靠性。
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公开(公告)号:CN112904931A
公开(公告)日:2021-06-04
申请号:CN202110055767.4
申请日:2021-01-15
申请人: 北京智芯微电子科技有限公司 , 南开大学 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC分类号: G05F3/26
摘要: 本发明涉及集成电路技术领域,提供一种电压电流转换电路及集成电路芯片。所述电压电流转换电路包括第一串联电阻、第二串联电阻、第一电流镜、第一负反馈环路以及第二负反馈环路,所述第一负反馈环路包括第一跨导放大器和第二电流镜,所述第二负反馈环路包括第二跨导放大器、第三电流镜以及第一二极管。本发明的电压电流转换电路,采用两条负反馈环路,使其有效输入电压可以高于电源电平,也可以低于地电平,即输入电压范围可以向正电源轨和负电源轨两个方向扩展,输入电压范围宽,动态范围大,且所述电压电流转换电路转换获得的电流也是双向的,可以有更广泛的电路应用,适应更多的系统条件。
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